【产品】导通电阻最大值90mΩ的双N沟道功率MOSFET QH8KC5，有助于降低各种设备的功耗
QH8KC5作为一款ROHM支持60V耐压的双N沟道功率MOSFET，是为工厂自动化设备等24V输入设备和安装在基站（冷却风扇）上的电机而设计的，QH8KC5具有低导通电阻的特性，最大值为90mΩ（VGS = 10V, ID = 3.0A），其有助于降低各种设备的功耗。
QH8KC5的特性：
低导通电阻
小型表面贴装封装（TSMT8）
无铅电镀，符合RoHS标准
无卤
QH8KC5的应用：
开关
QH8KC5的最大额定值参数（Ta=25℃）：
*1 PW ≤ 10μs, Duty cycle ≤ 1%
*2 L ⋍ 0.1mH, VDD = 30V, RG = 25Ω, Starting Tj = 25℃
*3 安装在陶瓷板上 (30×30×0.8mm)
*4 安装在FR4 (25×25×0.8mm)
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