【产品】80V/200A N沟道功率MOSFET BLM04N08，最大漏源导通电阻为4mΩ

时间： 2022-04-27 来源：上海贝岭

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N沟道功率MOSFET,BLM04N08,BLM04N08-P,BLM04N08-B

BLM04N08是上海贝岭推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，导通电阻小、低栅极电荷，适用于电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源等。

产品外观和示意图

特点：

    漏源电压V_DS=80V，连续漏极电流I_D=200A
    漏源导通电阻R_DS(ON)<4mΩ（V_GS=10V）
    高密度单元设计实现更低导通电阻

充分表征的雪崩电压和电流

稳定性好，具有很高的E_AS均匀性

良好的散热封装

100%UIS测试

100%DVDS测试

应用：

电源开关应用

硬开关和高频电路

不间断电源

最大额定值参数（T_A=25℃，除非另有说明）：

热特性：

电气特性（T_A=25℃，除非另有说明）：

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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Typ.

RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Max.

RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Typ.

RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Max.

RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Typ.

RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Max.

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