【产品】-60V P沟道沟槽式 MOSFET-TMO01P06AJ，零栅极电压漏极电流最大仅-1uA

时间： 2019-11-07 来源：无锡紫光微电子

技术问答

TMO01P06AJ是无锡紫光微电子推出的漏源击穿电压为-60V的P沟道沟槽式 MOSFET。该产品具有超低的Q_gd，通过了100%雪崩测试，安全性能较好。

图1 TMO01P06AJ的符号图

TMO01P06AJ的尺寸为560×560××178µm，体积较小。

图2 TMO01P06AJ的尺寸图

电气特性方面，TMO01P06AJ的漏源击穿电压的最小值为-60V。零栅极电压漏极电流最大仅-1uA（25℃）。漏源导通电阻最大仅320mΩ（V_GS=-10V）或400mΩ（V_GS=-4.5V）。体二极管电压的最大值为-1.2V。工作和存储温度范围为-55~175℃，符合工业级温度要求。

TMO01P06AJ的特点：

-6V，-1A，P沟道

R_DS(on)=400mΩ(Max.)

超低Q_gd

通过了100%雪崩测试

TMO01P06AJ的应用：

DC/DC转换器

AC/DC转换器

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全部评论（1）

sxy4517 Lv5. 技术专家 2019-11-08

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