【产品】一款高带宽、高读写速度、高性能的CMOS双倍数据速率同步DRAM（SDRAM）

时间： 2018-11-09 来源：Alliance

技术问答

AS4C4M16D1A是一款由美国ALLIANCE公司推出的高速CMOS双倍数据速率同步DRAM（即SDRAM），由于该产品的经典实用性，加上该公司的不停产承诺，时至今日该内存产品在市场上仍然保有良好的活跃度，拥有相当的市场需求量。该款内存如图1所示，可分为商用款和工业款两种，商用款（AS4C4M16D1A-5TCN）的工作温度范围为0~70°C，工业款（AS4C4M16D1A-5TIN）为了符合工业应用的要求，温度范围为-40~85°C。另外，其时钟频率可达200MHz，数据传输速率可达400Mbps/pin，传输速度较高，满足高速读取的需求。

图1 AS4C4M16D1A的选型参数表

AS4C4M16D1A的存储容量为64 Mbits，其内部存储结构为具有同步接口的四路1M x 16DRAM。其数据输出发生在CK和CK#的上升沿，即保证了数据的快速传输，也不会造成数据的冲突碰撞；其读写访问操作是通过突发操作的方式完成的，读写命令在内存片激活命令之后执行。突发操作是从一个指定的位置开始，并以编程的顺序继续编程的位置数，以保证一定的随机存储特性，而不会集中在同一片内存上连续完成读写工作。读写突发操作的字节长度是在初始化时可编程的，可设定为2，4，8字节长度。

除此之外，AS4C4M16D1A可以启用自动预充电功能，以提供在突发序列结束时启动的自定时行预充电；支持刷新功能（自动或自刷新，可在64ms内执行4096个刷新周期）易于使用，还具有可编程DLL选项。通过具有可编程模式寄存器和扩展模式寄存器，系统可以选择最合适的模式以实现性能的最大化。该产品可以满足需要高存储器带宽和高性能应用的要求。

图2 AS4C4M16D1A的功能模块示意图

AS4C4M16D1A为SSTL_2标准的I/O接口，供电电压V_DD & V_DDQ同为2.5V ± 0.2V。是一款高带宽、高读写速度、高性能的DDR SDRAM内存。

AS4C4M16D1A的主要特点：

• 高带宽、高读写速度、高性能的DDR SDRAM内存

• 高时钟频率200MHz，读写速率400Mbps/pin

• 双向时钟信号CK和CK#

• 完全同步操作

• 4组内部内存，每组1M×16bit

• 可编程模式寄存器和扩展模式寄存器

-突发操作长度可设置为2，4，8字节

-突发操作模式：顺序和交错模式

• 自动刷新和自刷新功能

• 64ms内执行4096个刷新周期

• 供电电压V_DD& V_DDQ=2.5V ± 0.2V

• SSTL_2标准的I/O接口

• 封装：66引脚的TSOP II，0.65mm引脚间距

• 无铅化，无卤素产品

AS4C4M16D1A的典型应用：

• 电脑内存

• 网络存储设备

• 有数据存储需求的数字仪器

• 工业自动化设备

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 1
| 转发至：

本文由穿山甲说翻译自Alliance，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（1）

王学峰 Lv5 2018-11-09

很好的

没有更多评论了

【产品】8Gbit双倍数据速率DDR3L同步DRAM（SDRAM）AS4C1G8D3LA，78-ball FPGA封装

Alliance Memory推出了一款结构为128M words x 8 bits x 8 banks、双倍数据速率（DDR3L）同步DRAM（SDRAM）AS4C1G8D3LA。采用双倍数据速率架构，每个时钟周期可传输两次数据，8位预流水线结构可实现高速数据传输。

