【经验】隔离栅极驱动器Si826x的输入及输出电路设计要点
Si826x是SILICON LABS(芯科科技)推出的插入式且引脚兼容的隔离栅极驱动器,是光电耦合栅极驱动器的升级产品。与光电耦合栅极驱动器相比,Si826x具有更长的使用寿命以及更高的可靠性,非常适用于驱动各种转换器和电机控制应用中的功率MOSFET和IGBT。
Si826x隔离栅极驱动器采用了Silicon Labs专有的芯片隔离技术,具有更高的性能、更低的由温度和老化引起的性能变异、更紧密的零件匹配度以及出色的共模抑制性能(>50 kV/μs)。Si826x的输入电路模拟LED(发光二极管)的特性,降低了对驱动电流的要求,从而提高了效率。本文主要讨论Si826x的输入及输出电路的设计要点。
一、输入电路
图1和图2是典型的Si826x输入电路,是专为提高光耦输入共模抑制和噪声性能而设计的。在图1中,当控制输入为高电平时,LED就会打开。若LED的阳极和阴极受到高共模瞬态干扰,从LED到电源和接地导体之间的内部电容耦合可能会使LED瞬间进入关闭状态。在图2中,使用一个阻值足够小的电阻R1,为LED提供过驱动,从而确保在发生共模瞬态事件时LED能够保持打开状态。在低输出状态下,Q1将LED短路,进一步提高了共模瞬态抑制。
图1 Si826x输入电路
图2 具有高CMR(共模抑制比)的Si826x输入电路
与光耦驱动器相比,Si826x隔离栅极驱动器的输入电路需要的电流更小,并且关闭状态下的噪声容限提高了一倍。在图2中,为了将输入电流(IF)限制在其最大额定值内,可能需要提高R1的阻值。此外,在关闭状态下,无需将Si826x的输入二极管进行反向偏置。若进行反向偏置,为保证Si826x的阳极对阴极的参考电压不超过-0.3V,应不填充负偏压电路或修改电路(例如增加一个箝位二极管或限流电阻)。
图3所示的三种Si826x输入电路,效率要高于图1和图2所示的电路。其中S1和S2代表任意合适的开关,比如BJT、MOSFET、模拟传输门、处理器的I/O等。如图3中的C图所示,Si826x的输入可以是任何MCU或者能够提供不低于6mA电流的FPGA(现场可编程门阵列)的I/O接口。此外,输入电流IF的值(处于IF(MIN)和IF(MAX)之间)不会显著影响Si826x的传播延迟和输出驱动。
图3 三种新的Si826x输入电路
二、输出电路
Si826x的GND引脚可以高于地,也可以低于地,只要VDD引脚对GND引脚的参考电压达到最大值(30V)就行。VDD的去耦电容应尽可能地靠近封装引脚放置,这些电容的最佳取值范围由负载电流以及芯片与电源间的距离决定。建议使用0.1μF和10μF的旁路电容来降低高频噪声和提高性能。
在设计Si826x的连接电路时,最重要的是减小驱动路径上的振铃和VDD线路上的噪声,必须尽可能使Si826x的位置靠近被驱动的器件,以减小寄生电感,VDD的电源线和接地线必须要短。分离接地系统为功率器件提供了独立的接地和VDD平面,以及小信号组件,提供了最佳的整体噪声性能。
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