【产品】TO-247封装的700V超结功率MOSFET TPW70R190MFD，导通电阻仅0.19Ω
TPW70R190MFD是无锡紫光微电子推出的漏源电压为700V的超结功率MOSFET，采用TO-247封装，丝印代码为70R190MFD。该产品的品质因数极低，能量转换效率较高，通过了100％雪崩测试，可靠性较高，符合RoHS标准，对环境友好。TPW70R190MFD主要应用于开关电源、不间断电源和功率因数校正。
图1 TPW70R190MFD的产品图
电气参数方面，TPW70R190MFD的工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，符合工业级温度要求。漏源电压为700V，耐压性强。连续漏极电流为20A，脉冲漏极电流为60A。导通电阻低，最大仅0.19Ω。总栅极电荷为42nC。体二极管的的反向恢复时间为112ns，反向恢复电荷为0.54uC，峰值反向恢复电流为9.6A（@VR= 400V, IF= IS,diF/dt= 100A/μs），产品的响应较快。
图2 TPW70R190MFD的参数图
TPW70R190MFD的特点：
具有超快速体二极管
极低品质因数（FOM）RDS(on)×Qg
通过了100％雪崩测试
符合RoHS标准
TPW70R190MFD的应用：
开关电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
功率因数校正（PFC）
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
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