新产品发布时间 : 2020-03-24

低功耗SDRAM的优势及应用

ALLANCE的DDR3 SDRAM系列具有其速度快、容量大、价格便宜以及功耗低等各种优势，因此可以广泛的应用于图像处理与高速数据采集等场合。

新产品发布时间 : 2016-04-01

【产品】64MB高速CMOS同步SDRAM，具有5.4/5.4ns快速访问时间

AS4C2M32SA系列是Alliance memory推出的64MB高速CMOS同步SDRAM，采用86 pin TSOP II封装，尺寸仅为400 x 875mil。其中AS4C2M32SA-6TCN和AS4C2M32SA-7TCN是商业级存储器，工作温度为0 ~+70℃，AS4C2M32SA-6TIN是工业级存储器，工作温度为-40 ~+85℃。

新产品发布时间 : 2018-06-21

AS4C256M16D3LC 256M x 16 bit DDR3L Synchronous DRAM (SDRAM)

型号- AS4C256M16D3LC-10BAN,AS4C256M16D3LC-12BANXX,AS4C256M16D3LC,AS4C256M16D3LC-10BANXX,AS4C256M16D3LC-12BAN

数据手册 - ALLIANCE - Rev 1.0 - Sept.2020 PDF 英文下载查看更多版本

【选型】替代M品牌的MT41K256M16HA-125E的SDRAM AS4C256M16D3LC-12BCN，功耗更低

Alliance Memory公司新推出的4Gb容量、双倍数据速率-同步DRAM AS4C256M16D3LC（32M words x 16 bits x 8 banks），内部配置为八个bank，采用双倍数据速率架构，可实现高速运行。本文讨论Alliance消费级 AS4C256M16D3LC-12BCN替代M品牌的MT41K256M16HA-125E可行性。

器件选型发布时间 : 2020-08-31

AS4C128M16D3C-93BCN AS4C128M16D3C-93BIN 128M x 16 bit DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM)

型号- AS4C128M16D3C-93BIN,AS4C128M16D3C-93BCN

数据手册 - ALLIANCE - Rev 1.1 - May.2024 PDF 英文下载

AS4C256M8D3LC 256M x 8 bit DDR3L Synchronous DRAM (SDRAM)

型号- AS4C256M8D3LC,AS4C256M8D3LC-12BIN,AS4C256M8D3LC-12BC/INXX,AS4C256M8D3LC-12BCN

数据手册 - ALLIANCE - Rev. 1.0 - Nov.2020 PDF 英文下载

Reliability Qualification Report for DDR4 SDRAM with Pb/Halogen Free (Industrial) (1024M×8, 20nm SDRAM AS4C1G8D4A-62BIN)

型号- AS4C1G8D4A-62BIN

测试报告 - ALLIANCE - July 27, 2023 PDF 英文下载

AS4C256M8D3LB-12BIN,AS4C256M8D3LB-12BCN 256M x 8 bit DDR3L Synchronous DRAM (SDRAM)

型号- AS4C256M8D3LB-12BIN,AS4C256M8D3LB,AS4C256M8D3LB-12BCN

数据手册 - ALLIANCE - Rev.1.0 - May. 2018 PDF 英文下载

AS4C512M16D4A 512M x 16 bit DDR4 Synchronous DRAM (SDRAM)

型号- AS4C512M16D4A-62BIN,AS4C512M16D4A,AS4C512M16D4A-62BCN,AS4C 512M16D4A-62BC/INXX

数据手册 - ALLIANCE - Rev 1.0 - July 2023 PDF 英文下载

Reliability Qualification Report for DDR4 SDRAM with Pb/Halogen Free (1024M×8, 20nm SDRAM AS4C1G8D4A-62BCN)

型号- AS4C1G8D4A-62BCN

测试报告 - ALLIANCE - July 27, 2023 PDF 英文下载

Alliance Memory’s Featured Products at Electronica 2022: eMMCs/DDR4 SDRAMs/1.8V Serial NOR Flash/DDR3 SDRAMs

Compliant with the JEDEC eMMC v5.1 industry standard, Alliance Memory’s eMMC solutions integrate NAND flash memory with an eMMC controller and flash transition layer (FTL) management software in a single package for solid-state storage in consumer, industrial, and networking applications.

原厂动态发布时间 : 2022-10-30