【产品】基于超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET NCEP85T10G，采用DFN5X6-8L封装，具有高效高频开关性能
NCEP85T10G是NCE推出的一款基于超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET，采用DFN5X6-8L封装，可以提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON)和Qg的极低组合，该器件的导通和开关功率损耗都被最小化，是高频开关和同步整流的理想选择。
一般特性
VDS=85V，ID=100A
漏源导通电阻RDS(ON)＜5.3mΩ@VGS=10V
优秀的FOM产品：Qg×RDS(on)
非常低的漏源导通电阻RDS(ON)
最高工作温度150℃
无铅电镀
100% UIS测试
100% ΔVds测试
应用
DC/DC转换器
高频开关和同步整流的理想选择
绝对最大额定值参数（TC=25℃，除非特别说明）:
电气参数(TC=25℃，除非特别说明)
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.表面贴装在FR4板，t≤10s
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4.由设计保证，不受产品限制
5.EAS条件：Tj=25℃,VDD=42.5V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω
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