【产品】N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 RM2304E，采用高单元密度DMOS沟槽技术
丽正国际推出的RM2304E是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟槽技术。这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻，特别适用于低电压应用，例如手机和笔记本电脑电源管理以及其他电池供电的电路，在这些应用中，表面贴装封装外形小，在线功率损耗较低。在环境温度为25°C时，RM2304E可以承受的漏源电压最大额定值为30V，栅源电压最大额定值为±12V，可以承受的漏极连续电流最大额定值为3.8A，工作结温范围为-55 ~150℃，结到环境的热阻为90℃/W。RM2304E采用SOT-23封装，其引脚分布如图1所示。
图1 RM2304E引脚分布
RM2304E产品特性
·RDS（ON）≤60mΩ@ VGS = 10V
·RDS（ON）≤70mΩ@VGS=4.5V
·RDS（ON）≤100mΩ@VGS=2.5V
·ESD保护
·超高密度单元设计，可实现极低的RDS（ON）
·出色的导通电阻和最大化直流电流能力
RM2304E应用领域
·笔记本电脑的电源管理
·便携式设备
·负载开关
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由cucumber翻译自丽正国际，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
SL2308 60V N沟道增强型MOSFET
描述- 该资料介绍了SL2308型N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）的技术规格和应用。SL2308采用高密度先进槽技术制造，适用于低电压应用，具有极低的导通电阻和优异的直流电流能力。其特点是超高性能设计以实现极低的RDS(ON)，并符合RoHS标准。资料还提供了绝对最大额定值、热数据、电气特性、典型特性和封装尺寸。
型号- SL2308
HM3400KR N沟道30V（D-S）MOSFET
描述- 本资料介绍了N-Channel 30V (D-S) MOSFET，即HM3400KR，这是一种采用高密度DMOS沟槽技术的N-Channel逻辑增强型功率场效应晶体管。该产品具有低导通电阻、高密度设计、良好的电性能和可靠性，适用于笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统等。
型号- HM3400KR
HM2302DR N沟道20V（D-S）MOSFET
描述- FMW1504S是一款N-Channel逻辑增强型功率芯片，采用高密度DMOS沟槽技术，具有超低RDS(ON)和优异的导通电阻及最大直流电流能力。该芯片适用于笔记本、便携式设备和电池供电系统等应用。
型号- HM2302DR
【产品】N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管AM4812，采用高单元密度制造，适用于低电压应用
AiT推出的AM4812是一颗N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度制造。先进的沟槽技术可提供卓越的RDS(ON)。AM4812采用高密度工艺是特别为最小化通态电阻而定制的。AM4812系列特别适用于低电压应用，低导通功率损耗更是小外形表面贴装封装产品所需求的。
【产品】采用SOT-23表贴封装的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管RC2310A，漏-源电压60V
正芯推出的RC2310A是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS沟槽技术。这种高密度工艺专为最小化通态电阻而特别定制。这些器件特别适合低电压应用，如移动电话和笔记本电脑的电源管理以及其他电池供电电路。
SL2314 20V N沟道增强型MOSFET
描述- 该资料介绍了SL2314型N沟道增强模式MOSFET的特性、电气参数和应用领域。SL2314采用高密度先进沟槽技术制造，具有低导通电阻和高电流能力，适用于低压应用和小型表面贴装封装。
型号- SL2314
【产品】SLKOR推出的N沟道增强型场效应晶体管2N7002KT，漏源电压高达60V，可用于电源开关等
SLKOR推出的N沟道增强型场效应晶体管2N7002KT，采用沟槽功率LV MOSFET技术，具有高功率和电流处理能力。TA=25℃时，绝对最大额定值方面，漏源电压VDS为60V，漏极电流ID为100mA，该产品可用于负载/电源开关，接口开关，逻辑电平转换等应用。
SK90N03 N沟道30V（D-S）MOSFET，ESD保护
描述- 该资料介绍了SK90N03型N通道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）的技术规格和应用。它采用高密度DMOS沟槽技术制造，具有极低的导通电阻和优异的直流电流能力。适用于笔记本电脑电源管理、便携式设备、负载开关等领域。
型号- SK90N03
SPN125T06 N沟道增强型MOSFET
描述- 该资料详细介绍了SPN125T06型N沟道增强型MOSFET的特性和应用。该MOSFET采用超高密度DMOS沟槽技术制造，适用于AC/DC同步整流、负载开关、UPS、电机控制和电源工具等应用。其主要特点包括低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度。
型号- SPN125T06T252RGB,SPN125T06T262RGB,SPN125T06T220FTGB,SPN125T06,SPN125T06ST251TGB,SPN125T06T220TGB,SPN125T06DN8RGB
SPN125T06 N沟道增强型MOSFET数据表
描述- SPN125T06是一款采用超高密度DMOS沟槽技术的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。该产品特别适用于同步整流、电机控制、UPS和电源工具等电路。它具有低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度的特点。
型号- SPN125T06T252RGB,SPN125T06T262RGB,SPN125T06T220FTGB,SPN125T06,SPN125T06ST251TGB,SPN125T06T220TGB,SPN125T06DN8RGB
SPP8813 N沟道增强型MOSFET
描述- SPP8813是一款采用超高密度DMOS沟槽技术的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，专为提高使用同步或传统PWM控制器进行DC/DC转换的整体效率而设计。该产品具有低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度的特点。
型号- SPP8813DN8RGB,SPP8813
SPN09T10 N沟道增强型MOSFET
描述- SPN09T10是一款采用超高细胞密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强型功率场效应晶体管。该产品专为提高使用同步或传统PWM控制器进行DC/DC转换的整体效率而设计，具有低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度的特点。
型号- SPN09T10,SPN09T10T251TGB,SPN09T10T263TGB,SPN09T10T252RG,SPN09T10T263RGB,SPN09T10T252RGB,SPN09T10T251RGB
SPN3006 N沟道增强型MOSFET
描述- 该资料详细介绍了SPN3006型N沟道增强型MOSFET的特性和应用。该MOSFET采用高密度DMOS沟槽技术制造，专为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，适用于高频同步降压转换器、DC/DC电源系统和负载开关等应用。
型号- SPN3006T252RGB,SPN3006ST251TGB,SPN3006
SPN70T10 N沟道增强型MOSFET数据表
描述- 该资料详细介绍了SPN70T10型N通道增强型MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该MOSFET采用高密度DMOS沟槽技术制造，适用于同步整流、电机控制、DC/DC转换器等应用，具有低导通电阻、低栅极电荷和快速开关速度等特点。
型号- SPN70T10T220TGB,SPN70T10DN8RGB,SPN70T10,SPN70T10T220FTGB,SPN70T10T252RGB,SPN70T10ST251TGB
SPN3406 N沟道增强型MOSFET数据表
描述- SPN3406是一款N-Channel逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高密度DMOS沟槽技术制造，特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑等便携式设备。该产品具有超低导通电阻、高密度细胞设计和优异的导通电阻及最大直流电流能力，封装为SOT-23-3L。
型号- SPN3406,SPN3406S23RGB,SPN3406S23RG
电子商城
品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
服务
可定制VC厚度最薄0.25±0.03mm，Qmax 650W，0.4mmVC可设计最大散热面积6000 mm2，铜VC可采用复合毛细结构：蚀刻+铜粉烧结。
最小起订量： 10000 提交需求>
可定制共模扼流圈、DIP功率扼流圈、大电流扼流圈、环形扼流圈/线圈等产品，耐温范围-40℃~125℃，电感量最高1200mH。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论