【产品】N沟道中压MOS管SL15N10A可承受高达100℃的工作温度,适用于高功率电路
深圳市萨科微半导体有限公司,技术骨干来自清华大学和韩国延世大学,以新材料新工艺新产品引领公司发展,掌握国际领先的第三代半导体碳化硅功率器件技术。萨科微产品包括二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。今天介绍的是萨科微中压MOS管SL15N10A,该产品是一款N沟道中压MOS管,具有高漏源电压和低导通电阻的特点,适用于各种工业应用。萨科微的技术骨干来自清华大学和韩国延世大学,具有丰富的技术经验和创新能力,未来将持续推动公司的技术创新和产品研发。
图 1 萨科微半导体荣誉资质与科研成果
应用背景
MOS的制造是以P型半导体为衬底,在一个低掺杂容度的P型半导体上,通过扩散技术做出来2块高掺杂容度的N型半导体,引出去分别作为源级(S)和漏极(D)。P型衬底在MOS管内部是和源级(S)相连。在P型衬底和两个N型半导体之间加一层二氧化硅(SiO₂)绝缘膜,然后通过多晶硅引出引脚组成栅极(G)。
应用难点
MOS管的制造需要经过多道工艺步骤,包括沉积、光刻、蚀刻、离子注入等,每个步骤都需要高精度的设备和技术支持,制造过程中的任何一个环节出现问题都可能导致器件失效。并且,MOS管的性能和稳定性与材料的选择和控制密切相关,需要选择高质量的材料,并控制其纯度、晶格结构和缺陷等因素,以确保器件的性能和可靠性。
解决方案
SL15N10A是一款N沟道中压MOS管,具有漏源电压高、导通电阻低的特点。这款MOS管的封装形式为TO-252,是市场上备受欢迎的产品之一。
图 2 萨科微SLKOR中压MOS管SL15N10A产品图
SL15N10A的漏源电压(Vdss)为100V,连续漏极电流(Id)为15A。表示在正常工作状态下,该器件可以承受的最大漏源电压为100V,漏极电流为15A,由于其漏源电压较高,可以承受较高的电压冲击,因此适用于高压电路。同时,其连续漏极电流较大,可以承受较高的电流负载,因此适用于高功率电路。在实际应用中,可以应用于高功率开关电源、电机驱动器、照明电路等领域。
图 3 萨科微slkor中压MOS管SL15N10A产品背面图
SL15N10A的导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):130mΩ@20V,15A,阈值电压(Vgs(th)@Id):20V@15A,功率(Pd):34W,可以应用于需要低导通电阻和高电流承受能力的场合。由于其导通电阻较低,可以减小开关管的功率损耗,提高电路效率。同时,其阈值电压较高,可以减小开关管的漏电流,提高电路的稳定性。其功率较大,可以承受较高的功率负载,因此适用于高功率电路。
图 4 萨科微slkor中压MOS管SL15N10A相关参数
此外,SL15N10A是一款具有高温耐受性和高耐压能力的MOSFET晶体管。其能够承受高达100℃的工作温度,适用于各种高温环境下的工业应用。目前,SL15N10A广泛应用于各种开关电路、电源管理和电动机控制等领域。其高漏源电压和低导通电阻特性使得它成为电路中的重要元件。
SL15N10A是N沟道中压MOS管 ,漏源电压(Vdss)为100V,连续漏极电流(Id)为15A,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)是130mΩ@20V,15A,阈值电压(Vgs(th)@Id)是20V@15A,具有高漏源电压和低导通电阻的特点,能够承受高达100℃的工作温度,可以广泛应用于各种开关电路、电源管理和电动机控制等领域。
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LED,电子罗盘,R TOF线光源,TYPE-C和音频开关,SIGLE PHASE MOTOR DRIVE IC,TYPE-C音频切换开关,模拟电路,LED照明驱动IC,单相电机驱动集成电路,互补MOSFET,LCD背光驱动,负载开关,三相直流风扇驱动集成电路,TYPE-C & AUDIO 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SL2P10A-100V/-2A P沟道MOSFET
该资料介绍了SL2P10A P-Channel MOSFET的特性。它采用先进的深沟槽技术,具有超低栅极电荷和优异的Cdv/dt效应下降。产品适用于视频监控器和电源管理等领域。
SLKOR - P通道MOSFET晶体管,P-CHANNEL MOSFET,SL2P10A,POWER MANAGEMENT,电源管理,VIDEO MONITOR,视频监视器
FDN338P-20V/-1.6A P沟道MOSFET
该资料介绍了FDN338P是一款低导通电阻(RDS(on))的P-Channel MOSFET。它采用领先的沟槽技术,具有低栅极电荷,适用于视频监控器和电源管理等领域。
SLKOR - P通道MOSFET晶体管,P-CHANNEL MOSFET,FDN338P,POWER MANAGEMENT,电源管理,VIDEO MONITOR,视频监视器
亚成微电子股份有限公司ACDC电源管理方案
