【应用】国产GaN MOSFET搭配驱动+同步整流芯片实现大功率密度65W PD快充，效率可达90%以上

时间： 2022-05-31 来源：世强

某客户要设计一款高效、大功率密度的65W PD快充。传统的PD快充通常采用Si MOS作为主开关器件，开关频率比较低，从未导致相应的磁性元件体积较大，整机功率密度和效率较低。本文重点介绍使用英诺赛科的INN650D150A GaN MOSFET作为主开关管，搭配必易微的驱动芯片+同步整流芯片：KP2206SSGA+KP4060LGA，效率可达90%以上。

英诺赛科的INN650D150A，主要参数规格：

1、高工作电压，适用于220VAC输入，内阻小损耗低；

2、工作温度高，可达-55℃~150℃；

3、超小封装DFN 8mmx8mm, 大幅减小了PCB占板面积。

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