【经验】探讨如何区别PNP型贴片三极管和NPN型贴片三极管
合科泰半导体在本文将对如何区别PNP型贴片三极管和NPN型贴片三极管进行详细的讲解,为工程师们的设计提供理论基础。详细介绍内容如下:
贴片三极管的主要作用是电流放大和开关作用,那么PNP型和NPN型有什么区别?下面带领大家了解一下什么是PNP型贴片三极管和NPN型贴片三极管。
如上图,PNP型贴片三极管由三块半导体构成,其中两块是P型半导体,一个N型半导体,PNP贴片三极管的发射结要正偏,基区电压比发射区电压低,集电区的电压要比基区电压低才能让多数载流子空穴通过集电极,这一点,NPN型贴片三极管则刚好相反。
如何区分PNP型和NPN型?
第一:外观区分法:
从表面来看,首先PNP型贴片三极管的外壳要比NPN型外壳高得多,另外NPN型贴片三极管外壳也有一个突出的标记,其次PNP型贴片三极管的2号和3号引脚是P极接高电位,NPN型贴片三极管的2号和3号引脚是N极,接低电位,也就是两者的引脚是刚好相反的,通常情况下,只要从这些表面的不同就可以简单作出区分。
第二:万能电表区分法:
将电表的红表笔连接贴片三极管的某一个引脚,黑表笔先后分别连接另外两个引脚便可以检测出两个电阻值,若两个电阻值都小于几百欧,进行第二步测试,将红黑表笔对调,重复测试一次,若测出电阻值很大,则说明这是PNP型贴片三极管,如果不满足上述情况,那说明这是NPN型贴片三极管。
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
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合科泰电子NPN晶体管选型表
合科泰电子提供以下参数选型:集电极基极电压VCBO(V):20~900V、集电极-发射极电压VCEO(V):12~800V、集电极电流Ic(mA):20~6000mA、放大倍数(最小)HFE(MIN):10~10K、放大倍数(最大)HFE(MAX):40~3200、耗散功率PD(mW):100~2000mW等
产品型号
|
品类
|
封装形式
|
沟道类型
|
集电极基极电压VCBO(V)
|
集电极-发射极电压VCEO(V)
|
发射极-基极电压VEBO(V)
|
集电极电流Ic(mA)
|
放大倍数(最小)HFE(MIN)
|
放大倍数(最大)HFE(MAX)
|
耗散功率PD(mW)
|
2SC1162
|
NPN晶体管
|
TO-126
|
NPN
|
35
|
35
|
5
|
2500
|
60
|
320
|
750
|
选型表 - 合科泰电子 立即选型
如何给快充充电器选购合适的分立器件?合科泰电子带大家了解下
快充充电器可以显著缩短设备的充电时间,提高使用效率。由于快充充电器可以在短时间内完成充电,因此可以减少设备在充电状态下的能耗,降低碳排放。快充充电器支持多种设备和多种充电协议,可以满足不同用户的需求。快充充电器会用到二极管、三极管和MOS、IC等产品,本文合科泰电子带大家了解下快充产品用到的那些元器件。
合科泰电子 P沟道MOSFET选型表
合科泰电子提供P沟道MOSFET以下参数选型,漏源电压-60V~-8V,连续漏极电流-60A~-0.13A
产品型号
|
品类
|
封装形式
|
沟道类型
|
漏源电压 VDS(V)
|
栅源电压 VGS±(V)
|
连续漏极电流 ID(A)
|
漏源导通电阻 RDS(ON)(Ω)
|
栅极阈值电压(最小) VGS(th)(V)
|
棚极阈值电压(最大) VGS(th)(V)
|
耗散功率 PD(mW)
|
9435
|
P沟道MOSFET
|
S0P-8
|
p
|
-30
|
-20
|
-5
|
0.053
|
-1
|
-3
|
2500
|
选型表 - 合科泰电子 立即选型
【选型】合科泰电子提供肖特基二极管、MOS管等产品,提高扩展坞的核心竞争力
二极管、三极管、MOS管等分立器件在扩展坞产品中用在开关电路、电源管理、电源检测电路、小信号控制电路等中起到开关、整流、稳压等关键的作用。合科泰能为扩展坞客户提供肖特基二极管、普通二极管、三极管和MOS管等产品,提高扩展坞产品的核心竞争力。
深圳市合科泰电子有限公司专业分立器件制造商
型号- MB2XS,HKTD120N04,HKTE120N10,GBPC35X,HKTT350N10,MM1Z XXL,HKTQ150N03,HKTG50N03,ABS210,BZT52CXXS系列,HKTE120N15,HKTG48N10,BZT52CXX,AO34XX,KBPC15X,BZT52CXX系列,MBXS,2N7002KT,MM1Z XX,GBU4X,2N7002K,HKTD5N20,GBP2X,HKTQ60N02,HKTD4N50,HKTG120N04,HKTD20N06,HKTT350N08,BZX84CXXW系列,SMBJXXXCA,AO43XX,HKTD5N50,6206系列,1117系列,DB30XS,BZX84CXX系列,HKT4054,HKT4056,HKTE110N20,SMAJXXXA,HKTD2N60,HKTE130N12,HKTQ80N03,HKTG90N03,HT73系列,ABS10,HT75系列,BSS138W,GBPC25X,SMBJXXXA,HT71系列,HT71,2SK3018W,HT73,SMAJXXXCA,HT75,HKTQ2317,HKTD50N03,GBU35X,BZX84CXXW,BZX84CXX,1117,HKTG40C40,MM1Z XX系列,DB20XS,6206,HKTD7N65,HKTQ40N40,GBJ50X,BZT52CXXS,MM1Z XXL系列,GBJ10X,SI23XX,HKTG150N03,SMCJXXXA,AO46XX,HKTD70N04,HKTE100N10,AO9926A,AO48XX,HKTD15N10,HKTE180N08,AO88XX,SMCJXXXCA,HKTD80N06,DW01,HKTQ30N03,HKTQ30P03,FL8205,HKTD4N65,DB10XS,HKTD80N03,HKTQ65N03
【技术】二极管正向偏置、反向偏置图解
当外部被正向电压偏置时,外部电场和自建电场的相互抑制导致载流子的扩散电流增加以产生正向电流。在电子电路中,二极管的正极连接到高电位端,负极连接到低电位端,二极管导通。此连接方法称为正向偏置,此外还有反向偏置。合科泰半导体在本文将对二极管正向偏置反向偏置图解进行详细的讲解。
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