【产品】一款高带宽、高读写速度、高性能的CMOS双倍数据速率同步DRAM（SDRAM）

时间： 2018-11-09 来源：Alliance

技术问答

AS4C4M16D1A是一款由美国ALLIANCE公司推出的高速CMOS双倍数据速率同步DRAM（即SDRAM），由于该产品的经典实用性，加上该公司的不停产承诺，时至今日该内存产品在市场上仍然保有良好的活跃度，拥有相当的市场需求量。该款内存如图1所示，可分为商用款和工业款两种，商用款（AS4C4M16D1A-5TCN）的工作温度范围为0~70°C，工业款（AS4C4M16D1A-5TIN）为了符合工业应用的要求，温度范围为-40~85°C。另外，其时钟频率可达200MHz，数据传输速率可达400Mbps/pin，传输速度较高，满足高速读取的需求。

图1 AS4C4M16D1A的选型参数表

AS4C4M16D1A的存储容量为64 Mbits，其内部存储结构为具有同步接口的四路1M x 16DRAM。其数据输出发生在CK和CK#的上升沿，即保证了数据的快速传输，也不会造成数据的冲突碰撞；其读写访问操作是通过突发操作的方式完成的，读写命令在内存片激活命令之后执行。突发操作是从一个指定的位置开始，并以编程的顺序继续编程的位置数，以保证一定的随机存储特性，而不会集中在同一片内存上连续完成读写工作。读写突发操作的字节长度是在初始化时可编程的，可设定为2，4，8字节长度。

除此之外，AS4C4M16D1A可以启用自动预充电功能，以提供在突发序列结束时启动的自定时行预充电；支持刷新功能（自动或自刷新，可在64ms内执行4096个刷新周期）易于使用，还具有可编程DLL选项。通过具有可编程模式寄存器和扩展模式寄存器，系统可以选择最合适的模式以实现性能的最大化。该产品可以满足需要高存储器带宽和高性能应用的要求。

图2 AS4C4M16D1A的功能模块示意图

AS4C4M16D1A为SSTL_2标准的I/O接口，供电电压V_DD & V_DDQ同为2.5V ± 0.2V。是一款高带宽、高读写速度、高性能的DDR SDRAM内存。

AS4C4M16D1A的主要特点：

• 高带宽、高读写速度、高性能的DDR SDRAM内存

• 高时钟频率200MHz，读写速率400Mbps/pin

• 双向时钟信号CK和CK#

• 完全同步操作

• 4组内部内存，每组1M×16bit

• 可编程模式寄存器和扩展模式寄存器

-突发操作长度可设置为2，4，8字节

-突发操作模式：顺序和交错模式

• 自动刷新和自刷新功能

• 64ms内执行4096个刷新周期

• 供电电压V_DD& V_DDQ=2.5V ± 0.2V

• SSTL_2标准的I/O接口

• 封装：66引脚的TSOP II，0.65mm引脚间距

• 无铅化，无卤素产品

AS4C4M16D1A的典型应用：

• 电脑内存

• 网络存储设备

• 有数据存储需求的数字仪器

• 工业自动化设备

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全部评论（1）

王学峰 Lv5 2018-11-09

很好的

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