基本半导体碳化硅功率器件的九个问答
深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。基本半导体掌握领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，累计获得两百余项专利授权，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、碳化硅驱动芯片等，性能达到国际先进水平，服务于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球数百家客户。
本文基于基本半导体产品常见的FAQ问题进行了汇总，见下文。
Q1：相较于传统硅基器件，碳化硅功率器件的最大优势是什么？
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（4.9W/cm·K）等特点使得功率半导体器件效率更高，设备的成本、体积、重量等方面都得到了显著降低。
Q2：基本半导体的产品可应用于哪些领域？
基本半导体的碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET、汽车级碳化硅功率模块、混合碳化硅分立器件等产品可应用于新能源汽车、光伏储能、工业电源、轨道交通等领域。
Q3：基本半导体碳化硅肖特基二极管覆盖了哪些电流电压等级？有哪些封装？
基本半导体自主研发各种电流电压等级的碳化硅肖特基二极管。该系列产品具有反向漏电低、正向导通压降低、抗浪涌电流能力高、无反向恢复现象等特点，性能达到行业先进水平，广泛应用于新能源汽车、光伏发电、通信电源、医疗电源、家用电器、PD快充等。
电压：650V/1200V，电流：2A~40A
封装形式：TO-247，TO-220，TO-220F，TO-252，TO-263，DFN5*6，DFN8*8，SMBF等
Q4：基本半导体碳化硅MOSFET产品有哪些特点？
基本半导体自主研发的碳化硅MOSFET具有导通电阻低、开关损耗小、温度特性优良、开启电压高、宽VGS范围（-10V~25V）、易于设计等特点，更适合应用于高压高频电路。在新能源汽车电机控制器、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、高频DCDC电源等领域有广泛应用。
Q5：基本半导体碳化硅MOSFET类产品有体二极管吗？
是的。碳化硅MOSFET分立器件和模块里面都集成了一个体二极管，用于硬换向，不需要再额外并联一个二极管进行使用。
Q6：基本半导体碳化硅MOSFET TO-247-4封装相对于TO-247-3封装有什么优势？
TO-247-4封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管脚，将驱动回路和功率回路解耦开来，开关速度更快，开关损耗更小，同时也有利于驱动回路的布局设计。因此，建议客户在进行新方案设计时，优先采用TO-247-4封装的碳化硅MOSFET产品。
Q7：基本半导体汽车级碳化硅模块有哪些系列产品？应用优势如何？
基本半导体汽车级全碳化硅功率模块产品包含三相全桥MOSFET模块Pcore™6、半桥MOSFET模块Pcore™2、塑封半桥MOSFET模块Pcell™等三个系列。
产品采用全银烧结先进技术，相较于传统硅基IGBT模块具有更高功率密度、可靠性、工作结温，及更低杂散电感、热阻等特性，可大幅提升电动汽车电机控制器的功率密度和效率，在降低电池成本、增加续航里程、缩短充电时间、减少整车重量等方面的表现更为优秀。
Q8：基本半导体混合碳化硅分立器件产品的设计原理是什么？可应用于哪些领域？
基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT（硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使IGBT的开关损耗大幅降低，适用于储能（ESS）、车载充电器（OBC）、不间断电源（UPS）、光伏组串逆变器等领域。
Q9：基本半导体的汽车级碳化硅功率模块制造基地位于哪个城市？具有哪些先进制造能力？
基本半导体汽车级碳化硅功率模块制造基地位于无锡市新吴区，配备了全工艺的模块封装专业设备，采用全银烧结、DTS+TCB（Die Top System + Thick Cu Bonding）等最具代表性的先进工艺及封装技术，以提升产品品质和综合性能。
该制造基地运用前沿的AI和工业互联网技术对产线进行数字化赋能，并采用智能厂务系统，拥有静态千级分区控制的无尘车间，以确保产线安全、高效、高质量运行。目前，该制造基地2022年产能为25万只模块，到2025年产能可达到500万只模块。
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型号- B3D40065HC
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