【产品】普罗森美LP12系列贴片式电阻器额定功率0.5W，电阻精度高达1%，电阻值100~910mΩ

LP12系列片式电阻器

该资料介绍了Prosemi公司生产的LP12系列贴片电阻的特性、规格和应用。这些电阻采用专有工艺制造，具有极低的阻值、低电感、低热电动势等特点，适用于各种电路保护应用。

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BLP12N10G-Q PCBLIB&SCHLIB&INTLIB

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【选型】普罗森美（PROSEMI）电路保护产品选型指南

品牌及产品线介绍    功率型TVS瞬态抑制二极管    ESD静电抑制器    高分子聚合物ESD    TSS 晶闸管电涌抑制器    陶瓷气体放电管    PPTC 可恢复保险丝    一次断保险丝    熔断器    电流感应电阻    开尔文结构电流感应电阻   

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HN-LP12-0.5-1.27(9.4-2.8) 装配图

该资料描述了一种技术要求，包括绝缘电阻、介电耐压、密封漏率、使用寿命和温度范围等参数。具体要求如下：绝缘电阻需达到≥5000MΩ@500V，介电耐压≥300V，密封漏率≤1.013x10^-3Pa·cm^3/S，使用寿命≥500次，温度范围在-65℃至+155℃之间。产品型号为HN-LP12-0.5-1.27，由成都恒利泰科技有限公司提供。

HENRYTECH  -  HN-LP12-0.5-1.27(9.4-2.8)

普罗森美公司简介

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SLP120N10G 100V N沟道MOSFET

该资料介绍了Msemitek生产的SLP120N10G型100V N-Channel MOSFET。这款器件采用先进的屏蔽栅极MOSFET技术，具有低导通电阻、快速开关性能和高能脉冲承受能力。适用于低压应用，如DC/DC转换器和便携式电池供电产品的电源管理。

美浦森  -  100V N -CHANNEL MOSFET,POWER MOSFET,100V N沟道MOSFET,功率 MOSFET,SLP120N10G,PORTABLE PRODUCTS,电源管理,POWER MANAGEMENT,电池供电产品,BATTERY OPERATED PRODUCTS,便携式产品

BLP12N10GL MOSFET

BLP12N10GL是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术，降低导通损耗，提高开关性能。适用于同步整流和高速开关应用。

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BLP12N10G BLP12N10G-Q N沟道增强型功率MOSFET

该资料介绍了BLP12N10G这款N通道增强型功率MOSFET的特性、绝对额定值、热特性、电气特性、特性曲线、测试电路和波形图以及封装描述。BLP12N10G采用先进的双沟槽技术，具有低导通电阻、低栅极电荷、高雪崩鲁棒性等特点，适用于同步整流和高速开关应用。

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