【产品】采用高密度单元设计的N沟道增强型MOSFET PT2302A，最大漏源导通电阻59mΩ
金誉半导体集团旗下的迪浦电子是一家专业从事模拟及数模混合集成电路设计的高科技创新企业。其推出的N沟道增强型MOSFET PT2302A，采用先进的沟槽工艺技术和高密度单元设计，实现超低导通电阻。在TA=25℃的条件下，其漏源电压为20V，栅源电压为±10V，连续漏极电流为3A。
产品外观和示意图
特点：
●VDS=20V
●RDS(ON)<45mΩ（Vgs=4.5V，Ids=3A）
●RDS(ON)<59mΩ（Vgs=2.5V，Ids=2.5A）
●先进的沟槽工艺技术
●采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
最大额定参数和热特性（TA=25℃，除非另有说明）：
注：
1.脉冲宽度受限制于最大结温
2.表面安装在FR4板上，t≤5 sec
3.表面安装在FR4板上
电气特性：
脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
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产品型号
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品类
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VDS
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ID
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工作温度
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等级
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封装形式
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最小包装
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最小订货量
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PT2302A
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场效应管
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20V
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3A
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-55℃~+150℃
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商业级
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SOT-23
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3000
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3000
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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