长晶科技MOSFET和二极管能用于5G基站通信电源的整流及PFC部分，还能用于输出同步整流电路中

时间： 2021-03-25 来源：长晶科技

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目前 5G 通信已是国家规划的 7 大新型基础建设之一，5G 基站建设也正如火如荼。5G通信的数据流量和3G/4G 通信相比，更不均衡，某时段流量可能极大，某时段可能小，这意味着通信电源的实际负载范围很有可能会从轻载到满载。增加5G通信后，基站电源的功率也会上升70%左右。这些新的特性都对电源设计提出了新的挑战。长晶科技致力于为电源工程师提供高效率且稳定的元器件，电源中的整流 &PFC，功率变换电路，输出整流/滤波电路中均有机会使用到长晶的二极管和MOSFET。

一，整流及 PFC 部分

整流部分：输入为 220VAC，一般使用反向电压 1000v 的整流桥，如 GBU810，GBU1510。
D1，D2：超快恢复二极管，用于配合PFC电感构建BOOST电路，一般要求恢复时间35ns以内，如长晶的MURS460/560，MURF860。

二，输出同步整流

1 当使用 MOSFET 用于次级整流时，图中 Q5~Q8 可以选择长晶的如下型号。

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2CZ4007_SOD-123	普通整流二极管	Active	350mW	1000	1000	1.1	5	SOD-123

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产品型号	品类	Status	I(AV)(A)	VRRM(I=IRM)(V)	IFSM(A)	VFM(V)	IRM@TA=25℃(µA)	Package
RMSB40M_UMSB	整流桥	Active	4	1000	100	1.3	5	UMSB

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