【产品】采用TO-252塑料封装的N沟道MOSFET器件LDD0956，最大漏源电压额定值100V
鲁晶推出的N沟道MOSFET器件LDD0956采用TO-252塑料封装，在25℃环境温度下，其漏源电压的最大额定值为100V，栅源电压的最大额定值为±20V，连续漏极电流的最大额定值为12A（Tc=25℃），工作结温范围为-50℃~+150℃；产品可应用于负载切换和LED等应用。
产品特征
100V，12A，RDS（ON）=115mΩ@VGS=10V
改进的dv/dt能力
快速切换
100%EAS保证
绿色环保器件
产品应用
网络
负载切换
LED应用
最大额定值和特性
25℃环境温度，除非另外说明
热特性
关断特性
导通特性
动态和开关特性
漏源二极管特性和最大额定值
注意：
1、重复额定值：脉冲宽度受最高结温度限制
2、VDD=25V，VGS=10V，L=0.1mH，IAS=11A，RG=25Ω，TJ=25℃开始
3、脉冲测试数据，脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4、基本上与工作温度无关
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鲁晶MOS管选型表
鲁晶提供以下参数的MOS管选型,高压MOS管参数如Iᴅ(A):-1.25~120,IFSM(A):30~500;低压MOS管参数如Vᴅs(V):600~800,Pᴛᴏᴛ(W):0.625~147,两种MOS管都包含多种不同的封装形式,如SOT-23,PPAK5X6,SOT-323和SOT-89等
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产品型号
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品类
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PIN ARRAY
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Pᴅ(W)
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Iᴅ(A)
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V(ʙʀ) ᴅss(V)
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Rᴅs(ᴏɴ)(max)(Ω)
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VGS(th)(V)
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Case Style
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MLS2308A
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低压MOS管
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GSD
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1.2
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3
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60
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<0.1
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1.0~2.0
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SOT-23
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选型表 - 鲁晶 立即选型
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