【产品】低QG和零QRR的增强型功率晶体管

2018-06-09 EPC
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EPC(宜普电源转换公司)是基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商,其于2018年推出EPC2111系列增强型功率晶体管。氮化镓异常高的电子移动性和低温系数使得EPC2111系列增强型功率晶体管具有极低的RDS(on),而它的横向设备结构和多数载波二极管提供了异常低的QG和零QRR


EPC2111系列增强型功率晶体管具有在较少工作时间中处理高转换频率的任务能力,应用在一些主要在开态时具有能量损失的装置中更具优势。产品最适用于高频DC-DC和负载点转换器等领域。


EPC2111系列增强型功率晶体管的最大额定参数:

装置 参数 条件 最大值
Q1 漏源电压VDS 连续的 30V
150℃、最高10000 5ms脉冲 36V
漏源电流ID 连续的(TA=25℃、RθJA=15℃/W) 16A
脉冲(25℃、TPULSE = 300 µs) 50A
栅源电压VGS
6V

-4V
操作温度TJ
-40~150℃
储存温度TSTG
-40~150℃
Q2 漏源电压VDS 连续的 30V
150℃、最高10000 5ms脉冲 36V
漏源电流ID 连续的(TA=25℃、RθJA=36℃/W) 16A
脉冲(25℃、TPULSE = 300 µs) 140A
栅源电压VGS
6V

-4V
操作温度TJ
-40~150℃
储存温度TSTG
-40~150℃


EPC2111系列增强型功率晶体管的热性能参数:

参数 典型值
与机箱相连处的热阻抗RθJC 1.3℃/W
与板相连处的热阻抗RθJB 6.6℃/W
与环境相连处的热阻抗RθJA 58℃/W

注意:在FR4上安装了单层2盎司的铜,并将其安装在一平方英寸铜垫上,由此测定的RθJA


EPC2111系列增强型功率晶体管的静态参数:

装置 参数 条件 最小值 典型值 最大值
Q1 漏源电压BVDSS VGS =0V、ID=0.25mA 30V

漏源漏电流IDSS VDS =24V、VGS =0V
0.002mA 0.15mA
栅源正向漏电流IGSS VGS =5V
0.004mA 2mA
栅源反向漏电流IGSS VGS =-4V
0.002mA 0.15mA
栅源阈值电压VGS(TH) VGS = VDS、ID=2mA 0.8V 1.4V 2.5V
漏源导通电阻RDS(on) VGS = 5V、ID=15A
14mΩ 19mΩ
漏源正向电压VSD IS=0.5A、VGS =0V
1.8V


装置 参数 条件 最小值 典型值 最大值
Q2 漏源电压BVDSS VGS =0V、ID=0.4mA 30V

漏源漏电流IDSS VDS =24V、VGS =0V
0.005mA 0.3mA
栅源正向漏电流IGSS VGS =5V
0.01mA 4.5mA
栅源反向漏电流IGSS VGS =-4V
0.005mA 0.3mA
栅源阈值电压VGS(TH) VGS = VDS、ID=5mA 0.8V 1.4V 2.5V
漏源导通电阻RDS(on) VGS = 5V、ID=15A
6mΩ 8mΩ
漏源正向电压VSD IS=0.5A、VGS =0V
1.8V


EPC2111系列增强型功率晶体管的动态参数:

装置 参数 条件 最小值 典型值 最大值
Q1 输入电容CISS VDS =15V、VGS =0V
190pF 230pF
反向转换电容CRSS
8pF
输出电容COSS
170pF 255pF
总闸极电荷QG VDS =15V、VGS =5V、ID=15A
1.7nC 2.2nC
漏源恢复电荷QRR

0nC


装置 参数 条件 最小值 典型值 最大值
Q2 输入电容CISS VDS =15V、VGS =0V
495pF 595pF
反向转换电容CRSS
21pF
输出电容COSS
490pF 735pF
总闸极电荷QG VDS =15V、VGS =5V、ID=15A
4.5nC 5.8nC
漏源恢复电荷QRR

0nC


EPC2111系列增强型功率晶体管电路图、尺寸图、连接盘模式、推荐模版图和封装结构图:


图1  EPC2111系列增强型功率晶体管电路图

 

图2  EPC2111系列增强型功率晶体管尺寸图



图3  EPC2111系列增强型功率晶体管推荐连接盘模式图

 

图4  EPC2111系列增强型功率晶体管推荐模版图

 

图5  EPC2111系列增强型功率晶体管封装结构图

 

EPC2111系列增强型功率晶体管突出特点与优势

·高频操作(最高10MHz)

·低封装电感

·高密度尺寸

 

EPC2111系列增强型功率晶体管应用领域

·高频DC-DC

·负载点转换器


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  • luosai Lv8. 研究员 2018-11-19
    了解一下
  • 用户86910647 Lv5. 技术专家 2018-11-17
    不错!
  • MagicMoon Lv8 2018-11-14
    学习学习
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产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017

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产品型号
品类
最大耐压(V)
持续电流(A)
导通阻抗(mΩ)
导通电荷(nC)
峰值电流(A)
封装(mm)
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
15V
3.4A
30mΩ
0.745nC
28A
BGA 0.85 mm*1.2mm

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品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

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品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

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测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。

实验室地址: 深圳 提交需求>

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