【产品】工作频率34~40GHz的GaAs TR芯片RWC211/M,发射饱和输出功率21dBm

2023-01-30 瑞迪威
GaAs TR芯片,RWC211,RWC211M,瑞迪威 GaAs TR芯片,RWC211,RWC211M,瑞迪威 GaAs TR芯片,RWC211,RWC211M,瑞迪威 GaAs TR芯片,RWC211,RWC211M,瑞迪威

瑞迪威推出的RWC211RWC211M是一款GaAs TR芯片。芯片由发射放大器、接收低噪放、收发切换开关和极化切换开关组成,其工作频率覆盖34~40GHz。发射通道可提供18dB的增益,接收通道可提供20dB的增益,发射通道可提供21dBm的饱和输出功率,接收通道噪声系数小于5.5dB。RWC211M与RWC211是镜像关系,性能参数和外形尺寸完全一样。


性能参数

频率范围:34~40GHz

发射饱和输出功率:21dBm

接收噪声系数:4.7dB~5.5dB

发射增益(@37GHz):19dB Typical

接收增益(@37GHz):20dB Typical

发射供电:6V@150mA

接收供电:2.5V@62mA

芯片尺寸:2.3mm×1.35 mm×0.1mm


发射电参数(TA=+25℃,S_T&S_V=-5V,S_R&S_H=0V,VD_T=6V,Id=150mA,VD_R=0VVG_T&VG_R=-0.6V)


接收电参数(AT=+25℃,S_R&S_H=-5V,VD_R=2.5V,Id=62mA,VG_R&VG_T=-0.6V,S_T&S_V=0V,VD_T=0)



功能框图

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产品型号
品类
封装形式(Package)
工作频率(GHz)
Tx增益(dB)
Tx Psat(dBm)
Rx增益(dB)
Rx NF(dB)
移相位数
衰减位数
工艺
通道数
RWC441
X频段多功能TR芯片
Die 4.72mm×5.15mm ×0.2mm
8~12
5.8
6
4
9
6
6
Si
4

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