【产品】低正向压降肖特基势垒整流二极管SB520~SB5200，最大平均正向电流可达5A
DIOTEC致力于半导体二极管和整流器的研发生产，具备成套的专项技术，拥有从晶圆和芯片的生产到组装测试和封装一整条产线。Diotec推出的SB520~SB5200（SB520、SB530、SB540、SB550、SB560、SB590、SB5100、SB5200）肖特基势垒整流二极管（其中SB550、SB5200处于准备阶段），具有低正向压降，高平均正向电流的特点。主要适用于DC/DC输出整流、转换器、极性保护、续流二极管等领域。
图一.封装尺寸图
SB520~SB5200肖特基势垒整流二极管（SB520、SB530、SB540、SB550、SB560、SB590、SB5100、SB5200）的反向重复峰值电压（VRRM）范围为20~200V，最大反向峰值电压范围为（VRSM）20~200V。该系列产品详细参数如以下图表所示。
图二.产品参数1
在环境温度（TA）=50℃时，负载条件下的最大平均正向整流电流（IFAV）为5A。当f>15Hz，环境温度（TA）=50℃时，重复峰值正向电流（IFRM）为20A。在50Hz（10ms）和60Hz（8.3ms）的正弦半波下，正向浪涌峰值电流（IFSM）分别为125A和135A，能够有效的防止浪涌电流烧毁电路元器件。在结温（Tj）为25℃时，SB520、SB530、SB540、SB550、SB560、SB590、SB5100的漏电流（IR）小于500μA（VR=VRRM），SB5200的漏电流（IR）小于100μA（VR=VRRM）。
图三.产品参数2
SB520、SB530、SB540、SB550、SB560的结电容典型值均为250pF，SB590、SB5100的结电容典型值均为210pF，SB5200的结电容典型值为120pF。当IF=5.0A，Tj=25℃时，SB520、SB530、SB540的正向压降VF小于0.55V，SB550、SB560的正向压降小于0.67V，SB590、SB5100的正向压降小于0.79V，SB5200的正向压降小于0.90V。较低的正向压降与μA级别的漏电流可以显著的降低功率损耗与发热。
图四.产品参数3
SB520~SB5200肖特基势垒整流二极管的结温范围为-50℃~150℃，存储温度范围为-50℃~175°C，结至环境热阻（RthA）小于25K/W，结至引线热阻（RthL）小于8K/W, 能够很好的满足工业环境的温度要求，可适应较为恶劣的工业环境。此外，SB520~SB5200肖特基势垒整流二极管采用了DO-201的封装模式，选用材料阻燃等级经过了UL 94V-0认证，重约1g，并通过了符合RoHS，REACH、WEEE和ELV认证且达到无铅标准，是一款绿色环保电子元器件。
图五.输出特性图
SB520~SB5200肖特基势垒整流二极管特点：
低正向压降
高平均正向电流
符合RoHS，REACH、WEEE和ELV认证
SB520~SB5200肖特基势垒整流二极管应用：
DC/DC输出整流
转换器、极性保护
续流二极管
注：后缀-Q：符合AEC-Q101标准（SB550）
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DIOTEC Schottky Diodes&Small Signal Diodes选型表
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM[V]
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Maximum Average Forward Rectified Current IFAV[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Forward Voltage VF[V]
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Forward Voltage IF[A]
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Peak Forward Surge Current IFSM[A]
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Leakage Current IR[µA]
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Leakage Current VR[V]
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Junction Capacitance Cj[PF]
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Junction Capacitance VR[V]
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15SQ045-3G
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Schottky Diodes
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Axial
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D5.4x7.5
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45
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15.00
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150
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0.55
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15.00
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290.00
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200.000
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45
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720
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4
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选型表 - DIOTEC 立即选型
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