亚成微电子股份有限公司,成立于2007年,是一家国家级高新技术企业,专注于集成电路设计。公司产品涵盖通讯设备用包络追踪芯片、智能手机/笔记本电脑快充用AC/DC电源管理芯片、智能功率开关芯片、LED驱动芯片等。公司拥有多项知识产权,包括专利和布图设计,技术实力雄厚。亚成微提供AC/DC电源管理方案,包括强制ZVS反激方案、SSR控制器、PSR控制器等,旨在提高产品功率密度和效率。公司还提供技术支持和客户服务,包括设计沟通、DEMO提供、现场服务、产品测试和售后服务。
亚成微电子 - ETPA,SJ金属氧化物半导体场效应晶体管,智能功率开关,E-MODE GAN FET驱动器,智能功率开关芯片,内置高压启动、集成SJMOSFET、QR模式PSR反激控制器,SJ MOS FET,COOLMOS,高频ZVS控制器,ACDC CONVERTER,双绕组自供电反激控制器,AC/DC电源管理芯片,线性LED驱动,库尔莫斯,埃特帕,LED驱动芯片,GAN FET 驱动控制器,SR控制器,PSR控制器,高频QR/CCM混合模式控制器,包络追踪芯片,高频自供电同步整流控制器,ACDC转换器,SSR控制器,高频ZVS PD控制器,RM341XSH,RM6163D,RM6717S,RM3413SH,RM671X系列,RMG65R380SN,RM6801X,RM3364S,RM3352S,RM6601SNX,RMA65R2K5SN,RMC65R380SN,RMG65R280SN,RM3368S,RM3365D,RM6801S,RM6514S,RM673XS,RM335X系列,RM671XS,RM6801X系列,RM3401SH,RMC65R650SN,RM3405SH,RM3353S,RM3430T,RM65R1K6SG,LM3290,RM3410T,RM4100,RM335X,QFE4100,RM65R1K6SD,RM6801SNX,RMG65R650SN,RM6601,RM671X,RMA65R1K0SN,HUSB339,RM6601SN,RM343X,RM3366D,RM6715S,RM3412SH,RM6601X,RM343XSH,RMC65R1K0SN,RMA65R1K6SN,RMG65R1K6SN,RM6601X系列,RM343X系列,RM6517D,RMG65R1K0SN,RM3100,RM442D2,RM6601系列,RMA65R650SN,RM50055,RM6601S,RMA65R380SN,RM6801SNX系列,RM65R2K5SD,RM6801SN,RMX65R950SN,SW3517,RMX65R600BN,RM3402SH,RMC65R280SN,QET6100,RM6601SNX系列,RM67XX系列,RM4141N,RM6710S,RM65R2K5SG,SW3516,RM50085,RMA65R280SN,RM3400T,RMG65R2K5SN,RM67XX,通讯设备,汽车,5G手机,照明,TV电源,氮化镓PD快充,板卡电源,大功率快速充电器,快充,适配器,大功率快充,电源,智能手机,PD快速充电器,大功率适配器,笔记本电脑,充电
【选型】应能微TVS/半导体放电管/MOSFET/电源管理IC(PMIC)/过压保护设备(OVP)/DC-DC同步降压转换器选型指南
公司简介 TVS 半导体放电管 MOSFET 电源管理IC(PMIC) 质量管理体系、RoHS认证证书
应能微 - MOSFET,THYRISTOR SURGE SUPPRESSOR,电源管理IC,TVS阵列,TVS,瞬态电压抑制器,模拟集成电路,ZENER DIODE,NORMAL TVS,IC,VARISTOR,沟槽MOSFET,OVER-VOLTAGE PROTECTION DEVICE,正常TVS,SIC MOSFET,TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR,HIGH VOLTAGE TVS,TSS,两个N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管的全集成同步降压转换器,瞬态电压抑制二极管,SJ MOSFET,大功率半导体芯片,晶闸管浪涌抑制器,超低电容,TWO N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS'FULLY INTEGRATED SYNCHRONOUS STEPDOWN CONVERTER,齐纳二极管,碳化硅MOSFET,TVS ARRAY,模拟集成电路芯片,普通TVS,过压保护IC(OVP),MOSFETS,分裂栅极沟槽MOSFET,压敏电阻,TVS DIODE,超结MOSFET,驱动IC,半导体放电管,SGT MOSFET,高性能瞬态电压抑制器,DC/DC同步降压变换器,LOW VOLTAGE TVS,半导体芯片,集成电路,硅基MOSFET,PMIC,低压TVS,MOSFETS器件,过电压保护装置,TVS二极管,高压TVS,ULTRA-LOW 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3006F3,AR121,航空,电机控制,汽车,TABLETS,数字机顶盒,PV,CHARGING PORTS,FLAT-PANEL TELEVISION,照明,LIGHTING SOLUTIONS,分线交换机,AUTOMOTIVE,高清电视,CONSUMER,FCC第68部分客户驻地设备,不间断电源,MOSFET应用,照明解决方案,UPS,LINE