【产品】600V N沟道超级结MOSFET PJMF900N60EC，最大漏源导通电阻为900mΩ

时间： 2022-04-14 来源：PANJIT

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强茂（PANJIT）推出一款采用ITO-220AB-F封装的N沟道超级结MOSFET—PJMF900N60EC，在T_A=25℃的条件下，其漏源电压为600V，连续漏极电流为5A（T_C=25℃），最大漏源导通电阻为900mΩ（V_GS=10V, I_D=2.3A）。它具有高开关速度和低导通电阻、100%雪崩测试、100%Rg测试等特点，适用于LED电源，充电器适配器。

产品外观和示意图

特点：

漏源导通电阻R_DS(ON) 最大值为900mΩ（V_GS=10V）

易于使用和驱动

高开关速度，低导通电阻R_DS(ON)

100%雪崩测试

100%Rg测试

无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准

绿色环保塑封，符合IEC 61249标准

机械数据：

外壳：ITO-220AB-F封装

端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）

重量约为：0.068 盎司，2克

应用：

LED电源，充电器适配器

最大额定参数(T_A=25℃，除非特别说明)：

热特性：

电气特性（T_A=25℃，除非特别说明）：

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拾一 Lv7. 资深专家 2022-04-15

了解
江淼淼 Lv4. 资深工程师 2022-04-15

学习了

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Super Junction MOSFET

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