【产品】采用CoolMOS C6芯片技术的IGBT功率模块，600V击穿电压，100mΩ导通电阻

时间： 2018-11-16 来源：Vincotech

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IGBT功率模块,IGBT模块,PFC IGBT功率模块,10-FX062TA099FS-P980D57

VINCOTECH（威科）是全球领先的电力电子模块（IGBT模块）解决方案的供应商，10-FX062TA099FS-P980D57是Vincotech公司推出的一款采用PFC拓扑的IGBT功率模块，具备双通道升压功率因素校正（PFC）电路，目标应用包括焊接、开关模式电源（SMPS）、电机驱动器、不间断电源（UPS）、电池充电器。

图1 10-FX062TA099FS-P980D57封装外形图

10-FX062TA099FS-P980D57的击穿电压为600V，隔离电压高达4000V，标准芯片电流额定值为36A。在25℃的环境温度下，其漏源极导通电阻R_DS(on)仅为100mΩ（参见数据手册第5页），该特性使其具备极低的开关损耗。该款功率模块的存储温度范围为-40℃到125℃，工作温度范围为-40℃到+(T_jmax-25)℃，其中，T_jmax取决于模块中结温最低的器件，本模块中为150℃，宽温度范围使其无惧极端环境的挑战。

10-FX062TA099FS-P980D57采用了针对单相应用的PFC拓扑，具备半控转换器并集成了分流电阻。此外，该款功率还集成了直流电容器以及温度传感器，为模块的电流和温度监测提供了便利。该款功率模块使用了紧凑且低电感的flow 0封装，与PCB采用塔式安装方式，基板隔离材料为Al₂O_3，其器件尺寸尺寸为66mm x 32.5mm x 17mm，适用于空间敏感型应用。

图2 10-FX062TA099FS-P980D57拓扑结构

在图2拓扑中，三极管T1、T2构成MOSFET，用于实现PFC开关功能；二极管D1、D2构成了PFC二极管，D5、D6形成整流器二极管，晶闸管TH1、TH2构成整流器晶闸管；R1为PFC分流电阻，Rt为NTC热敏电阻。

该器件采用了英飞凌最新一代的芯片技术—CoolMOS™ C6，具有易于使用/驱动、极低损耗以及高稳定性等特点。将CoolMOS C6技术和SiC升压二极管相结合，不仅显著降低了开关损耗，还极大地提升开关速度，有效提高了器件的系统效率。

10-FX062TA099FS-P980D57产品特性：

·采用PFC拓扑（单相应用）

·适用于交错拓扑

·适用于源极电流检测

·具备半控制转换器

·集成分流电阻、DC电容器

·集成温度传感器

·低导通电阻：100mΩ

·紧凑且低电感的flow 0封装

·英飞凌最新一代芯片技术CoolMOS™ C6

·宽温度范围：-40℃~+(T_jmax-25)℃

10-FX062TA099FS-P980D57应用领域：

·焊接

·开关模式电源（SMPS）

·电机驱动器

·不间断电源（UPS）

·电池充电器

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