【产品】高达8A的IGBT/MOSFET驱动器SID11x1K

时间： 2019-01-08 来源：Power Integrations

该驱动器应用于高达650V关断电压的IGBT/MOSFET,具有高达8安培的单通道栅极驱动能力并提供增强的电气隔离。

单通道IGBT驱动器/单通道MOSEFT驱动器产品的亮点：

高集成度，紧凑封装
分离输出提供高达8安培的峰值驱动电流
集成FluxLink^TM技术
轨到轨稳态输出电压
仅需单极性电压源就可以给驱动次级提供正负电压
适用于关断电压为 600V/650V/1200V的IGBT和MOSFET半导体器件
高达75KHZ的开关频率
信号传导延时抖动在+/-5ns之内
运行环境温度：-40℃ 到125℃
高的共模瞬态干扰抑制能力
采用带有9.5mm的电气间隙和爬电距离的eSOP封装

带有eSOP封装的单通道IGBT和MOSEFT驱动器高级保护/安全特性

隔离变压器的初级和次级提供欠压保护和故障反馈
采用监控Vcesat电压（源漏极饱和电压）的短路电流保护方案，并提供故障反馈
高级软关断（ASSD）

带有eSOP封装的单通道IGBT和MOSEFT驱动器绿色封装

无卤素和ROHS认证

带有eSOP封装的单通道IGBT和MOSEFT驱动器应用方面

l 电动传输

l 通用驱动器

l 通用工业设备

带有eSOP封装的单通道IGBT和MOSEFT驱动器产品描述

SID11x1K是一种带有eSOP封装的单通道IGBT和MOSEFT驱动器。PowerIntegration公司创新的固态绝缘技术给该器件提供增强的电气隔离能力。高达8安培的峰值输出电流使得该驱动器可以驱动高达600安（典型值）的功率器件而不需要增加额外的有源器件。对于有些需要超过该模块的驱动能力的应用，该模块提供了接口，用于连接外部的功率放大电路（Booster电路）。另外，用于门级控制的正负极性驱动电压可以由单极性的电压源提供。

其他的特性像带有软关断的短路电流保护，驱动变压器原副边欠压保护，带有温度补偿和输出阻抗补偿的轨到轨输出电压，为器件即使在严酷的环境中可靠的运行提供保障。

控制器信号（PWM和故障）与5VCMOS逻辑信号兼容，同时它也可以通过外部的分压电阻调节到15V的电压水平。

产品组合：

产品型号¹	输入峰值电流(安)
SID1151K	5.0A
SID1181K	8.0A

备注：

1.所有封装都为eSop-R16B

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由彩虹II翻译自Power Integrations，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】三相1200V/450A SiC MOSFET 智能功率模块，用于电动汽车电机驱动或电力逆变器

本文介绍了一种用于电动汽车电机驱动或电力逆变器的新型三相1200V SiC MOSFET 智能功率模块（IPM），含有栅极驱动器和三相全桥SiC MOSFET功率电路，可用于水冷功率系统，优化了功率模块的电气、机械和散热设计及其控制驱动。

2021-08-08 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】传播快、延迟长！电动汽车驱动控制不可或缺的电容隔离器Si8286

Silicon Labs的一款电容隔离门驱动器Si8286，因具有快速传播、低延迟和紧密时间变化等特点，非常适合于汽车电力驱动器的隔离应用中。

2016-12-19 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】高耐压低噪声的600V/0.5A的MOSFET

新电元的P0R5B60HP2是一款SMD封装的N沟道耐高压MOSFET，总门极电荷Qg典型值仅为4.3nC，有着较好的开关性能。可用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。

2018-03-08 - 新产品代理服务技术支持采购服务

不得不说的电力电子系统中IGBT保护者之吸收电容

在电力电子系统中，IGBT常常是主要的开关器件，IGBT损坏，可能会导致相当大的经济损失，为了抑制尖峰电压，除了在IGBT驱动器上采用一定的措施如有源钳位等进行电压钳位外，还需要在直流母线两端添加吸收电容，吸收掉尖峰电压。

2016-06-19 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

世强硬创携6G/AI服务器/新能源等十二大主题新产品亮相2024慕尼黑上海电子展

十二大主题展区涵盖6G＆AI＆服务器、功率半导体、电气自动化、新材料、电源＆显示屏、传感技术、汽车电子＆EV、新能源＆电力、IOT＆智能家居等新产品新技术新方案。

2024-07-11 - 公司动态

格力新元电子携带多款核心产品参加2024第十二届上海国际新能源汽车生态链博览会

本次展会，格力新元电子的展品涵盖电机驱动系统、导航仪表、直流电压转换器DCDC、照明系统、车载充电机OBC、空调系统、动力转向系统和电池管理系统等新能源汽车核心应用领域，提供车载用电子器件解决方案和服务，推动新能源汽车产业升级。