INTERFACE MODEM,DBX,平板电视,FCC PART 68 CUSOMER PREMISE EQUIPMENT,WEARABLE DEVICES,开关模式电源,FCC PART 68 用户终端设备,移动手机,手持设备,MOTOR CONTROL,T1/E1 TRUNK,航天,EV,DIGITAL SET-TOP BOXES,E1 TRUNK,SURVEILLANCE,TVS应用,MONITORS,可穿戴设备,监视器,线路卡,模式电源开关,消费,机顶盒,高速铁路牵引,XDSL体系结构接口,安防,手机,通讯,PMIC应用,消费电子,线路接口调制解调器,计算设备,电子烟,T1中继,航空航天,E1中继,家庭网络终端,平板显示器,MOBILE HANDSETS,电子香烟,MOSFET APPLICATIONS,智能手机,电动汽车,风能发电,DBX BRANCH EXCHANGE SWITCHES,军事,SLIC LINE CARD,充电接口,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,SLIC线路卡,E-CIGARETTTE,COMPUTING DEVICES,工业,MOTOR DRIVES,电机驱动,接口电路线卡,新能源发电,METWORKING HOME TERMINAL,平板,分支交换交换机,平板电脑,LINE CARD,XDSL ARCHITECTURE INTERFACE,移动设备,充电口,通信设备,T1/E1线卡,TVS APPLICATIONS,T1 TRUNK,PMIC APPLICATIONS,监控,MOBILE DEVICES,SMPS,工业电机驱动,风能,计算机
FDN306P-12V/-2.6A P沟道MOSFET
该资料介绍了FDN306P -12V/-2.6A P-Channel MOSFET的特性。它采用沟槽功率LV MOSFET技术,具有高密度单元设计以实现低RDS(ON),并具备高速开关能力。资料提供了产品概览、绝对最大额定值、电气特性、典型工作特性、封装信息和尺寸图。
SLKOR - P通道MOSFET晶体管,P-CHANNEL MOSFET,FDN306P,BATTERY PROTECTION,POWER MANAGEMENT,电源管理,电池保护,LOAD SWITCH,负载开关
60V/3A的N沟道MOS管SL2310,具有大功率处理能力,是小家电应用理想的开关和信号处理元件
Slkor萨科微SL2310是一款具有60V漏源电压和3A连续漏极电流的N沟道MOS管,以其低导通电阻(105mΩ@10V,3A)和较低的阈值电压(2V@250μA)而著称。这些特性使得SL2310成为小家电应用中理想的开关和信号处理元件,尤其是在需要高效能和高精度控制的场合。
FDN304P-20V/-2.4A P沟道MOSFET
本资料介绍了FDN304P这款-20V/-2.4A P-Channel MOSFET的特性。该器件采用领先的沟槽技术,具有低RDS(on)和低栅极电荷的特点。资料提供了产品概览、绝对最大额定值、电气特性、典型工作特性、开关特性和源漏二极管特性等信息。
SLKOR - P通道MOSFET晶体管,P-CHANNEL MOSFET,FDN304P,POWER MANAGEMENT,电源管理,VIDEO MONITOR,视频监视器
60V/60A的N沟道MOS管SL60N06,导通电阻11.5mΩ,能在微波频率范围实现快速开关和精确控制
Slkor萨科微SL60N06是一款具有60V漏源电压和60A连续漏极电流的N沟道MOS管,以其低导通电阻(11.5mΩ@10V,30A)和较低的阈值电压(4V@250μA)而著称。该MOS管高频特性优越,能够在微波频率范围内实现快速开关和精确控制,具有高频率响应能力,能够满足高频信号的处理和传输需求。
艾创微授权世强硬创代理,电源管理芯片应用于汽车电子域控系统等关键领域
艾创微的电源管理芯片以其高效率、强大的适应性和多样化的保护功能在市场中占据显著优势。
FDN302P-20V/-2.4A P沟道MOSFET
本资料介绍了FDN302P P-Channel MOSFET的特性及应用。该器件采用沟槽功率LV MOSFET技术,具有低RDS(ON)和高速度切换的特点。资料提供了详细的电气特性、开关特性、典型工作曲线和封装尺寸信息。
SLKOR - P通道MOSFET晶体管,P-CHANNEL MOSFET,FDN302P,BATTERY PROTECTION,POWER MANAGEMENT,电源管理,电池保护,LOAD SWITCH,负载开关
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品牌:SLKOR
品类:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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现货: 0
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
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