【产品】基于超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET NCEP85T10G，采用DFN5X6-8L封装，具有高效高频开关性能
NCEP85T10G是NCE推出的一款基于超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET，采用DFN5X6-8L封装，可以提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON)和Qg的极低组合，该器件的导通和开关功率损耗都被最小化，是高频开关和同步整流的理想选择。
一般特性
VDS=85V，ID=100A
漏源导通电阻RDS(ON)＜5.3mΩ@VGS=10V
优秀的FOM产品：Qg×RDS(on)
非常低的漏源导通电阻RDS(ON)
最高工作温度150℃
无铅电镀
100% UIS测试
100% ΔVds测试
应用
DC/DC转换器
高频开关和同步整流的理想选择
绝对最大额定值参数（TC=25℃，除非特别说明）:
电气参数(TC=25℃，除非特别说明)
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.表面贴装在FR4板，t≤10s
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4.由设计保证，不受产品限制
5.EAS条件：Tj=25℃,VDD=42.5V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω
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产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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车规级/工业级
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Technology
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Polarity
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BVDSS(V)
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ID(A)
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VTH(V)
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RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
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RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)
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VGS(th)(V)
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CISS(pF)
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QG(nC)
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PD(W)
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NCE12P09S
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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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SOP-8
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工业级
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Trench
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P
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-12
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-9
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-0.7
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11.5
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18
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14
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22
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±12
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2700
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35
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2.5
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选型表 - NCE 立即选型
NCEP6090AGU NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP6090AGU这款N沟道超深槽功率MOSFET。它采用独特的Super Trench技术，提供高效的开关性能，具有极低的导通和切换损耗。适用于高频开关和同步整流。
型号- NCEP6090AGU
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型号- NCEP15T14
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型号- NCEP85T11
NCEP85T14 NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP85T14这款N通道超级沟槽功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术，提供高效的开关性能，具有低导通和切换损耗。适用于高频开关和同步整流。
型号- NCEP85T14
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描述- NCEP0210Q是一款采用Super Trench技术的N-Channel Super Trench Power MOSFET，具有低导通和开关损耗，适用于高频开关和同步整流。该器件具有200V的VDS、10A的ID和145mΩ的RDS(ON)，适用于DC/DC转换器等应用。
型号- NCE,NCEP0210Q
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型号- NCEAP40ND80AG
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型号- NCEAP4065QU
NCEP15T14D NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP15T14D型N通道超深沟槽功率MOSFET的特性。这款器件采用独特的Super Trench技术，优化了高频开关性能，具有低导通电阻RDS(ON)和高频切换效率。适用于高频率开关和同步整流。
型号- NCEP15T14D
NCEAP40T20AGU NCE汽车级N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEAP40T20AGU汽车级N通道超深沟槽功率MOSFET。采用Super Trench技术，提供高效高频开关性能，具有低导通和切换损耗。适用于汽车应用和高频开关及同步整流。
型号- NCEAP40T20AGU
NCEP15T10V N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP15T10V这款N沟道超级 trench 功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术，优化了高频开关性能，具有极低的导通和切换损耗。适用于高频开关和同步整流。
型号- NCEP15T10V
NCEP02590T NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP02590T型N通道超深沟槽功率MOSFET。这款器件采用独特的Super Trench技术，优化了高频开关性能，具有极低的导通和切换损耗。其主要特点是低RDS(ON)和高Qg组合，适用于高频开关和同步整流。
型号- NCEP02590T
电子商城
品牌：NCE
品类：Half Bridge Dual N-Channel Super Trench Power MOSFET
价格：
现货： 0
品牌：NCE
品类：Half Bridge Dual N-Channel Super Trench Power MOSFET
价格：
现货： 0
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
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