【应用】国产GaN MOSFET搭配驱动+同步整流芯片实现大功率密度65W PD快充，效率可达90%以上
某客户要设计一款高效、大功率密度的65W PD快充。传统的PD快充通常采用Si MOS作为主开关器件，开关频率比较低，从未导致相应的磁性元件体积较大，整机功率密度和效率较低。本文重点介绍使用英诺赛科的INN650D150A GaN MOSFET作为主开关管，搭配必易微的驱动芯片+同步整流芯片：KP2206SSGA+KP4060LGA，效率可达90%以上。
英诺赛科的INN650D150A，主要参数规格：
1、高工作电压，适用于220VAC输入，内阻小损耗低；
2、工作温度高，可达-55℃~150℃；
3、超小封装DFN 8mmx8mm, 大幅减小了PCB占板面积。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由贺盼提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
氮化镓快充完整解决方案：原理图、BOM、设计参考、免费样品
本方案采用GaN FET作为主开关器件，并搭配高效的同步整流IC、低导通损耗的整流桥、高可靠性保险丝和多协议PD控制芯片等器件，实现基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案的产品设计。所有推荐产品均可以提供免费样品，100%保证原厂正品，同时保证提供最具竞争力的代理商价格。
应用方案 发布时间 : 2020-07-30
【应用】基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案
基于Type-C协议的PD快充是目前充电器的优选，传统的PD快充通常采用Si MOS作为主开关器件，其开关频率一般低于100kHz，相应的磁性元件体积较大，整机功率密度和效率较低。针对以上问题，本方案采用GaN FET作为主开关器件，并搭配高效的同步整流IC、低导通损耗的整流桥、高可靠性保险丝和多协议PD控制芯片等器件，实现基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案的产品设计。
应用方案 发布时间 : 2020-04-10
世强平台可提供全方面的器件，助力采用氮化镓技术符合Type-C协议的60W PD快充设计
基于氮化镓采用Type-C协议的PD快充是目前充电器的优选，其中 60W的PD快充是目前主流的功率段之一。基于原理示意图，世强平台可提供里面的PD快充设计的全方面的器件和相关资料，协助高效高密的PD快充设计。
应用方案 发布时间 : 2020-02-27
【视频】2023年1月12日碳化硅＆氮化镓新技术研讨会
EPC、英诺赛科、西南集成等顶尖厂商带来SiC MOS、GaN FET、车规级SiC二极管等全新产品和技术。
活动 发布时间 : 2023-11-30
拆解报告：公牛65W 1A1C氮化镓充电器
充电头网通过拆解了解到，公牛这款氮化镓充电器采用杰华特JW1515HA+JW7726快充电源方案，搭配使用英诺赛科INN650D150A氮化镓开关管。采用两颗智融SW2303协议芯片分别对应USB-C和USB-A接口，并使用两颗防过充保护芯片进行自动断电功能。USB-A口采用同步升降压芯片进行电压转换。内部采用导热胶填充，增强散热性能。
原厂动态 发布时间 : 2023-07-22
英诺赛科（Innoscience）高压GaN FET/低压GaN FET/晶圆选型表
描述- 英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。主要产品涵盖从低压到高压（30V-650V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。
型号- INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A
英诺赛科氮化镓出货量突破3亿颗，产品在消费类、汽车激光雷达，数据中心，新能源与储能领域的多个应用中大批量交付
据TrendForce集邦咨询《2023 GaN功率半导体市场分析报告》显示，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。得益于市场应用范围的扩大和八英寸硅基氮化镓技术的成熟，英诺赛科2023年上半年销售额比去年同期增长500%，累计出货量成功突破3亿颗！
原厂动态 发布时间 : 2023-08-21
【视频】650V国产GaN器件，为不同功率需求的PD快充设计提供对应的设计方案
型号- INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN650DA150A,INN650DA260A
【经验】GaN驱动电压负压为何被箝位？
随着第三代半导体的兴起，GaN已经在各行各业开始普及，但GaN的驱动电压范围偏窄，尤其是负压驱动。本文将结合英诺赛科的GaN增强模式功率晶体管INN650D150A，讨论下GaN驱动电压负压为何被箝位？
设计经验 发布时间 : 2021-09-29
英诺赛科半桥氮化镓功率芯片ISG3201发布，支持客户在尺寸、成本、灵活性和性能方面进行优化
ISG3201 半桥氮化镓功率芯片包括两个100V 3.2mΩ 具有驱动器、驱动电阻器、自举和Vcc电容器的e-mode GaN HEMT。它具有34A的连续电流能力、零反向恢复电荷和超低导通电阻。由于集成度高，栅极环路和功率环路寄生电流保持在1nH以下。因此，开关节点上的电压尖峰被最小化。半桥GaN HEMT的导通速度可以通过单个电阻器来调节。
原厂动态 发布时间 : 2023-07-11
【应用】国产氮化镓场效应晶体管INN650D01实现95.4%效率的小型化100W单C快充设计
INN650D01是英诺赛科650V/130mΩ/16.5A的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。采用该氮化镓场效应晶体管搭配电源IC，相对于普通的电源IC搭配Si MOSFET技术，当频率翻倍至120Khz的情况下可实现高效95.4%的体积减小一半以上的100W单C快充设计。
应用方案 发布时间 : 2020-09-25
【应用】国产GaN MOSFET INN650D150A助力家用手持射频美容仪推挽电路设计，实现5M射频输出
传统的射频美容仪大多使用Si MOSFET来设计推挽电路，这样设计的话成本固然会有所降低，但是这样设计的产品最高只能达到2M左右的射频输出。本文介绍的新方案是利用英诺赛科的INN650D150A GaN MOSFET，实现5M以上射频输出。
应用方案 发布时间 : 2022-12-21
英诺赛科氮化镓芯片进入安克、倍思、联想、摩托罗拉、OPPO等一线供应链，出货超1.7亿颗
英诺赛科高频高效的氮化镓芯片可以帮助客户设计更高功率密度的电源解决方案，其产品已被三星，OPPO，VIVO，华硕，努比亚，绿联，多家知名品牌和厂商所采用，今年年初与VGaN系列产品，以创新的方式将氮化镓芯片内置于手机，实现手机全链路氮化镓快充。
原厂动态 发布时间 : 2023-06-20
【IC】英诺赛科新推高集成半桥驱动功率芯片ISG3201，耐压100V，导通电阻为3.2mΩ
英诺赛科ISG3201是一颗耐压100V的半桥氮化镓芯片，其内部集成了2颗100V，导阻3.2mΩ的增强型氮化镓和1颗100V半桥驱动，凭借内部集成驱动省器去了外部钳位电路，能够显著降低关联的寄生参数。
新产品 发布时间 : 2023-01-13
电子商城
现货市场
服务
提供电机的输出反电势波形测试、驱动芯片输入/输出波形测试服务，帮助您根据具体应用场景来选择适合的电机驱动芯片型号，确保电机驱动芯片能够与其他系统组件协同工作达到最佳效果。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 成都 提交需求>
世强深圳实验室提供Robei EDA软件免费使用服务，与VCS、NC-Verilog、Modelsim等EDA工具无缝衔接，将IC设计高度抽象化，并精简到三个基本元素:模块、引脚、连接线，自动生成代码。点击预约，支持到场/视频直播使用，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论