【产品】N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 RM2304E，采用高单元密度DMOS沟槽技术
丽正国际推出的RM2304E是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟槽技术。这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻，特别适用于低电压应用，例如手机和笔记本电脑电源管理以及其他电池供电的电路，在这些应用中，表面贴装封装外形小，在线功率损耗较低。在环境温度为25°C时，RM2304E可以承受的漏源电压最大额定值为30V，栅源电压最大额定值为±12V，可以承受的漏极连续电流最大额定值为3.8A，工作结温范围为-55 ~150℃，结到环境的热阻为90℃/W。RM2304E采用SOT-23封装，其引脚分布如图1所示。
图1 RM2304E引脚分布
RM2304E产品特性
·RDS（ON）≤60mΩ@ VGS = 10V
·RDS（ON）≤70mΩ@VGS=4.5V
·RDS（ON）≤100mΩ@VGS=2.5V
·ESD保护
·超高密度单元设计，可实现极低的RDS（ON）
·出色的导通电阻和最大化直流电流能力
RM2304E应用领域
·笔记本电脑的电源管理
·便携式设备
·负载开关
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