【选型】国产DDR终端稳压器可完全替代TPS51206DSQT，工作温度范围VTT+0.4V-305V
随着PC机和服务器中主处理器的发展，越来越多的双倍速率数据（DDR）存储器被使用，同时输入电压变得越来越低，空间限制要求也越来越高。TI的TPS51206 是一款经典的具有 VTTREF 缓冲参考输出的灌/拉电流双倍速率数据 (DDR) 终端稳压器，该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部元件数的空间受限类系统而设计。目前受到中美贸易战的影响，TI的芯片价格水涨船高，急需要国产高性能的芯片去替代它，本文就如何用国产思瑞浦DDR终端稳压器TPL51206-DFFR 去替代TPS51206DSQT做一个分析。
图1：DDR3内存条
图2：TPS51206DSQT与TPL51206-DFFR的参数对比表
我们通过分析两者的基础参数发现：
1、TPS51206DSQT与TPL51206-DFFR大致上的输入输出电压范围都是差不多的，灌/拉电流的能力均为2安培，这表现在替换的时候可以不用担心因为输出能力不匹配而无法实现替换。
2、从工作温度范围上比较，TPL51206-DFFR表现的更加出色，可以达到125摄氏度。这对于一些工作在高温场景的处理器，PC机，都具有十分重要的意义，为它们的可靠工作保驾护航。
图3：TPS51206DSQT与TPL51206-DFFR的封装管脚顺序对比
图4：TPS51206DSQT与TPL51206-DFFR的典型应用电路图对比
通过对比两者的封装管脚信息和典型应用的电路图，可以发现两者的封装大小与管脚顺序都是一致的，使得在进行替换验证的时候不需要重新去设计PCB，这大大减少了验证的时间成本，使得可以快速进入量产阶段。
最后，TPL51206-DFFR内部集成功率MOSFET，具有快速的负载瞬态响应，内置软启动和UVLO、电流限制和热保护、停机保护。非常适合DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗DDR3和DDR4 VTT的电源应用。同时思瑞浦作为国产领先的模拟IC设计公司，可以提供稳定的供货支持和及时高效的技术支持。
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思瑞浦（3PEAK）线性稳压与基准选型表
低压差、高PSRR，低功耗，低噪，最大输出电流（mA）：150~3000，更有DDR端供电专用LDO，具有灌、拉电流能力。
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产品型号
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品类
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Status
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Rating
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Package
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Maximum Output Current(mA)
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Iq(mA)
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PSRR @1KHz (dB)
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Dropout(mV)
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Input Voltage(V)
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Accuracy(max)
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Noise(μVRMS)
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TPL503133-S5TR
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LVLDO
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Production
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Industrial
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SOT23-5
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300
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0.055
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70
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250
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1.5~5.5
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±2%
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178
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选型表 - 思瑞浦 立即选型
3PEAK高性能隔离器
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型号- TPL51200,TPL51200-DF8R-S,TPL51200G-DF8R-S,TPL51200G-S,TPL51200-S SERIES,TPL51200 SERIES,TPL51200-S
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型号- TPL51200,TPL920,TPL930,TPL51206
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