【产品】EPC推出eGaN功率晶体管,突破了硅器件之前无可匹敌的成本/速度壁垒
全新eGaN®功率晶体管系列以MOSFET器件的价格实现更优越的性能、更小的尺寸及高可靠性。
宜普电源转换公司宣布推出EPC2035(60 V)及EPC2036 (100 V)eGaN功率晶体管,专为在价格方面竞争而设计并且在性能上超越硅器件。 价格是封阻可替代硅MOSFET器件的氮化镓(GaN)晶体管的普及化的最后一个壁垒,而价格已经下降。这些全新产品可以替代硅半导体及为业界续写摩尔定律的辉煌。
我们用作比较的功率MOSFET器件具有可比的最高导通电阻额定值((RDS(on))及相同的最高击穿电压额定值((VDS(max))。此外,以下的数据表比较了显示开关速度的数据,包括QOSS、QGD及 QG,而较低的数值代表器件具备更优越的性能。
此外,与等效MOSFET器件相比,EPC2035 及EPC2036器件的电容小很多。我们也比较了氮化镓及MOSFET器件的面积-- EPC2035/EPC2036的面积大约是等效MOSFET的四十分之一。
功率系统工程师首次可以采用氮化镓元件设计出具备更低的价格、更优越的开关速度及更小的尺寸的最终产品。
开发板
为了简化对这个全新eGaN FET产品系列进行评估,EPC推出开发板,使得工程师可以容易对EPC2035及EPC2036在“电路中”的性能进行评估。他们分别是EPC9049和EPC9050。开发板的尺寸是2” x 1.5”,采用半桥拓扑并包含eGaN FET、板载栅极驱动器、电源及旁路电容。开发板包含所有重要元件并布局为可以实现最高的开关性能。
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
|
ID(A)
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Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
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EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
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