【产品】80V/200A N沟道功率MOSFET BLM04N08，最大漏源导通电阻为4mΩ
BLM04N08是上海贝岭推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，导通电阻小、低栅极电荷，适用于电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源等。
产品外观和示意图
特点：
漏源电压VDS=80V，连续漏极电流ID=200A
漏源导通电阻RDS(ON)<4mΩ（VGS=10V）
高密度单元设计实现更低导通电阻
充分表征的雪崩电压和电流
稳定性好，具有很高的EAS均匀性
良好的散热封装
100%UIS测试
100%DVDS测试
应用：
电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源
最大额定值参数（TA=25℃，除非另有说明）：
热特性：
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）：
封装标记和订购信息：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由小背篓翻译自上海贝岭，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】萨科微N沟道功率MOSFET器件2N7002，漏源电压高达60V，可适应各种电源电压要求
2N7002是一种N沟道功率MOSFET器件，具有高漏源电压和高效导通等特点，适用于多种应用场合。该器件的漏源电压高达60V，可适应各种电源电压要求。同时，其导通电阻低，最小值为7.5Ω，能够提供更高的效率。此外，MOS管2N700的阈值电压高达2.5V，具有更好的抗干扰能力。该器件采用SOT-23封装，尺寸小巧，便于布局设计和集成。
产品 发布时间 : 2023-09-27
【产品】基于沟槽技术的N沟道功率MOSFET AP1002，栅极总充电电量Qg低至5.2nC
铨力半导体推出一款运用了先进沟槽技术和设计的N沟道功率MOSFET——AP1002，采用SOT-23封装方式，静态漏源导通电阻RDS(ON) 小于250mΩ（VGS=10V，ID=2A时），总栅极电荷Qg低至5.2nC。
产品 发布时间 : 2021-12-25
【产品】漏源电压为20V的N沟道增强型功率MOSFET BLM9926，采用高密度单元模块设计，提供超低漏源导通电阻
上海贝岭推出的N沟道增强型功率MOSFET BLM9926，器件采用先进的沟槽工艺技术，提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)特性并具有低栅极电荷特征，器件适用于各种应用领域，诸如电源开关应用，硬件开关和高频电路以及不间断电源(UPS)等。
产品 发布时间 : 2023-07-01
【产品】CJAB20N03 N沟道功率MOSFET，采用PDFNWB3.3×3.3-8L塑封，漏源电压最大为30V
长晶科技推出的CJAB20N03是PDFNWB3.3×3.3-8L塑封N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术设计，具有低栅极电荷和漏源导通电阻。该器件封装具有良好的散热性，适用于多种应用，包括SMPS，硬开关和高频电路，不间断电源等领域。
新产品 发布时间 : 2020-11-20
【产品】120A/80V N沟道功率MOSFET DIT120N08，导通电阻仅4.9mΩ
DIT120N08是Diotec推出的N沟道功率MOSFET ，无铅，符合RoHS，REACH标准，具有低导通电阻，高开关速度，低栅极电荷，高雪崩能量等优点，广泛应用在DC/DC转换器，电源设备，电动工具等领域。
新产品 发布时间 : 2019-11-15
【产品】4开关N沟道功率MOSFET PL1303N04，漏源电压40V，连续漏极电流25A
PL1303N04是宝砾微推出的4开关N沟道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封装。产品具有较强的体二极管dv/dt能力和雪崩强度，经过100％的UIS测试和Rg测试，适用于DC-DC转换等。
新产品 发布时间 : 2020-06-28
【产品】100V/150A的N沟道功率MOSFET RUH1H150R，采用先进的HEFETⓇ技术
锐骏半导体推出的RUH1H150R是一款N沟道功率MOSFET，采用先进的HEFETⓇ技术，RDS(ON)典型值为3.2mΩ，漏源击穿电压最小值为100V，最大耗散功率为200W，最大结温为175℃，结到壳的热阻为0.75℃/W，结到环境的热阻为62.5℃/W，采用TO220封装。
新产品 发布时间 : 2022-04-09
【产品】DFN5* 6mm封装，100V/74A N沟道功率MOSFET PL0807N10
PL0807N10是宝砾微推出的漏源电压100V的N沟道功率MOSFET。产品采用DFN5* 6mm封装，经过100％的UIS测试，100％的Rg测试，安全性能较好。产品适用于DC-DC转换、SMPS中的同步整流和电机控制等。
新产品 发布时间 : 2020-07-04
【产品】采用DFN封装的40V N沟道功率MOSFET PL1303N04D3/6，连续漏极电流18/25A
PL1303N04D3/PL1303N04D6是宝砾微推出的漏源电压40V的N沟道功率MOSFET。产品体二极管dv/dt能力和雪崩强度较高，经过100％的UIS测试和Rg测试。两个型号分别为DFN3*3mm/5*6mm封装，适用于电机控制等应用。
新产品 发布时间 : 2020-07-02
【产品】30V/40A低压N沟道和P沟道互补型功率MOSFETYJG40NP03A，适用于硬开关和高频电路等相关应用
YJG40NP03A是扬杰科技推出的N沟道和P沟道互补型功率MOSFET，采用沟槽型功率低压MOSFET技术，非常适用于大电流负载应用、负载切换、硬开关和高频电路、不间断电源供应等相关应用。
新产品 发布时间 : 2021-02-07
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论