【选型】国产超级结功率MOSFET TPP60R350C替代FMP10N60S1在交流变频风机设计，导通损耗和发热量更低

时间： 2020-12-31 来源：世强

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紫光微超级结功率MOSFET TPP60R350C在交流变频风机做国产替代设计，替代富士的FMP10N60S1，其大电流、漏源导通电阻RDS(ON)、Qg等参数更适合交流变频风机系统，在某中央空调系统厂商做交流变频风机的国产替代设计，在楼宇新风系统中测试发现MOSFET温度会低4-6℃。

交流变频风机如图：

交流变频风机系统框图如下：

DSP+MOS DRIVER 输出PWM信号驱动六个TPP60R350C的MOSFET组成的三相全桥主电路，控制电机来驱动轴流风机运转。

离心风机母线电压300V,风机电机工作电流5A,电路中MOSFET工作电压电流设计2倍裕量，选择MOSFET VDS /ID 600V/10-11A,紫光微MOSFET电流11A,比FMP10N60S1 10A稍大，可以容纳堵转、缺相故障导致的更大过流，提高可靠性。紫光微TPP60R350C低RDSON和小Qg可以降低MOSFET功耗，MOSFET发热量降低从而提高系统可靠性。

紫光微TPP60R350C 的漏源导通电阻仅0.3Ω比FMP10N60S1 的0.38Ω低，导通损耗越低，MOSFET在工作时的自身发热也少。

紫光微TPP60R350C Qg典型值21nc 比FMP10N60S1的Qg 28nc低，在一定充电电流下，区间总电荷Qg小的MOSFET会很快度过，这样发热区间时间就短，总发热量就低。

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2021-02-08 - 器件选型代理服务技术支持批量订货

无锡紫光微MOS管选型表

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产品型号	品类	V(BR)DSS(V)	ID(A)	RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)	RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)	V(GS)thmin(V)	V(GS)thmax(V)	Ciss(pF)	Qg(nC)	封装
TTD30N10AT	N-Channel Trench MOSFET	100	20	22	27	1	2.4	4529	37	TO-252

选型表 - 无锡紫光微立即选型

无锡紫光微MOS选型表

无锡紫光微SJ-MOS,Multi-EPI SJ MOS,Trench MOS,DT MOS产品可供选型

产品型号	品类	Package	BVdss(V)	ID(A)Tc=25℃	Vth(V)min	Vth(V)max	Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp	Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
TPW50R060C	Super Junction MOSFET	TO-247	500	47	2.5	4	0.043	0.06

选型表 - 无锡紫光微立即选型

TPD50R360D、TPU50R360D 500V超级结功率MOSFET

描述- 本资料介绍了无锡微电子有限公司生产的500V Super-junction Power MOSFET，型号为TPD50R360D和TPU50R360D。该器件采用深沟槽Super-junction技术，具有极低的开关、通信和导通损耗，适用于高频共振切换应用，提供更高的可靠性和效率。

型号- TPU50R360D,TPD50R360D

2021/1/7 - 无锡紫光微 - 数据手册 - V1.0 代理服务技术支持批量订货

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2019-11-20 - 新产品代理服务技术支持批量订货

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型号- TPW120R800A,TPA120R800A,TPB120R800A

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型号- TPD50R3K8D

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型号- TPA80R300A,TPP80R300A,TPR80R300A

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型号- TPW60R028DFD

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2021/1/19 - 无锡紫光微 - 数据手册 - V1.0 代理服务技术支持批量订货