【经验】替换传统开关SSR固态继电器的开发板EVB-SI875X运用设计

时间： 2018-07-27 来源：世强

代理服务

技术支持

现货查询

批量订货

SILICON LABS推出的SI875X隔离驱动芯片主要用来替换传统的SSR固态继电器，相比固态继电器具有更长的使用寿命和更高的可靠性；高集成度，低传播延迟，小尺寸安装，灵活性和成本效益使Si875x成为各种隔离MOSFET栅极驱动应用的理想选择。Silicon Labs推出的SI875X EVB可以让设计者可以去测试该芯片的性能参数，缩短开发周期，提升设计可靠性。

开发板SI875X主要涉及到SI8751和SI8752两颗心片，可以分别用来测试直流和交流开关转换。主要如下：

1、通过端子J1给芯片提供5V直流电压，其中EVB板会用到5.6V的稳压管来进行输入电压稳压，防止输入电压不稳定造车芯片损坏，另外原边5V电源通过R2电阻和D2 LED发管二极管来确认原边有无供电，将端子J2的1和2连接到一起，输入驱动信号可以从此端子口给到芯片引脚IN；

2、副边为该芯片的驱动侧，具有两个弥勒电容引脚，可以选择其中一个作为米勒钳位，主要是用来防止高的dv/dt造成MOS管的意外导通，芯片此引脚上的正斜率将导致Si875x内的钳位器件激活，并在栅极之间提供低阻抗路径，这样可以防止FET被无意打开，起到保护作用。如果是作为交流的开关控制，则两个弥勒引脚分别通过电容连接到MOS管D极，形成保护；

3、针对于该控制板，设计者可以用它分别来进行直流和交流负载的控制测试，通过改变TT的阻值可以去实测输入电源消耗的电流越与输出开启外部FET的速度关系，根据实际需求进行合理匹配；另外通过该EVB板可以验证芯片SI875X的性能参数，减小开发时间，提高设计效率。

图1为SI875X系列中SI8751的原理图参考，是一种替换固态继电器不错的方案，可靠设计者参考使用。

图1 SI751的运用原理图

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由明提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【经验】一文教你分析MOS管的驱动波形是否异常

一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。在MOS的G,S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单，很容易造成驱动波形异常。大家常用的PWM芯片输出直接驱动MOS或者用三极管放大后,再经过隔离驱动MOS的方法，其实在瞬间驱动电流这块是有很大缺陷的。推荐使用专用的MOSFET驱动芯片来驱动MOS管，Siliconlabs针对MOS管驱动推出了半桥MOS驱动芯片SI823X

2019-04-22 - 设计经验代理服务技术支持现货查询批量订货

【经验】BMS预充继电器完美替代方案，成本降低20%

Silicon Labs SI8751驱动隔离器+外置MOSFET替代SSR固态继电器方案可降低设计成本、体积；增强其安全性、长期寿命的可靠性。

2017-09-21 - 设计经验代理服务技术支持现货查询批量订货

【经验】浅谈SI8233与SI835双路隔离驱动芯片设计区别

目前Silicon Labs推出的具有双路隔离驱动芯片SI8233和SI8235，目前也是主流用在车载DC-DC，及OBC及各种电源拓扑中比较常见的两种驱动芯片，本文针对这两种驱动芯片在设计上的不同点做个简答的描述，设计者可以根据自身的设计需求去进行选择。

2019-02-03 - 设计经验代理服务技术支持现货查询批量订货

【应用】芯科科技隔离驱动器Si8751可代替继电器用在手持终端PDA上，高度1.75mm满足产品轻薄化设计要求

Silicon Labs隔离驱动器Si8751可在手持PDA项目中替代继电器，采用Si8751的交流双向电路设计可以兼容直流信号与交流信号；另外配合MOS设计的电路可以实现信号切换功能，具体是在Si8751接收小电流控制信号后控制MOS通断，来控制大电流信号的切换。

2021-12-31 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

【经验】隔离驱动芯片SI8233做MOS管驱动时的注意事项

目前Silicon Labs 的隔离驱动芯片SI8233大量的用来做MOS管驱动，由于具有两路独立的驱动，并且支持原副边5V的隔离电压，每路的峰值驱动电流达4A，所以在电源类产品的拓扑半桥或者全桥电路，PFC都会考虑用SI8233做驱动设计。

2019-05-06 - 设计经验代理服务技术支持现货查询批量订货

【经验】多颗隔离驱动芯片SI8238共用Disable信号的设计建议，避免单颗失效时影响正常运行

多颗SI8238共用一个信号控制Disable时，但若Disable直接连接在一起，其中一个IC失效后，disable管脚出现异常对地短路时，另外正常的IC无法被关闭。所以Disable管脚间需要做隔离，防止单颗异常影响其他IC工作，建议如下

