【产品】基于沟槽技术的N沟道功率MOSFET AP1002，栅极总充电电量Qg低至5.2nC
铨力半导体推出一款运用了先进沟槽技术和设计的N沟道功率MOSFET——AP1002，采用SOT-23封装方式，静态漏源导通电阻RDS(ON) 小于250mΩ（VGS=10V，ID=2A时），总栅极电荷Qg低至5.2nC（ID=1.3A，VDS=50V ，VGS=10V时），有着较好的开关性能，存储温度范围和工作结温范围都在-55°C~+150°C之间，能够适应绝大多数温度要求严格的工业环境，如电源开关、硬开关和高频电路、不间断电源等应用。
AP1002型N沟道功率MOSFET在25℃下的测试条件下，最大漏源电压VDS为100V， 最大栅源电压VGS为±20V，最大漏极电流ID为2A，最大漏源脉冲电流IDM为5A，最小漏源击穿电压BVDSS为100V（VGS=0V，ID=250μA），最大耗散功率PD仅为1.1W，结到环境的热阻RθJA等于120℃/W，导通损耗较低，产品能量利用效率较高。
产品封装图如下：
产品特点：
VDS=100V， ID=2A
RDS(ON) <250mΩ@VGS=10V（典型值为180mΩ）
采用超低导通电阻的高密度单元设计
全特性雪崩电压和电流
采用散热性能出色的封装
典型应用
电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源
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