【产品】650V/60A的IGBT MG6405WZ,集电极-发射极饱和电压典型值为1.5V

2019-11-26 ROHM
IGBT,沟槽弱穿通型绝缘栅双极型晶体管,MG6405WZ,ROHM IGBT,沟槽弱穿通型绝缘栅双极型晶体管,MG6405WZ,ROHM IGBT,沟槽弱穿通型绝缘栅双极型晶体管,MG6405WZ,ROHM IGBT,沟槽弱穿通型绝缘栅双极型晶体管,MG6405WZ,ROHM

为了满足太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC等应用领域的需求,ROHM公司推出了一款沟槽弱穿通型绝缘栅双极型晶体管IGBTMG6405WZ,其集电极-发射极电压最大额定值为650V,集电极标称电流值为60A,特性优势为低集电极-发射极饱和电压(典型值1.5V)、高速开关性能、低开关损耗以及不低于2us的短路耐受时间。同时,一片晶圆最多可以加工568 pcs芯片。该IGBT主要应用于太阳能逆变器、不间断电源、焊接、IH以及PFC等领域。


图1 晶圆外形和MG6405WZ的内部原理图


MG6405WZ的最大额定值参数如下图所示:


MG6405WZ的电气规格如下图所示:


MG6405WZ的芯片尺寸和晶圆信息如下图所示:

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  • 燕子飞 Lv5. 技术专家 2019-11-27
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