【产品】低导通电阻的N沟道高级功率MOSFET PTD50N06，具有快速开关，100%雪崩测试

应用笔记 | 纳芯微智能隔离驱动NSI6611的半桥应用和双脉冲测试

纳芯微电子推出的智能高压隔离驱动芯片NSI6611，专为电动汽车电机控制器设计，集成了主动米勒钳位、退饱和检测、欠压保护和软关断等功能，帮助客户打造高性能、高可靠性的电机控制器。本文将从两个层面介绍该产品相关信息：第一部分，NSI6611半桥驱动板；第二部分，基于该驱动板的双脉冲测试。

【产品】采用PDFN5X6-8L封装的N沟道高级功率MOSFET PTN4080，具有低导通电阻、快速开关等特性

金誉半导体集团旗下的迪浦电子是一家专业从事模拟及数模混合集成电路设计的高科技创新企业。其推出采用PDFN5X6-8L封装的N沟道高级功率MOSFET PTN4080，具有低导通电阻，快速开关等特性。在TC=25℃的条件下，其漏源击穿电压为40V。

【产品】采用TO-252封装的N沟道高功率MOSFET PTD4080，漏源击穿电压为40V，栅源电压为±20V

金誉半导体推出的N沟道高级功率MOSFET PTD4080，采用TO-252封装，漏源击穿电压为40V，栅源电压为±20V，连续漏极电流为80A（VGS=10V，TC=25°C），该产品具有低漏源通态电阻、快速开关、100%雪崩测试等特性。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

技术分享 | 功率MOSFET雪崩特性

MOSFET的雪崩主要涉及在特定条件下（如高电压或大电流）‌，‌其内部通过碰撞电离产生更多的电子-空穴对，导致电流急剧增加，对器件的性能造成影响。‌雪崩特性是MOSFET在设计和应用中需要考虑的重要参数，‌因为它直接关系到器件的安全运行和可靠性。‌本文中瑶芯微来为大家介绍功率MOSFET雪崩特性，希望对各位工程师朋友有所帮助。

【产品】汽车级功率MOSFET P140LF4QNK、P105LF4QNK，适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用

P140LF4QNK、P105LF4QNK是ShinDengen推出的沟槽型功率MOSFET，体积小重量轻，符合AEC-Q101标准和ISO/TS16949标准，最大漏-源电压均为40V，最大漏极直流电流分别为140A和105A，适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用。【世强硬创沙龙2019】

WAYON SGT Gen4系列车规MOSFET助力汽车电机控制器

WAYON应用于汽车电子的分立器件包含20-150V各电压平台LV MOS、650V高压超结MOS、1200V SiC MOS/ SiC SBD及各频率段分立IGBT，可大面积覆盖汽车各系统应用。

【应用】导通电阻低至8.5mΩ的功率MOSFET P40F10SN如何适用于地铁屏蔽门150W直流无刷电机逆变设计？

为实现对地铁屏蔽门150W直流无刷电机驱动控制，其逆变单元一般需要至少72V/30A功率MOSFET做逆变，推荐选用Shindengen（新电元）功率MOSFET P40F10SN，FTO-220AG（3pin）封装，规格为100V/40A，低至8.5mΩ典型导通电阻，总栅极电荷Qg典型值仅为92nC，反向传输电容Crss典型值为205pF，可满足市场上大功率快速开关设计需求。

【产品】P_SUB P_EPI工艺高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器AG2104，适用于中小功率电机驱动器

AG2104是AiT推出的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，适用于中小功率电机驱动器以及功率MOSFET或IGBT驱动器的设计应用。