【经验】隔离栅极驱动器Si826x的输入及输出电路设计要点

罗姆隔离型反激式转换器IC评估板试用：输出电压测试

BD7F205EFJ-C是一款隔离型反激式转换器，输入电压范围3.4V～42V，开关频率363kHz。该IC最大特色就是去掉了在隔离型反激式转换器中使用光耦反馈功能了。另外，该产品还通过采用ROHM自有的自适应导通时间控制技术，实现了高速负载响应。经过测试，该产品能很好的在宽电压范围内正常工作，输出电压非常稳定，与预期输出一致。这款产品非常适用于为了安全性而需要与电源隔离供电的栅极驱动器应用。

【成功案例】采用隔离栅极驱动器SI8273成功设计同步BUCK数字电源，减少使用元件

本文介绍了一种采用Silicon Labs SI8273DB隔离栅极驱动器替换采用FAN73711和UCC27512高低侧独立驱动的新设计，此设计已运用于一款48VDC输入0-40VDC、0-10A输出的可调稳压稳流数字电源产品中。

【经验】适用于半桥结构隔离式IGBT栅极驱动的Flybuck电源参考设计

本文中必易微主要介绍适用于半桥结构隔离式IGBT栅极驱动的Flybuck电源参考设计。本参考设计通过同步降压转换器KP523308实现，采用Flybuck变换器为IGBT栅极驱动器提供正负电压轨。

应用笔记 | 纳芯微智能隔离驱动NSI6611的半桥应用和双脉冲测试

纳芯微电子推出的智能高压隔离驱动芯片NSI6611，专为电动汽车电机控制器设计，集成了主动米勒钳位、退饱和检测、欠压保护和软关断等功能，帮助客户打造高性能、高可靠性的电机控制器。本文将从两个层面介绍该产品相关信息：第一部分，NSI6611半桥驱动板；第二部分，基于该驱动板的双脉冲测试。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

【应用】英诺赛科氮化镓开关管助力双向AC-DC变换器设计，转换效率达95%

芯仙能源技术推出的这款双向AC-DC变换器具备2000W输出功率，支持整流输出模式和逆变模式，适合用于48V电池系统的储能应用等场合。逆变模块内部采用英诺赛科的氮化镓器件、继电器来自Churod中汇瑞德，线圈电压12V，触点容量50A；通过纳芯微驱动器驱动氮化镓开关管，交流输入和输出保险丝来自华德电子，为WM50系列电力熔断器。

Si8273、Si8274和Si8275隔离式栅极驱动器的高侧/低侧驱动电路和双驱动电路设计

Si827x是Silicon Labs推出的具有高瞬态抗扰性的隔离式栅极驱动器，具有良好共模瞬变抗扰度（200kV/μs）和闩锁抑制能力（400kV/μs），适用于具有快速开关和潜在噪声的电源系统，是驱动隔离MOSFET、IGBT、SiC（碳化硅） FET 和GaN（氮化镓） FET的理想选择。本文介绍Si827x中的Si8273、Si8274和Si8275设计​的高侧/低侧驱动电路和双驱动电路.

【应用】适合SIC MOS管的驱动芯片,驱动能力高达4A

普通的驱动芯片无法满足SIC MOS高频率的开关速度，Silicon Labs推出的隔离栅极驱动器SI8273,最大输出4A的驱动能力，能满足高频率的驱动且损耗非常小。

【选型】如何为SIC MOSFET选择一款理想的隔离驱动芯片？

Silicon labs SI827x隔离栅极驱动器高达4A峰值驱动电流，业界最高的抗扰性能（200kV/μs）和闩锁免疫能力（400kV/μs）。最大60ns传输延迟，非常低的抖动200ps p-p。

芯伯乐提供满足当今电源需求的全系列栅极驱动电源产品，可承受0.5A反向电流，输入逻辑保护低至-10V

电源是电子设备的基础，其中的栅极驱动器是稳定提供设备电源的关键。栅极驱动器是一种功率放大器，它接受来自控制器芯片的低功率输入，并为高功率晶体管（例如IGBT或功率MOSFET）的栅极产生高电流驱动输入。本文将为您介绍芯伯乐品牌的栅极驱动芯片系列产品，栅极驱动电源产品系列的功能特性，电学参数以及应用领域。