2024-08-12 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

【成功案例】基于MOSFET驱动器,SGM48000XTDE8G/TR的太阳能汽车充电控制器设计方案

新能源汽车发展如火如荼，对新能源汽车的充电有支流充电桩、交流充电桩、低端充电机等多种方式。本文介绍一种利用太阳能电池板给汽车电池充电的方案。SGMICRO的MOSFET驱动器SGM48000XTDE8G/TR在DC-DC设计中具有很好的优势，尤其是其TDFN-2×2-8L的封装，可以很大程度上节省空间，方便设计。

2018-10-08 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

瞻芯电子解读特斯拉Model Y电动汽车Gen-4 主驱逆变器的设计改进和创新

特斯拉Model 3 电动汽车主驱逆变器率先应用碳化硅(SiC) MOSFET，开启了EV动力总成设计的新篇章。本文将比较Model Y和Model 3车型，并列举在主驱逆变器上的主要设计改进和创新。

2023-04-11 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

上海贝岭携汽车电子产品参展SEMI-e2024第六届深圳国际半导体展，车规功率器件助力新能源汽车降本增效

上海贝岭介绍电能计量芯片，1200V特高压硅基N沟道增强型平面MOSFET，一通道线性LED驱动器，自钳位绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件和HPD模块等多种产品参展SEMI-e2024第六届深圳国际半导体展。上海贝岭市场总监带来“贝岭车规功率器助力新能源汽车降本增效”的主题演讲。

2024-06-29 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

电动汽车充电的离散解决方案

描述- 本文介绍了电动汽车充电系统的分类，包括高功率快速充电站、低功率壁盒和车载充电器。文章重点介绍了离散功率元件在电动汽车充电系统中的应用，包括输入整流器、功率因数校正/升压或升压/降压转换器、辅助电源、门极驱动器和控制电路。文章还详细列出了Diotec半导体公司提供的适用于这些应用的二极管、MOSFET和线性稳压器等产品的规格和特性。

型号- UGB8JT,BYG23T,LDI1117 SERIES,DBI25-08A,DBI25-18A,DI012N60D1,DIJ020N60,ESD9BL0522P,DBI20-16B,TGL200CF08,AM2000,BYG10M,SMS560-3G,DBI20-08B,BYG10K,DI6206 SERIES,FR2YSMA,DI79L SERIES,1.5SMC550CA,ESD5Z3V3,ESD9BL24P,ESD5Z3V12,P6SMB400CA,SK34SMA-3G,UFT800J,P6SMB550CA,1.5SMC400CA,MUR860,MURF2060CT,P2500Y,P2500T,DI78L SERIES,DI78M SERIES

10/2020 - DIOTEC - 商品及供应商介绍 - Version 10/2020 代理服务技术支持采购服务

必易微新推650V高可靠半桥栅极驱动器KP85402，具有完善保护功能，聚焦家用电器、工业新能源等应用

必易微新推出的栅极驱动器KP85402，聚焦家用电器、工业新能源等应用场合，可为客户提供高可靠性、低成本栅极驱动解决方案。KP85402开关节点耐压为650V，输出峰值拉电流和灌电流能力分别为300mA和1000mA，专用于驱动功率MOSFETs或IGBTs。KP85402在开关节点VS瞬态-60V（100ns）情况下可保证系统正常工作，可支持100V/n的dv/dt变化。

2024-01-10 - 产品代理服务技术支持采购服务

芯进电子接受ACE亚洲充电展专访：看好新能源行业长期发展

2024（春季）亚洲充电展于 3 月 20 日-22 日在深圳福田会展中心 6 号馆举办，此次展会举办之前芯进电子接受了充电头网的专访，分享芯进电子对于目前行业形势的看法。下面就让我们一起来看看吧。

2024-04-13 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

IXD_609SI汽车级9安培，低压侧，超快MOSFET驱动器

描述- 该资料介绍了IXD_609SI汽车级高速栅极驱动器，具备AEC Q100认证。该产品可提供高达9安培的峰值源/漏电流，工作电压范围为4.5V至35V，具有宽温操作范围（-40°C至+125°C）。IXD_609SI适用于汽车直流/直流稳压器、电子助力转向和电动汽车动力系统等领域。

型号- IXDN609SI,IXDD609SITR,IXDI609SITR,IXD_609SI,IXDI609SI,IXDN609SITR,IXDD609SI

10/25/2017 - IXYS - 数据手册 - R02 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

IX4351NE 9A低压侧SiC MOSFET和IGBT驱动器

描述- 该资料介绍了IX4351NE是一款专为驱动SiC MOSFET和高功率IGBT设计的门极驱动器。它具有独立的9A峰值源和漏输出，支持-10V至+25V的工作电压范围，并具备内部电荷泵稳压器、欠压锁定（UVLO）、热关断等功能。此外，还提供了过电流检测和保护功能，适用于板载充电器、DC-DC转换器和电动汽车充电站等应用。

型号- IX4351NETR,IX4351NE

4/30/2021 - IXYS - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本