【产品】低导通电阻的N沟道高级功率MOSFET PTD50N06，具有快速开关，100%雪崩测试
金誉半导体集团旗下的迪浦电子是一家专业从事模拟及数模混合集成电路设计的高科技创新企业，其推出的N沟道高级功率MOSFET PTD50N06。采用沟槽工艺技术设计，实现极低的导通电阻，且可以在高结温、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值下工作。这些特点结合，使其成为一种非常高效和可靠的器件，用于电机应用和各种其他应用。
产品外观
特点：
● 低导通电阻
● 快速开关
● 100%雪崩测试
● 重复雪崩允许高达Tjmax
● 无铅，符合RoHS标准
● VDS=60V，ID=50A，RDS(ON)<20mΩ@VGS=10V
绝对最大额定参数（Ta=25℃，除非另有说明）：
电气特性（TC=25℃，除非另有说明）：
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型号- ZMC88212L
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产品型号
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品类
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VDS
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ID
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工作温度
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等级
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封装形式
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最小包装
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最小订货量
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PT2302A
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场效应管
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20V
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3A
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-55℃~+150℃
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商业级
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SOT-23
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3000
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3000
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选型表 - 金誉半导体 立即选型
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