【产品】基于超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET NCEP85T10G，采用DFN5X6-8L封装，具有高效高频开关性能

时间： 2023-05-23 来源：NCE

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NCEP85T10G是NCE推出的一款基于超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET，采用DFN5X6-8L封装，可以提供最高效的高频开关性能。得益于R_DS(ON)和Q_g的极低组合，该器件的导通和开关功率损耗都被最小化，是高频开关和同步整流的理想选择。

一般特性

V_DS=85V，I_D=100A

漏源导通电阻R_DS(ON)＜5.3mΩ@V_GS=10V

优秀的FOM产品：Q_g×R_DS(on)

非常低的漏源导通电阻R_DS(ON)

最高工作温度150℃

无铅电镀

100% UIS测试

100% ΔVds测试

应用

DC/DC转换器

高频开关和同步整流的理想选择

绝对最大额定值参数（T_C=25℃，除非特别说明）:

电气参数(T_C=25℃，除非特别说明)

注：

1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制

2.表面贴装在FR4板，t≤10s

3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%

4.由设计保证，不受产品限制

5.EAS条件：T_j=25℃,V_DD=42.5V,V_G=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω

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