【产品】基于沟槽技术的N沟道功率MOSFET AP1002，栅极总充电电量Qg低至5.2nC

时间： 2021-12-25 来源：铨力半导体

代理服务

技术支持

采购服务

铨力半导体推出一款运用了先进沟槽技术和设计的N沟道功率MOSFET——AP1002，采用SOT-23封装方式，静态漏源导通电阻R_DS(ON) 小于250mΩ（V_GS=10V，I_D=2A时），总栅极电荷Q_g低至5.2nC（I_D=1.3A，V_DS=50V ，V_GS=10V时），有着较好的开关性能，存储温度范围和工作结温范围都在-55°C~+150°C之间，能够适应绝大多数温度要求严格的工业环境，如电源开关、硬开关和高频电路、不间断电源等应用。

AP1002型N沟道功率MOSFET在25℃下的测试条件下，最大漏源电压V_DS为100V，最大栅源电压V_GS为±20V，最大漏极电流I_D为2A，最大漏源脉冲电流I_DM为5A，最小漏源击穿电压BV_DSS为100V（V_GS=0V，I_D=250μA），最大耗散功率P_D仅为1.1W，结到环境的热阻R_θJA等于120℃/W，导通损耗较低，产品能量利用效率较高。

产品封装图如下：

产品特点：

V_DS=100V， I_D=2A

R_DS(ON) <250mΩ@V_GS=10V（典型值为180mΩ）

采用超低导通电阻的高密度单元设计

全特性雪崩电压和电流

采用散热性能出色的封装

典型应用

电源开关应用

硬开关和高频电路

不间断电源

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由Topaz翻译自铨力半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【产品】采用DFN5*6封装的N沟道功率MOSFET AP68N06G，总耗散功率可达104W

AP68N06G是铨力半导体推出的采用先进功率创新设计和硅工艺技术的N沟道功率MOSFET，可实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计者提供一种极为高效的器件，可广泛应用于各种电源应用领域。

2022-03-31 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】80V/200A N沟道功率MOSFET BLM04N08，最大漏源导通电阻为4mΩ

BLM04N08是上海贝岭推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，导通电阻小、低栅极电荷，适用于电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源等。

2022-04-27 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】AP6009S型N沟道功率MOSFET，采用先进沟槽技术，静态漏源导通电阻小于18mΩ

AP6009S是铨力半导体推出的采用先进沟槽技术设计的的N沟道功率MOSFET，采用超低导通电阻的高密度单元设计，静态漏源导通电阻RDS(ON)小于18mΩ@VGS=10V（典型值为14 mΩ），低导通电阻有效地降低了开关损耗，应用范围广泛。

2021-12-17 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】CJAB20N03 N沟道功率MOSFET，采用PDFNWB3.3×3.3-8L塑封，漏源电压最大为30V

长晶科技推出的CJAB20N03是PDFNWB3.3×3.3-8L塑封N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术设计，具有低栅极电荷和漏源导通电阻。该器件封装具有良好的散热性，适用于多种应用，包括SMPS，硬开关和高频电路，不间断电源等领域。

2020-11-20 - 新产品代理服务技术支持采购服务

铨力半导体Trench MOS选型表

铨力半导体提供如下参数的Trench MOS:先进的沟槽技术，出色的RDS(on)和低栅极电荷, VGS (V)跨度达±20，多种封装形式SOT23-3/SOT23-6/SOP-8等

RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V

RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V

RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V

RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V

选型表 - 铨力半导体立即选型

AM05N10 MOSFET 100V 5A N沟道功率MOSFET

AM05N10是一款100V 5A N-CHANNEL功率MOSFET，采用SOT-223封装，适用于功率开关应用，包括硬开关和高频电路、不间断电源和电机控制。

AIT - MOSFET,N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,AM05N10NR,AM05N10,AM05N10NVR,HIGH FREQUENCY CIRCUITS,电机控制,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,MOTOR CONTROL,高频电路

MAY 2024 - 数据手册 - REV1.0 代理服务技术支持采购服务

【产品】120A/80V N沟道功率MOSFET DIT120N08，导通电阻仅4.9mΩ

DIT120N08是Diotec推出的N沟道功率MOSFET ，无铅，符合RoHS，REACH标准，具有低导通电阻，高开关速度，低栅极电荷，高雪崩能量等优点，广泛应用在DC/DC转换器，电源设备，电动工具等领域。

