【产品】全封闭式数字电源管理器，效率高达90%
RENESAS的子公司Intersil近期推出的ZL9101M数字电源管理器，荣获中国电子成就奖（ACE）之功率器件/电压转换器产品奖。该奖项旨在授予给工程师带来很大设计优势，并在中国大陆塑造创新电子架构的技术和产品。通过中国设计工程师的票选，Intersil的ZL9101M （业内首款全封闭式数字电源模块）获得了“功率器件/电压转换器”类别的最高荣誉。
图1 ZL9101M示意图
ZL9101M是一款符合PMBus标准的12A可变输出步降数字电源。该电源模块内包含一个高性能数字PWM控制器、多个功率MOSFET、一个电感，以及实现完整、高集成度、使用简单的直流/直流（DC/DC）电源解决方案所需的所有无源元件。它具有内建的自动补偿算法，该算法消除了对手动补偿设计工作的需要，同时还提供了大于90%的效率和快速的瞬间响应。
Intersil首席执行官Dave Bell表示：“Intersil是一个为设计和创新提供舞台的环境。我们非常荣幸我们的模块能够获此殊荣，因为它体现了我们对提供最佳技术的承诺。”
更多的关于ZL9101M的产品信息，请参考世强官网提供的数据手册：
https://www.sekorm.com/doc/99822.html
关于Intersil
Intersil（Renesas的子公司）是高性能模拟、混合信号与电源管理半导体设计与制造领域的领导者。公司的产品主要应用于增长最快的市场，涉及通信、计算、高端消费及工业电子领域。
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型号- 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目录- Company Profile Nomenclature of MOSFETs Automotive-grade MOSFETs Industrial-grade MOSFETs High-voltage MOSFETs APPLICATIONS OF AUTO-GRADE POWER SEMICONDUCTORS LEADING MOSFET PRODUCT INTRODUCTION MOSFET SYSTEM CERTIFICATION MOSFET PACKING INFORMATION
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锁定E6馆6616：科或电子即将亮相慕尼黑电子展，全面展示汽车、通信、消费电子等领域核心产品
KOHER科或电子热烈邀请您参加即将于2024年7月8日至7月10日在上海新国际博览中心举行的慕尼上海黑电子展。科或电子将全面展示公司的核心产品，包括信号线磁珠、功率线磁珠、磁胶电感和共模电感等。这些产品广泛应用于汽车、通信、消费电子等领域，具有高可靠性和优异的性能，能够满足各种复杂应用场景的需求。
原厂动态 发布时间 : 2024-07-03
【经验】如何计算和设计贴片型功率MOSFET的PCB铺铜散热，防止MOSFET过热损坏？
很多情况下都选用贴片型MOSFET来设计小功率开关电源电路。但是在开关电源功率和电流升高或者环境温度升高时，MOSFET会发热严重，严重者会造成MOSFET热损坏，本文以新电元（SHINDENGEN）公司推出的一款针对工业化应用的N沟道MOSFET管P8B30HP2为例，介绍怎么计算和设计PCB的铺铜面积，给MOSFET运行时散热，实现对其的过热保护。
设计经验 发布时间 : 2018-08-16
布局汽车市场，片式电感龙头顺络电子推出车规级功率电感/EMC元件/变压器等产品
国内最大的电感生产厂家顺络电子，推出多款符合AEC-Q200标准的电感、EMC元件、变压器、无线充电线圈产品，广泛运用于通讯、消费类电子、计算机、汽车电子、新能源、网通和工业电子等领域。
公司动态 发布时间 : 2023-01-13
工字电感电流计算方法
关于工字电感的计算方法每个电感厂家都会有所不相同，但是其结果必定是大致相同的。那么对于工字电感电流有效计算方法是什么样的呢？下面跟大家分享一下关于工字电感的电流量计算方法，希望大家对大家有助于更了解工字电感。
设计经验 发布时间 : 2024-05-29
【经验】可背面散热的封装MOSFET热阻和容许损耗的计算方式，掌握环境温度、MOSFET的功率损耗以及RthJA值
本文介绍可背面散热的MOSFET封装和其热阻和容许损耗之间的关系，通过ROHM的产品封装如：TO-220FM和TO-247等可带散热器的封装、TO-252和TO-263等可将背面引脚安装在电路板上的封装举例，讲解MOSFET热阻和容许损耗的计算。
设计经验 发布时间 : 2020-06-17
【应用】网络串口透传芯片CH9121用在机箱数字电源中实现以太网通信控制，集成10M/100M以太网口
采用网络串口透传芯片CH9121是机箱数字电源实现以太网通信控制的非常合适的选择。此外，CH9121采用尺寸为10x10mm的LQFP64M小尺寸封装，外加内置变压器的RJ45连接器，能够大幅度减少对PCB面积的占用。厂家在技术、供应、价格支持方面均有不错表现。
应用方案 发布时间 : 2023-06-30
SiC MOSFET损耗计算方法：通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
本文ROHM将介绍根据在上一篇文章（《SiC MOSFET损耗计算方法：开关波形的测量方法》）中测得的开关波形，使用线性近似法来计算功率损耗的方法。
技术探讨 发布时间 : 2024-05-25
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