【应用】高阻断电压碳化硅MOSFET LSIC1MO120E0080,LSIC1MO120E0160在高频感应加热的应用
高频感应加热广泛的应用在各行各业对金属材料的热加工、热处理等工艺中。相对于传统加热方式,高频感应加热有众多的优点:高效、节能、噪声小、污染少、加热速度快、受热均匀、能动态实现负载匹配。其原理是利用谐振电路产生的交变磁场在受热加工件中产生涡流电流,通过涡流电流损耗发热来实现加热。如下面图片所示:
常见的加热设备有两种谐振回路方式:串联谐振回路和并联谐振回路。下图为在炼钢行业中采用的并联谐振回路原理图。原理简述如下:380V交流电压经过三相不控整流后经Ld- Cd低通滤波器滤波后变成直流电压,经过IG1开关管斩波控制(功率管IG1、电感Lda和二极管D组成降压型BUCK电路),调节输出电压给后级的逆变器提供功率。由于Lda大电感的存在,后级电流是平直的大电流,与后级的逆变器组成电流型全桥逆变器。全桥逆变器通过调节开关频率可以调节Cp- Lr-Rr并联谐振回路的状态:容性状态、感性状态或者谐振状态。Cs是升压电容。
感应加热的关键技术众多,其中的一个难点问题就是功率管的可靠性。在进行如上所示的电流型逆变器功率管选型时必须考虑如下几点:
1. 功率管必须支持高频应用
炼钢行业高频感应加热中功率一般都是几百千瓦级,开关管子的功率一般都是200KHZ以上,所以IGBT功率管在此处并不适用。
2. 功率管并联性要好
炼钢行业高频感应加热流过功率管的电流大,一般采用多个功率管并联的方式,如下图所示,需要功率管具有负温度特性 。
3. 耐高压,耐高温,导通电阻小,损耗小
前级电路通过不控整流后约为540V,所以后级的功率管耐压一般选择其1.5~2倍,为其耐压留有空间。另外由于流过功率管的电流大,功率管的导通电阻越小越好,同时要求有热阻低,开关过程中损耗小,防止发生热失控。
针对以上的设计要求,LITTELFUSE公司推出的两款高阻断电压的SiC-Mosfet(LSIC1MO120E0080、LSIC1MO120E0160)很适合在并联谐振型高频感应加热中应用。这两款Sic-MOSFET都具有1200V的阻断电压,满足上述的电流逆变器的功率管的耐压要求,除此以外还有超低的导通阻抗:80mΩ和160mΩ,与同规格的Si-MOSFET相比,导通阻抗减少了3倍以上,而且Sic-MOSFET比Si-MOSFET的低的多的体二极管反向恢复电流与关断损耗,整体的损耗降低会降低好几成,这意味着比Si-MOSFET低得多的发热量。
其主要的参数如下:
型号 | 源漏极电压 (V) | 连续漏极电流(Tc < 100°C) (A) | 运行时结温温度承受范围(°C) | 热阻(结到管壳)(°C/W) | 开通延时+上升时间1(ns)
| 关断延时+下降时间1(ns) |
LSIC1MO120E0080 | 1200 | 25 | -55~150 | 0.7 | 10+10 | 16+16 |
LSIC1MO120E0160 | 1200 | 14 | -55~150 | 1 | 12+8 | 19+14 |
备注:
1. 测试条件VDD = 800 V, VGS = -5/+20 V, ID = 20 A, RG-ext = 2 Ω, RL=40Ω,Timing relative to VDS
从上面的数据我们可以看到,宽的结温运行范围可以保障感应加热设备在很高的发热量的工况下也能正常工作,极低的热阻也便于热量的快速散发出去。开通和关闭时间的整体没有超过55ns,在良好的散热条件下,即使在上MHZ的开关频率下Sic-MOSFET也能可靠的开通和关断。
LSIC1MO120E0080 、LSIC1MO120E0160应用在感应加热设备中,不但自身的发热量低,散热特性好,阻断电压高,而且宽的运行结温运行范围也为其可靠的运行提供了保障,超低的开通和关闭时间满足谐振回路对频率的要求并留有足够的设计余地。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 3
本文由彩虹II提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
评论
全部评论(3)
-
nsqnq Lv6. 高级专家 2020-12-10不错
-
沙鱼 Lv7. 资深专家 2020-11-22顶
-
慧慧1985 Lv7. 资深专家 2019-01-23学知识,下载,学习,关注,收藏
相关推荐
电动游艇——零排放水上运动,电机驱动由SiC-MOSFET DIF120SIC022-AQ提供动力
DIOTEC的SiC-MOSFET DIF120SIC022-AQ是高效船形驱动逆变器的完美器件。它在100℃的外壳温度下提供1200V的漏源电压和85A的连续漏电流。它采用4脚TO-247封装,配备开尔文源(Kelvin)触点。这使得可以实现高速开关,减少功率损耗和有高可靠运行。它非常适合用于电动游艇的高压电池,现在正被海军部门采用。
华轩阳电子17款电压等级从650至1700V不等的碳化硅MOSFET产品推荐——工业与新能源汽车领域
碳化硅(SiC)功率器件已在全球工业和新能源汽车领域展现出了强大的竞争优势。华轩阳电子研发生产的17款高性能碳化硅MOSFET产品系列,这些产品凭借其出色的VDSS、RDON和ID参数范围,以及TO247封装形式,为不同应用需求提供了最佳解决方案。
森国科多款SiC MOSFET可用在开关电源、逆变器、充电桩等领域,开关速度快
