【应用】适用于DC~4G的超宽频段的低插损射频开关助力智能手机语言更清晰
【摘要】智能手机支持如此多频段和工作模式的关键元件之一的射频(RF)开关,一般最简单的是单刀双掷开关。UMS的CHS5105-QAG适用于DC~4G的超宽频段的应用,覆盖了所有手机可能用到的频段,且采用单刀双掷的设计方式,提高手机应用的灵活性。
智能手机代表了个人通信最前沿、也最具挑战性的射频产品设计。随着智能手机版本的演进和WCDMA与3GPP长期演进(LTE)标准的采纳,其工作频段可能增加到10个或11个。在小型设备中能支持如此多频段和工作模式的关键元件之一是射频(RF)开关,这种开关在智能手机的整个前端电路中有多种使用方式。一般最简单的开关模式是单刀双掷开关,其主体结构如图1所示。
图1:单刀双掷开关电路主体结构
UMS推出的的射频开关CHS5105-QAG适用于DC~4G的超宽频段的应用,采用单刀双掷的设计方式,提高应用的灵活性。其频段覆盖了从频率低端band31的450MHz到band43的3800MHz所有手机可能用到的频段。由于该开关的输入信号1db压缩点大于27dbm,因此在不同的信号电平下能提供优越的线性性能。减少信号失真,使语音更真实清晰。
另外,开关在1Ghz频段下具有0.3db的低插损,即使在2Ghz频段下其插损的典型值仍然只有0.3db。跟COMS技术不同,砷化镓的工艺在插损上能做的更好。因此对于PA功率的衰减也更小,换句话说就是在同等情况下,手机信号更强,更稳定。
CHS5105-QAG RF射频开关使用UMS的砷化镓技术制造,在内部采用了多个FET,其开关时间的典型值只有10ns,因此在不同的通道间可以快速切换。降低了延时,从而手机连接到网络即上网速度也会变快。在2G以下,隔离度的典型值为45dB,优于其他工艺的开关,提供通道隔离度的同时降低不同信道的干扰。其内部结构如图所示:
图2:CHS5105-QAG RF射频开关内部结构图
总体来说,CHS5105-QAG具备低插损、端口与端口之间高隔离度、低谐波产生、能应用于DC-4Ghz频段、小封装、铅和卤素封装等方面的优势。除了本文介绍的手机射频电路外,还适用于天线开关调谐电路等多频段、低插损的应用中。
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UMS 射频开关选型表
UMS 射频开关选型:RF Bandwidth (GHz)min:6-23,RF Bandwidth (GHz)max:4-26,Loss(dB):0.5-2.9,P-1dB IN(dBm):20-42.
产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)min
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RF Bandwidth (GHz)max
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Loss(dB)
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Isolation(dB)
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Type
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CHS2412-QDG/20
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射频开关
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23
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26
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2.9
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35
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Reflective
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品牌:UMS
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现货: 0
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服务
支持 3Hz ~ 26.5GHz射频信号中心频率测试;9kHz ~ 3GHz频率范围内Wi-SUN、lora、zigbee、ble和Sub-G 灵敏度测量与测试,天线阻抗测量与匹配电路调试服务。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
可加工PCB板层数:1~30层,板材类型:单双面板/多层板/HDI盲埋孔板/高频高速板/微波射频天线板/高精度阻抗板/厚铜板/微波FR4/耐腐蚀光模块PCB等,成品尺寸:5*5cm~58*70cm; 板厚0.2~6mm。
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