【产品】采用CoolMOS C6芯片技术的IGBT功率模块,600V击穿电压,100mΩ导通电阻

2018-11-16 Vincotech
IGBT功率模块,IGBT模块,PFC IGBT功率模块,10-FX062TA099FS-P980D57 IGBT功率模块,IGBT模块,PFC IGBT功率模块,10-FX062TA099FS-P980D57 IGBT功率模块,IGBT模块,PFC IGBT功率模块,10-FX062TA099FS-P980D57 IGBT功率模块,IGBT模块,PFC IGBT功率模块,10-FX062TA099FS-P980D57

VINCOTECH(威科)是全球领先的电力电子模块(IGBT模块)解决方案的供应商,10-FX062TA099FS-P980D57是Vincotech公司推出的一款采用PFC拓扑的IGBT功率模块,具备双通道升压功率因素校正(PFC)电路,目标应用包括焊接、开关模式电源(SMPS)、电机驱动器、不间断电源(UPS)、电池充电器。


图1 10-FX062TA099FS-P980D57封装外形图


10-FX062TA099FS-P980D57的击穿电压为600V,隔离电压高达4000V,标准芯片电流额定值为36A。在25℃的环境温度下,其漏源极导通电阻RDS(on)仅为100mΩ(参见数据手册第5页),该特性使其具备极低的开关损耗。该款功率模块的存储温度范围为-40℃到125℃,工作温度范围为-40℃到+(Tjmax-25)℃,其中,Tjmax取决于模块中结温最低的器件,本模块中为150℃,宽温度范围使其无惧极端环境的挑战。


10-FX062TA099FS-P980D57采用了针对单相应用的PFC拓扑,具备半控转换器并集成了分流电阻。此外,该款功率还集成了直流电容器以及温度传感器,为模块的电流和温度监测提供了便利。该款功率模块使用了紧凑且低电感的flow 0封装,与PCB采用塔式安装方式,基板隔离材料为Al2O3,其器件尺寸尺寸为66mm x 32.5mm x 17mm,适用于空间敏感型应用。


图2 10-FX062TA099FS-P980D57拓扑结构


在图2拓扑中,三极管T1、T2构成MOSFET,用于实现PFC开关功能;二极管D1、D2构成了PFC二极管,D5、D6形成整流器二极管,晶闸管TH1、TH2构成整流器晶闸管;R1为PFC分流电阻,Rt为NTC热敏电阻。


该器件采用了英飞凌最新一代的芯片技术—CoolMOS™ C6,具有易于使用/驱动、极低损耗以及高稳定性等特点。将CoolMOS C6技术和SiC升压二极管相结合,不仅显著降低了开关损耗,还极大地提升开关速度,有效提高了器件的系统效率。


10-FX062TA099FS-P980D57产品特性:

·采用PFC拓扑(单相应用)

·适用于交错拓扑

·适用于源极电流检测

·具备半控制转换器

·集成分流电阻、DC电容器

·集成温度传感器

·低导通电阻:100mΩ

·紧凑且低电感的flow 0封装

·英飞凌最新一代芯片技术CoolMOS™ C6

·宽温度范围:-40℃~+(Tjmax-25)℃


10-FX062TA099FS-P980D57应用领域:

·焊接

·开关模式电源(SMPS)

·电机驱动器

·不间断电源(UPS)

·电池充电器

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2022-01-25 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务
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