【产品】-20V/-0.65A的P沟道增强型场效应晶体管YJL3139KT，ESD保护值高达4.5KV (HBM)
扬杰科技专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。其推出的SOT-723封装的P沟道增强型场效应晶体管YJL3139KT，采用沟槽栅低压功率MOSFET技术和低RDS(ON)的高密度单元设计，开关速度快，ESD保护值高达4.5KV (HBM)。该器件的结温和存储温度范围均为-55~+150℃，可以在严苛的温度环境下工作。适用于接口设计、逻辑开关、负载开关和电源管理等应用。
产品封装及等效电路图
产品特征
漏源电压最大额定值为-20V
栅源电压最大额定值为±12V
漏极电流可达-0.65A（TA= 25℃，稳态）
脉冲漏极电流最大额定值-2.6A
总耗散功率最大值为0.18W（TA= 25℃，稳态）
静态漏源导通电阻不超过520mΩ（VGS=-4.5V,ID=-0.6A）
静态漏源导通电阻不超过750mΩ（VGS=-2.5V,ID=-0.5A）
结到环境热阻最大值为694℃/W（稳态）
应用领域
接口设计、逻辑开关
负载开关
电源管理
订购信息
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