【产品】35V/4A的单通道高速智能驱动器IVCR1401，集成负压偏置、可高效安全驱动SiC MOSFET和IGBT

时间： 2020-07-12 来源：瞻芯电子

技术问答

上海瞻芯电子的IVCR1401是一款35V/4A单通道高速智能驱动器，能够高效、安全地驱动SiC MOSFET和IGBT。带有负压的驱动可以在高dv/dt下，提高抗米勒效应的噪声抑制能力。退饱和检测可提供有效的短路保护，并降低电源设备和系统元件损坏的风险。内置固定的200ns消隐时间，以防止因开关沿电流尖峰和噪声而过早被触发过流保护。可调节的正栅极驱动电压UVLO保护和固定的负偏置UVLO保护可确保可靠的栅极工作电压。当发生UVLO或过电流时，故障信号/FAULT 变低电平并向系统发出警报。具有可选的热焊盘，低传播延迟和失配的驱动，使SiC MOSFET能够以数百kHz的频率开关。集成的负压生成和5V参考输出可最大程度地减少外部组件数量。它是工业界首款采用8引脚封装，集成负压驱动、退饱和及可调节UVLO的SiC MOSFET和IGBT驱动器。

图1 典型应用与引脚分布

特性

4A峰值拉、灌电流

高达35V VCC宽范围供电

内部集成3.5V负压偏置

低侧栅极驱动，也适用于自举高侧栅极驱动

可调正栅极驱动电压 UVLO 和固定负栅极驱动电压UVLO

退饱和短路保护，带内部消隐时间

UVLO或OCP/FAULT故障报警输出

5V/10mA供电输出，供如数字隔离器等

TTL 和CMOS兼容输入

SOIC-8，带可选热焊盘，用于高频和高功率场合

内置去干扰滤波器，低传播延迟，典型 45ns 延迟

应用

EV车载充电器

EV/HEV逆变及充电站

PV升压及逆变器

UPS

AC/DC及DC/DC变换器

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