【产品】800V超级结功率MOSFET TPA80R250A/TPP80R250A/TPW80R250A

时间： 2019-10-18 来源：无锡紫光微电子

代理服务

技术支持

批量订货

超级结功率MOSFET,TPA80R250A,TPP80R250A,TPW80R250A

超结功率MOSFET是根据SJ原理设计的高压功率MOSFET的革命性技术。 SJ MOSFET是由无锡Unigroup Microelectronics公司设计的，性能优化的产品，能够满足消费和照明市场中对成本敏感的应用。无锡紫光微推出的TPA80R250A,TPP80R250A,TPW80R250A是3款800V超级结功率MOSFET，分别采用了TO-220F, TO-220和TO-247封装。产品符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

产品特点：

•极低FOM RDS(on) x Qg

•100%雪崩测试

•符合RoHS标准

产品应用：

•开关模式电源(SMPS)

•不间断电源(UPS)

•功率因数校正(PFC)

器件的的封装和内部电路：

器件的工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，可以在严苛的温度环境下工作。漏源电压最大额定值为800V，栅源电压最大额定值为±30V，脉冲漏极电流最大额定值为54A，重复雪崩能量最大额定值为0.5mJ。连续漏极电流在25℃时最大额定值为18A，在100℃时最大额定值为10.8A。单脉冲雪崩能量最大额定值为280mJ，雪崩电流最大额定值为7.5A，具有较好的抗浪涌性。TPA80R250A型的功耗最大额定值为34W，其余2款的功耗最大额定值均为240W。

器件标记和封装信息：

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 2
| 转发至：

本文由小童翻译自无锡紫光微电子，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（2）

若尘 Lv6. 高级专家 2019-10-19

学习
用户84786367 Lv8. 研究员 2019-10-19

学习

没有更多评论了

【产品】650V超结功率MOSFET TPW65R044MFD ，漏源导通电阻最大值仅0.044Ω

无锡紫光微推出的 TPW65R044MFD 是一款650V超级结功率MOSFET，其采采用TO-247封装，漏源电压最大额定值高达650V，可以适用高电压高功率情况，漏源导通电阻最大值仅为0.044欧姆，连续漏极电流在25℃情况下最大额定值为72A，标准总栅极电荷典型值为165nC，脉冲漏极电流最大额定值为216A。

2019-11-21 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】采用TO-247封装的650V超级结功率MOSFET TPW65R170M

无锡紫光微推出的TPW65R170M是一款650V超级结功率MOSFET，采用了TO-247封装。产品符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

2019-11-20 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】650V超级结功率MOSFET TPP65R190MFD，采用TO-220封装

无锡紫光微推出的TPP65R190MFD是一款650V超级结功率MOSFET，采用了TO-220封装。产品符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

2019-11-11 - 新产品代理服务技术支持批量订货

无锡紫光微MOS选型表

无锡紫光微SJ-MOS,Multi-EPI SJ MOS,Trench MOS,DT MOS产品可供选型

产品型号	品类	Package	BVdss(V)	ID(A)Tc=25℃	Vth(V)min	Vth(V)max	Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp	Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
TPW50R060C	Super Junction MOSFET	TO-247	500	47	2.5	4	0.043	0.06

选型表 - 无锡紫光微立即选型

无锡紫光微SJ-MOSFET管选型表

无锡紫光微提供SJ-MOSFET管的参数选型，Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ：15.6~2000，Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max：18~2200。

产品型号	品类	Product State	封装形式	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max	BVdss（V） min	BVdss（V） typ	ID（A）	Vth（V）min	Vth（V）max	应用建议
TPW120R800A	SJ-MOSFET	M	TO-247	640	800	1200	1320	12	2.5	4	辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源

选型表 - 无锡紫光微立即选型

【选型】可替换东微OSG65R099HZF的超级结功率MOSFET，应用于通信电源，反向恢复时间trr更低

随着5G通信的普及，通信电源在满足高效率、高功率密度以及高可靠性的同时，也趋向于低成本化，目前了解到通信电源上有用到国产东微半导体高压超级结MOS管OSG65R099HZF ，本文主要介绍国产紫光微的超级结功率MOSFET TPW65R100MFD可完美替换东微OSG65R099HZF，两者主要参数对比如表一：

2021-02-08 - 器件选型代理服务技术支持批量订货