【产品】采用SOP-8封装的P沟道增强型功率MOSFET RM4953，适合于负载开关、PWM应用和电源管理

时间： 2022-09-20 来源：丽正国际

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丽正国际（RECTRON）推出一款采用SOP-8封装的P沟道增强型功率MOSFET RM4953。该器件采用先进的沟槽技术，具有出色的R_DS(ON)、低栅极电荷和工作时栅极电压低至4.5V的特性，适合于负载开关或PWM应用。

产品实物图、示意图和引脚配置

特点：

●V_DS=-30V，I_D=-5.1A

R_DS(ON)<90mΩ（V_GS=-4.5V）

R_DS(ON)<55mΩ（V_GS=-10V）

●高功率和电流处理能力

●无铅产品

●表面贴装封装

应用：

●PWM应用

●负载开关

●电源管理

绝对最大额定参数(T_A=25℃，除非另有说明)：

热特性：

电气特性（T_A=25℃，除非另有说明)：

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