2021-06-12 - 设计经验代理服务技术支持现货查询批量订货

【选型】如何为SIC MOSFET选择一款理想的隔离驱动芯片？

Silicon labs SI827x隔离栅极驱动器高达4A峰值驱动电流，业界最高的抗扰性能（200kV/μs）和闩锁免疫能力（400kV/μs）。最大60ns传输延迟，非常低的抖动200ps p-p。

2018-01-31 - 器件选型代理服务技术支持现货查询批量订货

【应用】低成本SI8621光耦驱动芯片实现IGBT上下桥驱动互锁的一种方法

目前的一些工业逆变电源设计上可能会用到IGBT上下桥互锁的方式，由于目前光耦价格不是很便宜，而产品会有成本压力，这种实现互锁的方法可以通过Silicon Labs推出的SI8621驱动芯片相对低成本方案来实现。

2018-12-22 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

最大传输延时30ns, 4A灌/拉电流驱动能力的隔离驱动器 | 功率器件专场世强硬创新产品研讨会

型号- SI88XXXISO-KIT,SI88241ED-IS,SI823HX,SI8281CD-IS,SI8642ET-IS,SI823X,SI827X,SI88621ED-IS,SI893X,SI8239X,SI875X,SI8285CD-IS,SI8920BC-IP,SI8281-KIT,SI86XXXT,SI86XXT,SI8285_86-KIT,SI8286CD-IS,SI8285,SI8281,SI886XXISO-KIT,SI86XX,SI87XX,SI8920,SI834X,SI88XX,SI8921,SI8900,SI8922,SI828X,SI838X,SI86XXTISO-KIT,SI826X,SI8920ISO-KIT,SI894X

2021.3.26 - SILICON LABS - 商品及供应商介绍代理服务技术支持现货查询批量订货

【经验】加强版的双驱动芯片Si823H3BD-IS3更完美的做MOS管或SIC MOS管驱动

针对目前电源行业用到上下桥拓扑的设计会用到MOS管或SIC，目前这块的设计处于弱电侧需要供电能够与MCU的供电共用，另外原边的输入可以有上下桥互锁功能，开关频率可以支持到几百KHz，驱动电流可以到4A，针对该运用Slilicon Labs推出的SI823H3BD-IS3副边可以支持到3V的供电电压，4A的拉电流和灌电流，双路独立的驱动，125KV/us的CMTI值，满足AEC—Q100的认证。

2019-08-01 - 设计经验代理服务技术支持现货查询批量订货

全碳化硅功率mos是否和igbt一样驱动需要负压？有没成熟的驱动芯片推荐？

SIC MOSFET驱动是需要负压的，而GaN FET是可以不用负压。成熟的SIC MOSFET驱动芯片，推荐Silicon Labs 的SI827x，可以参考：如何为SIC MOSFET选择一款理想的隔离驱动芯片？

2019-10-15 - 技术问答代理服务技术支持现货查询批量订货

【应用】Silicon Labs隔离驱动芯片Si8238助力微型逆变器，可替换两颗独立驱动

微型逆变器的正弦电压输出，可由2颗可控硅+2颗MOS/IGBT控制实现。推荐使用Silicon Labs隔离驱动芯片Si8238，该产品是双路输出，可以满足2颗高频MOS/IGBT的设计，一颗替换两颗独立驱动，减小设计体积，降低设计成本。

2021-02-05 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

Si87XX容耦隔离器较Si86XX隔离器有何性能提升？

Si87XX单通道高性能数字隔离器，可取代传统光耦，在Si86XX隔离器性能的基础上增加以下性能：1、增强VED/IEC 60747-5-2，带10kv涌浪；2、可直接替代常见光耦；3、最适合：高性能光耦升级（寿命长，高可靠和高数据率）。

2017-05-05 - 技术问答代理服务技术支持现货查询批量订货

IGBT驱动波形中米勒平台产生的原理是什么？

IGBT驱动波形中米勒平台产生的原理当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这是一个潜在的风险，因此为了规避这个风险，有源米勒钳位功能应运而生。图1：下管IGBT因寄生米勒电容而导通有源米勒钳位解决方案要想避免RG优化、CG损耗和效率、负电源供电成本增加等问题，另一种方法是使门极和发射极之间发生短路，这种方法可以避免IGBT不经意的打开。具体操作方法是在门极与射极之间增加三级管，当VGE电压达到某个值时，门极与射极的短路开关(三级管)将被触发。这样流经米勒电容的电流将被增加的三极管截断而不会流向VOUT。这种技术被称为有源米勒钳位技术，具体方法见如下图2。图2：有源米勒钳位采用外加三极管一般选用的隔离驱动芯片（以Silicon Labs Si8285为例）通过IGBT栅极和集电极间寄生电容C_CG及Si8285副边VH pin、外部RH及内部PMOS源极电阻RSS、内部NMOS等对IGBT门极电荷进行放电来达到软关断效果。直至最后退饱和工作完成，故障通过FLT pin隔离输出，反馈给MCU。