【产品】峰值重复反向电压为100V的CDSH270硅肖特基二极管，功耗最大仅为100mW

时间： 2018-11-08 来源：CDSH270

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肖特基二极管,硅肖特基二极管,CDSH270,Central Semiconductor

Central Semiconductor （简称Central）公司是美国的分立半导体公司，半导体产品处于世界领先水平，其运营团队提供最高水平的技术支持，出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的一款硅肖特基二极管——CDSH270，具有较低的正向电压、较低的泄漏电流、更快的响应速度和更结实的封装，该设计可取代1N270锗二极管。其具体实物图如图1所示。

图1.CDSH270硅肖特基二极管实物图

CDSH270硅肖特基二极管的峰值重复反向电压V_RRM为100V，具有较高的反向耐压能力，连续正向电流I_F为100mA。CDSH270具有低反向电流，其最大值为I_R=100nA（VR=50V），在 V_R=50V, T_A=100°C 条件下，最大值I_R为20μA，漏电流所造成的危害较小，从而能够较好地保护芯片不受损坏。CDSH270还具有较低的正向压降，当正向电流I_F为100mA时，正向压降V_F的典型值仅为0.9V，在I_F=1.0mA，T_A=25°C的条件下，正向压降V_F的最大值仅为0.45V。其峰值正向浪涌电流I_FSM为750mA（tp=10ms），峰值重复正向电流I_FRM为350mA，结壳热阻为300°C/W，结电容的典型值为1.2pF(V_R=10V, f=1.0MHz)。工作温度范围为-65℃~+125℃，而存储结温范围为-65℃~+150℃，具有耐高/低温的能力，适应性能强，在恶劣的环境条件下也可正常工作，这提高了其在大功率整流电路设计中的可靠性。其机械尺寸图如图2所示。

图2. CDSH270硅肖特基二极管机械尺寸图

CDSH270硅肖特基二极管的主要特性：

•重复峰值反向电压V_RRM为100V

•高浪涌电流能力（tp=10ms）I_FSM为750mA

•操作范围为-65°C~+125°C

•存储范围为-65°C~+150°C

•结壳热阻Θ_JA为300°C/W

•功率损耗P_D为100mW

•连续正向电流I_F为100mA（T_A=25°C）

•结电容的典型值为1.2pF(V_R=10V, f=1.0MHz)

CDSH270硅肖特基二极管的主要运用领域：

•通信设备

•消费电子

•电力电子功率器件

•电力电子功率模块

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用户13871211 Lv7. 资深专家 2018-11-09

了解下
老五子 Lv7. 资深专家 2018-11-09

小巧。
30787 Lv7. 资深专家 2018-11-08

了解一下
luose Lv8. 研究员 2018-11-08

学习了！
yuyu Lv8. 研究员 2018-11-08

学习了！

国丰 Lv7. 资深专家 2018-11-08

学习了！
当年我挺瘦 Lv5. 技术专家 2018-11-08

学习了

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