针对不同功率的应用场合,森国科1200V、1700V的SiC MOSFET都可以满足,也可以满足满足不同功率充电器中不同电路位置的要求。
SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效,宽耐压,开关损耗降低50%
世强硬创联合瑶芯微,爱仕特,派恩杰,瞻芯电子,中电国基南方,带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品,最高1700V宽耐压,开关损耗降低50%。
派恩杰(PN Junction)碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南
型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4
GPT080M0120HBMXT1碳化硅MOSFET
描述- 本资料详细介绍了GPT080M0120HBMXT1型碳化硅MOSFET的特性、参数和应用领域。该产品具有低开关损耗、低栅极电荷、快速高频操作等特性,适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源和电机驱动等领域。
型号- GPT080M0120HBMXT1
【元件】基本半导体新推出Pcore™2汽车级DCM碳化硅MOSFET模块,工作结温高达175℃
汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块PcoreTM2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块。产品具有低动态损耗、低导通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点,可支持连续运行峰值结温至175℃,以及具备650Arms以上连续峰值相电流输出。
【元件】瞻芯电子新推TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET,已通过AEC-Q101认证
瞻芯电子正式量产了一款TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)产品(IV1Q12160D7Z),该产品通过了严格的车规级可靠性测试认证(AEC-Q101)。
GPT040M0120HBMX1碳化硅MOSFET
描述- 该资料详细介绍了GPT040M0120HBMX1型碳化硅MOSFET的特性、最大额定值、绝缘特性、热特性、电气特性、动态特性、开关特性、体二极管特性、热敏电阻特性以及典型特性曲线。该产品适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源、电机驱动、能源存储和UPS等领域。
型号- GPT040M0120HBMX1
B2M040120Z碳化硅MOSFET
描述- 本资料介绍了B2M040120Z型号的碳化硅(SiC)MOSFET的特性、最大额定值、电学特性、热特性、典型性能和应用领域。该器件具有低导通电阻、高阻断电压、低电容等特点,适用于开关电源、逆变器、电机驱动器和电动汽车充电站等领域。
型号- B2M040120Z
芯众享面向光伏及储能领域推出碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品,电流范围10~40A可选
芯众享面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。
G2M080120D7碳化硅MOSFET
描述- 本资料详细介绍了G2M080120D7型碳化硅MOSFET的特性、参数和应用领域。该产品具有低开关损耗、低栅极电荷、快速高频操作等特性,适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源、电机驱动和储能系统等领域。
型号- G2M080120D7
【产品】雪崩耐受性强的碳化硅MOSFET FF06030系列,具有更高的系统效率,允许使用高温应用
即思创意推出的碳化硅MOSFET–Falcon Series FF06030具有快速切换行为的优化RDS(on),能够与标准栅极驱动器兼容,雪崩耐受性强。其具有更高的系统效率,允许使用高温应用并进行高频操作,可靠性高,符合RoHS标准且无卤素。
ROHM碳化硅MOSFET为Midnite Solar四款太阳能充电控制器提供高效率、低成本解决方案
ROHM近日宣布,各种可替代能源产品的领先制造商Midnite Solar公司采用ROHM的碳化硅MOSFET来提高效率和降低系统成本。Midnite Solar在其新的太阳能产品系列中使用了ROHM的60mΩ RDS(on)碳化硅器件和较新的30mΩ RDS(on)产品。
G2M060120N碳化硅MOSFET
描述- 本资料详细介绍了G2M060120N型碳化硅MOSFET的特性、参数和应用领域。该产品具有低开关损耗、低栅极电荷、快速高频操作、快速反向恢复体二极管等特点,适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源、电机驱动和储能系统等领域。
型号- G2M060120N
电子商城
现货市场
登录 | 立即注册
提交评论