【产品】捷捷微电新款150V系列N沟道JSFET，适合5G通信、BLDC、BMS等热门领域
捷捷微电推出新款150V系列N沟道JSFET®, 采用TO-220-3L、TO-247-3L 及TO-263-3L封装，超优的热导性能減少热点，提升可靠性；符合5G 通信电源及有源以太网 (PoE++) 供应端电源、储能电池组电源管理优化器（BMS）、无刷电机驱动 (BLDC) 等应用对超高功率密度和能效的需求。器件内部配以全铜框架，电流处理能力达185A。在VGS＝10V条件下，系列中TO-263-3L封装的JMSH1504AE，标准导电阻抗低至3.9mΩ，与国际半导体IDM大厂的同类产品不相伯仲。
表 1
新的JMSH1504系列功率器件提供插件式及贴片式两种封装，方便应用电路PCB版图设计及电子元件放置。与同类采用TO-263封装的竞品相比，不仅在导通阻抗、雪崩能量、米勒及输出电容等参数方面大有优势；也具良好的线性模式/安全工作区域（SOA）特性，可以在大电流条件下安全可靠地开关工作。
捷捷微电功率MOSFET 器件市场经理表示：
因应国家在大力推动5G 基建，越来越多智能终端如高精度定位模块及人像识别传感器等，透过千兆以太网连接RAN交換机作信号传输的同时；也从交換机PSE 供电设备模组获取最高IEEE 802.3bt PoE++第四级100W的供电。JMSH1504AE超低的导通阻抗 (3.9mΩ) 能保证交換机里的PSE供电设备模组，在供电给多至二十四组PoE++PD终端时，确保最佳的电源转換效能及工作溫度。
图 1
JMSH1504系列SGT MOSFET能满足通信类、BMS、BLDC等应用对器件牢固性和可靠性的需求。在数据中心、5G数据交换机、安防系统伺服器里也常会用在 OR-ing及热插拔等应用。极低的米勒电容 (6.7pF) 及输出电容 (772pF)，和高达889mJ 的雪崩能量 (EAS) ，能轻松的处理高电平转低电平子系统中电源关断时常出现的尖峰电压，确保长期稳定的系统运转。
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N60V SGT MOSFET新品
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型号- YJG80G06B,YJT300G06H,YJQ70G06A,YJG210G06AR,YJG85G06H,YJT220G06H,YJG95G06B,YJG140G06A,YJG85G06B
捷捷微电MOS选型表
捷捷微电提供以下技术参数的MOS选型，VDS_Max：-100V~1000V，VGS(th)_Typ：-2V~3.5V等
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产品型号
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品类
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Confi-guration
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VDS_Max(V)
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ID_Max(A)
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VGS(th)_Typ(V)
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RDS(ON)_Typ@VGS =10V(mΩ)
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RDS(ON)_Max@VGS=10V(mΩ)
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RDS(ON)_Typ@VGS=4.5V(mΩ)
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RDS(ON)_Max@VGS=4.5V(mΩ)
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VGS_Max(V)
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EAS_Max(mJ)
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Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
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MPQ
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MOQ
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封装
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JMSL040SAGQ
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MOS
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N
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40V
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387A
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1.5V
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0.58mΩ
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0.75mΩ
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0.8mΩ
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0.99mΩ
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±20V
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506mJ
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7654pF
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3738pF
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44pF
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114nC
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3000
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30000
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PDFN5x6-8L
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选型表 - 捷捷微电 立即选型
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型号- JMSH0401PTSQ,JMSH0401PTSQ-13
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现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
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授权代理品牌：机械电子元件
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