【产品】采用先进沟槽技术的国产N沟道增强型MOSFET AP50N04K，规格40V/40A
铨力半导体推出一款采用TO-252封装的N沟道增强型MOSFET——AP50N04K，采用先进的沟槽技术，具有漏源导通电阻低和栅极电荷低的特性，属于无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等。
产品引脚分配及原理图
特点：
漏源电压VDS=40V，连续漏极电流ID=40A
漏源导通电阻RDS(ON)<13mΩ（VGS=10V）
漏源导通电阻RDS(ON)<20mΩ（VGS=4.5V）
先进的沟槽技术
无铅产品
低漏源导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
应用：
PWM应用
负载开关
电源管理
绝对最大额定值参数（Ta=25℃，除非特别说明）:
电气参数(Ta=25℃，除非特别说明)
注：1. 重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2. EAS条件：TJ=25℃，VDD=20V，L=0.5mH，RG=25Ω，IAS=7A
3. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4. 表面贴装在FR4板，t≤10s
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产品型号
|
品类
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Package Type
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Configuration
|
MOSFET Type
|
VDS (V)
|
VGS (V)
|
Vth (V)
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
ID(A) Tc=25℃
|
ID(A) Tc=100℃
|
|
AP2302B
|
Trench Mos
|
SOT23
|
Single
|
N
|
20
|
±8
|
0.5-1.2
|
-
|
45/52
|
52/67
|
-
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2
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-
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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