2019-11-15 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】100V/150A的N沟道功率MOSFET RUH1H150R，采用先进的HEFETⓇ技术

锐骏半导体推出的RUH1H150R是一款N沟道功率MOSFET，采用先进的HEFETⓇ技术，RDS(ON)典型值为3.2mΩ，漏源击穿电压最小值为100V，最大耗散功率为200W，最大结温为175℃，结到壳的热阻为0.75℃/W，结到环境的热阻为62.5℃/W，采用TO220封装。

2022-04-09 - 新产品代理服务技术支持采购服务

AP10N65F N沟道功率MOSFET数据手册

该资料介绍了AP10N65F型号的N通道功率MOSFET的特性，包括其电气参数、应用领域和封装信息。该器件具有650V的耐压、10A的连续漏极电流和低导通电阻，适用于PWM应用、负载开关和电源管理。

铨力半导体 - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,AP10N65F,脉宽调制应用,PWM APPLICATIONS,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关

2022/9/29 - 数据手册 - V1.0 代理服务技术支持采购服务

BLM08N06 60V N沟道功率MOSFET

该资料介绍了BLM08N06型60V N-Channel功率MOSFET的特性及应用。产品采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、低栅极电荷等特点，适用于多种电源开关应用、硬切换和高频电路以及不间断电源等领域。

上海贝岭 - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,BLM08N06,BLM08N06-D,BLM08N06-E,BLM08N06-P,HIGH FREQUENCY CIUTUITS,HARD SWITCHED,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,硬交换,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,高频电路

2020/7/29 - 数据手册 - V 1.0 代理服务技术支持采购服务

MX10T03AHS（T）100V N沟道功率MOSFET

MX10T03AHS(T)是一款100V N-Channel Power MOSFET，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热特性。该产品适用于电信和工业领域的DC/DC转换、同步整流、硬开关和高速电路。

明芯微 - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,MX10T03AHT,MX10T03AHS,电信,开关模式电源,INDUCTRIAL,SYNCHRONOUS RECTIFICATION,高速电路,硬开关,DC/DC,同步整流,引产,SMPS,TELECOMS,HIGH SPEED CIRCUIT,直流/ DC,HARD SWITCHING

2024/5/22 - 数据手册 - Rev. 1.0 代理服务技术支持采购服务

【产品】DFN5* 6mm封装，100V/74A N沟道功率MOSFET PL0807N10

PL0807N10是宝砾微推出的漏源电压100V的N沟道功率MOSFET。产品采用DFN5* 6mm封装，经过100％的UIS测试，100％的Rg测试，安全性能较好。产品适用于DC-DC转换、SMPS中的同步整流和电机控制等。

2020-07-04 - 新产品代理服务技术支持采购服务

MX10T01AHTL 100V N沟道功率MOSFET

MX10T01AHTL是一款100V N-Channel Power MOSFET，具有低导通电阻、高可靠性等特点。产品适用于电信和工业领域的DC/DC转换、同步整流、硬开关和高速电路等应用。

明芯微 - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,MX10T01AHTL,电信,开关模式电源,INDUCTRIAL,SYNCHRONOUS RECTIFICATION,高速电路,硬开关,DC/DC,同步整流,引产,SMPS,TELECOMS,HIGH SPEED CIRCUIT,直流/ DC,HARD SWITCHING

2024/5/22 - 数据手册 - Rev. 1.0 代理服务技术支持采购服务

【产品】30V/40A低压N沟道和P沟道互补型功率MOSFETYJG40NP03A，适用于硬开关和高频电路等相关应用

YJG40NP03A是扬杰科技推出的N沟道和P沟道互补型功率MOSFET，采用沟槽型功率低压MOSFET技术，非常适用于大电流负载应用、负载切换、硬开关和高频电路、不间断电源供应等相关应用。

2021-02-07 - 新产品代理服务技术支持采购服务

CSM12N08 80V N沟道功率MOSFET

本资料介绍了CSM12N08型80V N-Channel Power MOSFET的特性及应用。该器件适用于电源开关应用，包括硬切换和高频电路，具有高ESD能力、低Rdson和良好的热散耗性能。

国科赛思 - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,CSM12N08-P,CSM12N08-B,CSM12N08-D,CSM12N08,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用

2024/2/26 - 数据手册 - Ver1.1 代理服务技术支持采购服务