【选型】Miniskiip Pack3封装内置IGBT4/三菱M7晶圆的IGBT功率模块性能测试对比分析

2019-07-05 世强
IGBT功率模块,IGBT模块,80-M3126PA100M7-K828F70,V23990-K439-F40-PM IGBT功率模块,IGBT模块,80-M3126PA100M7-K828F70,V23990-K439-F40-PM IGBT功率模块,IGBT模块,80-M3126PA100M7-K828F70,V23990-K439-F40-PM IGBT功率模块,IGBT模块,80-M3126PA100M7-K828F70,V23990-K439-F40-PM

本文介绍VINCOTECH Miniskiip Pack3封装内置IGBT4晶圆以及三菱M7晶圆的IGBT模块性能对比测试分析。

一、损耗分析(IGBT功率模块型号:80-M3126PA100M7-K828F70,V23990-K439-F40-PM

测试条件:Vin=566V,Vout=380V,PF=0.8,FSW=4kHz,Rgon=Rgoff=4Ω

图1   MiniSKIIP PACK3 M7与IGBT4在开关频率4kHz功率损耗对比


从对比看出,M7较低的VCE(SAT)在模块功率损耗方面优于IGBT4!


二、 不同开关频率条件下M7与IGBT4损耗对比

测试条件:Vin=566V,Vout=380V,PF=0.8,Rgon=Rgoff=4Ω

图2   不同开关频率条件下M7与IGBT4损耗对比


从对比可以看出:

1、在Rg=4Ω条件下,M7功率损耗要比IGBT4低;

2、超过4kHz的开关频率,IGBT4/M7的损耗都非常高;

3、提高系统开关频率可以通过减小驱动电阻Rg,但这会带来更严重的EMI问题。


三、通过优化门级驱动电阻来解决EMI问题(减小dv/dt)

测试条件:Switching Frequency:4kHz,Vin=566V,Vout=380V,PF=0.8

图3  相同功率损耗条件下,优化驱动电阻来减小dv/dt

1、不同的驱动电阻Rg是用来平衡功率损耗;

2、在整体功率段内,M7的电流尖峰要低于IGBT4。

 3、与IGBT4相比,M7芯片在功耗和EMI性能之间提供了更好的权衡!                 

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