【经验】采用隔离驱动器+MOSFET替换传统SSR的电源优化方案
目前在电源行业里很多地方采用固态继电器来做开关的作用,这是比较传统的作用,但是继电器在长期的快关状态下,会出现拉弧,可靠性保障等问题。Silicon Lbs推出的SI875X隔离驱动器加MOSFET的方案来替代传统的设计,Si875x无需使用庞大的机械继电器,这些继电器可能难以组装到PCB上并向系统添加开关噪声。
此外,随着顾客选择他们自己的灵活的FET开关,设计可以完全针对应用进行优化功率,成本和性能要求。传统的SSR也集成了光耦合器型号LED输入限制了解决方案的工作温度范围,但Si875x,与其输入二极管仿真器或数字输入控制,没有这种限制,可以支持全面的工业和汽车温度范围,稳定性更高,寿命更长。
图1所示为SI8751的引脚示意图,其中VDD-GND的供电电源为2.25V-5.5V,典型值为3.3V,IN引脚为输入信号;TT引脚可以用来控制外部输出开通速度,当输入引脚为逻辑高电平时,Si8751提供一个引脚来控制电源消耗的电流,由输入电源消耗,输出可以打开外部FET的速度越快。
图1 Si8751引脚
该引脚通过电阻连接到电源地。电阻值越大,由输入供应的消耗的电流越小。数值可以从0Ω(短路到地)到打开(TT未连接)。除了电阻器之外,一个典型值为0.1μf的电容器可以与电阻器并联放置。 这允许器件在稳定状态下汲取更多电流来快速切换外部FET,但吸取更少的电源电流。在保持FET快速开关的同时,降低总功耗。具体可以参考如下:图2可以看到电阻越大,对应的供电电流越小,图3代表不同的阻抗下开关速度不一样;作为设计者可以依据实际开关速度来选择TT到GND之间的阻值。
图2 TT串接电阻与VDD电流关系
图3 导通时间与100pF负载(90%输出)时的温度和TT有关
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测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
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