【应用】P沟道增强型功率MOSFET NCE60P82AD用在5G基站RRU上，最大可支持150W的功率
MOS是常见的功率器件，P沟道功率MOSFET（PMOS管）产品的选用可以简化栅极驱动，往往可以降低系统的总成本，为设计人员提供了一种新的选择。此外，P沟道功率MOSFET产品利用空穴作为载流子进行导电，其迁移率低于N沟道功率MOSFET中的载流子电子，同等情况下，P沟道功率MOSFET产品导电性能弱于N沟道功率MOSFET产品。
如下是5G基站中RRU上的-48V供电系统中部分原理框图，在二级DCDC转换电路中，需要一个PMOS管，主要参数要求为：VDS为-60.00V，VGS 范围支持±20.00 V，ID @在25°C 下最高能到-78.00A，满足工业级标准，封装要求为TO-263，推荐国产品牌。
据此推荐了国产品牌新洁能（NCEP0WER）的P沟道增强型功率MOSFET NCE60P82AD，其特点是：
超低R-ds高密度电荷设计
完全特征化的雪崩电压和电流
稳定性和均匀性好，E-AS高
良好的散热封装
适合大电流负载应用
为了便于客户设计选型，整理出的主要性能参数如下：
从上表中可以看出：
1、NCE60P82AD的VDS 漏-源电压达到了-60V，VGS 栅-源电压可达±20V，满足要求。
2、NCE60P82AD的ID（25℃）漏极直流电流，可达-82A，兼容要求的-78V。
3、操作温度为-55 to 175℃，封装为TO-263-2L也满足要求。
4、亮点一是PD耗散功率可达150W，可以很好的支持大功率、大电流的场景应用。
5、亮点二是EAS 单脉冲雪崩击穿能量可达722mJ，这个参数标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。如果电压过冲值（通常由于漏电流和杂散电感造成）未超过击穿电压，那器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过充电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。因而值越高越好。
6、亮点三是热阻RθJC只有1℃/W，这个参数对于散热设计很重要，关系到MOS管的实际发热量。在设计时，根据计算发热量和测试发热量，适时增加散热装置，如散热器等，如果发热量不是很大，可以不增加，或者采用小型的板载散热片，如果发热量较大的时候，就要考虑使用较大的铝挤散热器或者配合强制风冷等方式。其他的参数需要根据实际情况来确定。
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产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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车规级/工业级
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Technology
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Polarity
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BVDSS(V)
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ID(A)
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VTH(V)
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RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
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RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)
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VGS(th)(V)
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CISS(pF)
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QG(nC)
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PD(W)
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NCE12P09S
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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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SOP-8
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工业级
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Trench
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P
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-12
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-9
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-0.7
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11.5
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18
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14
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22
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±12
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2700
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35
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2.5
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