【选型】国产超级结功率MOSFET TPP60R350C替代FMP10N60S1在交流变频风机设计，导通损耗和发热量更低
紫光微超级结功率MOSFET TPP60R350C在交流变频风机做国产替代设计，替代富士的FMP10N60S1，其大电流、漏源导通电阻RDS(ON)、Qg等参数更适合交流变频风机系统，在某中央空调系统厂商做交流变频风机的国产替代设计，在楼宇新风系统中测试发现MOSFET温度会低4-6℃。
交流变频风机如图：
交流变频风机系统框图如下：
DSP+MOS DRIVER 输出PWM信号驱动六个TPP60R350C的MOSFET组成的三相全桥主电路，控制电机来驱动轴流风机运转。
离心风机母线电压300V,风机电机工作电流5A,电路中MOSFET工作电压电流设计2倍裕量，选择MOSFET VDS /ID 600V/10-11A,紫光微MOSFET电流11A,比FMP10N60S1 10A稍大，可以容纳堵转、缺相故障导致的更大过流，提高可靠性。紫光微TPP60R350C低RDSON和小Qg可以降低MOSFET功耗，MOSFET发热量降低从而提高系统可靠性。
紫光微TPP60R350C 的漏源导通电阻仅0.3Ω比FMP10N60S1 的0.38Ω低，导通损耗越低，MOSFET在工作时的自身发热也少。
紫光微TPP60R350C Qg典型值21nc 比FMP10N60S1的Qg 28nc低，在一定充电电流下，区间总电荷Qg小的MOSFET会很快度过，这样发热区间时间就短，总发热量就低。
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