【产品】600V/0.4A/8.5ΩN通道MOSFET RMP0A5N6092

时间： 2019-11-22 来源：丽正国际

技术问答

全球知名半导体分立器件厂商——丽正国际推出了一款TO-92封装的600V/0.4A/8.5Ω的N通道MOSFET——RMP0A5N6092，该MOSFET的漏极-源极电压最大额定值为600V，栅极-源极电压最大额定值为±30V，连续漏极电流最大额定值为0.4A（V_GS=10V,T_C=25℃）、0.25A（T_C=100℃），脉冲漏极电流最大额定值为1.6A，耗散功率最大额定值为2.5W（T_C=25℃），25℃以上每升高一度减少0.02W，单脉冲雪崩能量为30mJ，工作结温和储存温度均为-55—150℃。该MOSFET可应用于电源、电池充电、镇流器等领域，且不含卤素。

RMP0A5N6092的电气特性的一些关键参数主要有：漏极-源极击穿电压最小为600V，栅极阈值电压最小为3.0V，最大为5.0V，漏极截止电流最大为1uA，总栅极电荷典型值为3.5nC，输入电容典型值为130pF。

特点

· V_DS=600V

· I_D=0.4A @V_GS=10V

· R_DS(ON)≤8.5Ω @V_GS=10V

应用

· 电源

· 电池充电器

· 镇流器

· 不含卤素

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454674780 Lv7. 资深专家 2019-11-23

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