【应用】适用于DC~4G的超宽频段的低插损射频开关助力智能手机语言更清晰

2019-07-29 世强
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【摘要】智能手机支持如此多频段和工作模式的关键元件之一的射频(RF)开关,一般最简单的是单刀双掷开关UMSCHS5105-QAG适用于DC~4G的超宽频段的应用,覆盖了所有手机可能用到的频段,且采用单刀双掷的设计方式,提高手机应用的灵活性。


智能手机代表了个人通信最前沿、也最具挑战性的射频产品设计。随着智能手机版本的演进和WCDMA与3GPP长期演进(LTE)标准的采纳,其工作频段可能增加到10个或11个。在小型设备中能支持如此多频段和工作模式的关键元件之一是射频(RF)开关,这种开关在智能手机的整个前端电路中有多种使用方式。一般最简单的开关模式是单刀双掷开关,其主体结构如图1所示。


图1:单刀双掷开关电路主体结构


UMS推出的的射频开关CHS5105-QAG适用于DC~4G的超宽频段的应用,采用单刀双掷的设计方式,提高应用的灵活性。其频段覆盖了从频率低端band31的450MHz到band43的3800MHz所有手机可能用到的频段。由于该开关的输入信号1db压缩点大于27dbm,因此在不同的信号电平下能提供优越的线性性能。减少信号失真,使语音更真实清晰。


另外,开关在1Ghz频段下具有0.3db的低插损,即使在2Ghz频段下其插损的典型值仍然只有0.3db。跟COMS技术不同,砷化镓的工艺在插损上能做的更好。因此对于PA功率的衰减也更小,换句话说就是在同等情况下,手机信号更强,更稳定。


CHS5105-QAG RF射频开关使用UMS的砷化镓技术制造,在内部采用了多个FET,其开关时间的典型值只有10ns,因此在不同的通道间可以快速切换。降低了延时,从而手机连接到网络即上网速度也会变快。在2G以下,隔离度的典型值为45dB,优于其他工艺的开关,提供通道隔离度的同时降低不同信道的干扰。其内部结构如图所示:


图2:CHS5105-QAG RF射频开关内部结构图


总体来说,CHS5105-QAG具备低插损、端口与端口之间高隔离度、低谐波产生、能应用于DC-4Ghz频段、小封装、铅和卤素封装等方面的优势。除了本文介绍的手机射频电路外,还适用于天线开关调谐电路等多频段、低插损的应用中。

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选型指南  -  UMS  - 2024/5/21 PDF 英文 下载

UMS 射频开关选型表

UMS 射频开关选型:RF Bandwidth (GHz)min:6-23,RF Bandwidth (GHz)max:4-26,Loss(dB):0.5-2.9,P-1dB IN(dBm):20-42.

产品型号
品类
Type
Loss(dB)
RF Bandwidth (GHz)min
RF Bandwidth (GHz)max
Isolation(dB)
CHS2412-QDG/20
射频开关
Reflective
2.9
23
26
35

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