【产品】超高阈值电压耗尽型功率MOSFET DMZ1015E/DMX1015E，可用于快充、电流源和电压源

时间： 2022-05-27 来源：方舟微

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DMZ1015E/DMX1015E是方舟微（ARK）推出的超高阈值电压耗尽型功率MOSFET，采用ARK专有超高阈值电压技术开发和制造。通过使用亚阈值特性，耗尽型MOSFET可以为负载提供稳定的功率，并且可以在不使用齐纳二极管的情况下由内部钳位保护负载，并且降低了电路损耗。适用于快充、电流源、电压源。

产品外观和示意图

特点：

改进的ESD能力
耗尽型（常开型）
专有的高级平面技术
专有的高级超高阈值电压技术
符合RoHS标准
无卤素

绝对最大额定参数（T_A=25℃，除非另有说明）：

热特性：

主要电气特性（T_A=25℃，除非另有说明）：

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