【产品】采用SOP-8封装的P沟道增强型功率MOSFET RM4953，适合于负载开关、PWM应用和电源管理

时间： 2022-09-20 来源：丽正国际

技术问答

丽正国际（RECTRON）推出一款采用SOP-8封装的P沟道增强型功率MOSFET RM4953。该器件采用先进的沟槽技术，具有出色的R_DS(ON)、低栅极电荷和工作时栅极电压低至4.5V的特性，适合于负载开关或PWM应用。

产品实物图、示意图和引脚配置

特点：

●V_DS=-30V，I_D=-5.1A

R_DS(ON)<90mΩ（V_GS=-4.5V）

R_DS(ON)<55mΩ（V_GS=-10V）

●高功率和电流处理能力

●无铅产品

●表面贴装封装

应用：

●PWM应用

●负载开关

●电源管理

绝对最大额定参数(T_A=25℃，除非另有说明)：

热特性：

电气特性（T_A=25℃，除非另有说明)：

订购信息：

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由小背篓翻译自丽正国际，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】连续漏极电流达-4.1A的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407，适用于负载开关及PWM应用

上海贝岭推出的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407系列，器件采用先进的沟槽工艺技术，提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)，低栅极电荷以及低至4.5V的栅极电压等特性，器件适用于负载开关及PWM应用领域。

产品发布时间 : 2023-07-04

【产品】P沟道增强型功率MOSFET RC3415，具有高功率和电流处理能力，适合用作负载开关或PWM应用

正芯推出的RC3415使用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压。该器件适合用作负载开关或PWM应用。它具有ESD保护。

产品发布时间 : 2023-02-02

【产品】群芯微推出的P沟道增强型功率MOSFET QX3401系列，采用沟槽式DMOS技术，支持高功率和高电流处理能力

群芯微推出的P沟道增强型功率MOSFET QX3401系列，器件采用沟槽式DMOS技术，这种先进的技术专为最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而量身定制，这些器件非常适合高效的快速开关应用领域。

产品发布时间 : 2023-05-20

【产品】-30V/-20A表贴DFN3.3X3.3封装的P沟道增强型功率MOSFET RM20P30D3

丽正国际P沟道增强型功率MOSFET RM20P30D3，VDS = -30V，ID = -20A，采用先进的Trench Technology技术，达到超低的RDS（ON）和低总栅极电荷，适合负荷开关或PWM控制应用。

新产品发布时间 : 2019-11-01

RM60P04Y P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

型号- RM60P04YV,RM60P04Y

数据手册 - 丽正国际 - REV:B - 2019-02 PDF 英文下载

【产品】-20V/-2.6A P沟道增强型功率MOSFET RM2301E，采用SOT-23封装

丽正国际推出的RM2301E是一款P沟道增强型功率MOSFET，该器件采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）性能以及极低的栅极电荷，同时可以在低至2.5V的栅极电压下运行，非常适合用于负载开关或PWM应用。在环境温度为25°C时，RM2301E可以承受的漏源电压最大额定值为-20V，栅源电压最大额定值为±10V，可以承受漏极连续电流最大额定值为-2.6A。

新产品发布时间 : 2019-11-02

【产品】-30V/-50A P沟道增强型功率MOSFET RM50P30D3，采用DFN 3X3封装

RM50P30D3是丽正国际推出的一款采用DFN 3X3封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。

新产品发布时间 : 2019-11-15

RM6P20ES6 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

型号- RM6P20ES6

数据手册 - 丽正国际 - REV:O - 2024-05 PDF 英文下载

JMTK130P04A JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

型号- JMT,JMTK130P04A

数据手册 - 捷捷微电 - Version:1.2 - 2022/3/3 PDF 英文下载

【产品】-20V/-4.1A P沟道增强型功率MOSFET RM2305C

RM2305C是丽正国际推出的一款采用SOT-23封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，栅极电压低至2.5V，适用于负载开关或PWM应用。

新产品发布时间 : 2019-11-23

RM3415 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

型号- RM3415,RM3415V

数据手册 - 丽正国际 - REV:A - 2018-01/15 PDF 英文下载

【产品】-30V/-5.1A P沟道增强型功率MOSFET RM5A1P30S6，采用SOT-23-6封装

RM5A1P30S6是丽正国际推出的一款采用SOT-23-6封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，栅极电压低至2.5V，适用于负载开关或PWM应用。

新产品发布时间 : 2019-11-20

【产品】P沟道增强型功率MOSFET RM3401，具有出色的RDS（ON）性能

丽正国际推出的RM3401是一款P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）性能以及极低的栅极电荷，并且可在低至2.5V的栅极电压下运行，适合用作负载开关或PWM应用。在环境温度为25°C时，RM3401漏源电压最大额定值为-30V，栅源电压最大额定值为±12V，漏极连续电流最大额定值为-4.2A，工作时结温和储存温度范围为-55 ~150℃。

新产品发布时间 : 2019-11-11