【产品】三款N通道增强模式功率场效应晶体管,国际标准封装

2018-05-20 Littelfuse
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全球电路保护领域的领先企业LITTELFUSE的子公司IXYS推出的三款功率场效应晶体管——IXTU1R4N60PIXTY1R4N60PIXTP1R4N60P,均为N通道增强模式,按国际标准封装,具有低封装电感快速的内置整流器,并具有低QG、大功率密度和节省空间易于安装的优势,尤其适合应用于直流-直流转换器、开关模式和共振模式电源、交流和直流电机驱动、激光、火花点火器、射频发生器的放电圈、高压脉冲功率应用等领域。


IXTU1R4N60P、IXTY1R4N60P、IXTP1R4N60P三个系列功率场效应晶体管的自重分别为0.40g、0.35g和3.00g。其他参数相同。


三款MOSFET的电压与电流参数:

三款源极-漏极二极管相关参数:

三款场效应晶体管模块外形图、线路图及尺寸图:

图1  三款场效应晶体管模块

 

图2  三款场效应晶体管模块线路图

 

图3  IXTU1R4N60P系列场效应晶体管模块尺寸图

 

图4  IXTY1R4N60P系列场效应晶体管模块尺寸图

 

图5  IXTP1R4N60P系列场效应晶体管模块尺寸图

 

三款场效应晶体管模块突出特点与优势

·N通道增强模式

·国际标准封装

·低QG

·低封装电感型

·快速的内置整流器

·大功率密度

·易于安装

·节省空间

 

三款场效应晶体管模块应用领域

·直流-直流转换器

·开关模式和共振模式电源

·交流和直流电机驱动

·激光、火花点火器、射频发生器的放电圈

·高压脉冲功率应用


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Littelfuse(力特)IXYS功率半导体选型指南

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型号- R1280NC25M,MCD 26-16IO1B,N2055HE420,IXTT 30N50L2,R1280NC25K,R1280NC25L,MCD 56-18IO8B,IXBOD 2-52R,R1280NC25J,IXTQ 52N30P,MCK 200-18IO1,IXYR 100N120C3,LSIC2SD120C05,MDC600-22IO1W,IXYH 16N250CV1HV,LSIC2SD120C08,M0863LC360,IXTP 100N15X4,VBO 125-08NO7,DPG 15I200PA,F1600NC080,IXTH 1N450HV,T0600TB45A,LSIC2SD065E40CCA,DSEP 2X91-03A,IXBOD 2-51R,IXTX 4N300P3HV,IXTA 36N30P,VBO 72-18NO7,M4305TJ240,IXFR 64N60P,N6405EA240,IXYR 50N120C3D1,MCD580-28IO7,VUO 25-14NO8,0440 007.WRA,IXFY 36N20X3,VBO 25-12NO2,IXTT 120N15P,M1010NC400,IXBH 6N170,MCC 56-14IO1,VBE 26-06NO7,MCD160-30IO3,SXB4869G,IXTJ 3N150,DHG 10I1200PM,IXTH 120P065T,VTO 39-08HO7,IXFN 32N80P,IXTL 2N450,DMA 30P1600HR,IXBOD 2-54R,MDK950-18N1W,CS 20-25MOT1,IXBOD 2-55R,IXTK 140N20P,IXTR 48P20P,DH 20-18A,W2115MC560,IXTP 05N100P,IXFT 18N90P,QJ8030LH4TP,N4340TJ180,DMA 30P1600HB,W3841VC340,MKH 17RP650DCGLB 11,,SXB4649HEXT,IXBOD 2-17RD,DSEP 40-03AS,IXFH 42N50P2,Q8025K6TP,IXFH 22N50P,DPG 30C200HB,DSI 30-12AS,MCMA 240UI1600ED,IXBOD 2-53R,M0367WC220,VUM 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20N120B4,MCC500-22IO1,IXFH 50N85X,W3842MC280,DSSK 40-008B,DSSK 60-02A,IXFR 102N30P,N4472HK160,IXFH 12N120P,H0700KC17Y,MCC320-36IO2,M1494NK250,XSL300C2WS,DSEP 2X25-12C,IXFH 100N25P,IXTK 200N10L2,DSEP 12-12B,MMIX 1B20N300C,DSEP 12-12A,IXTH 50N25T,IXFN 140N30P,H0700KC17D,W3842MC28A,DSEI 60-06A,MCD 225-12IO1,LSIC2SD065D06A,M0451YC120,DSEI 2X161-12P,DHG 50X650NA,MCMA 35PD1200TB,MDC550-12IO1,DSI 2X55-12A,IXTY 8N65X2,MCC 255-16IO1,IXYP 20N120A4,IXTH 460P2,LCA220,MDD 56-18N1B,MDC580-28IO7,W9830TJ150MBR,R1280NC21J,CLA 100E1200TZ,IXTP 230N04T4,R1280NC21M,VBE 17-06NO7,R1280NC21K,R1280NC21L,M1609NC200,IXGX 120N60A3,MMO 175-16IO7,IXGK 82N120A3,DSSK 48-0025B,CS 19-08HO1S,DSEC 30-12A,MCD501-16IO2,MIXG 240W1200PTEH,LSIC2SD120E30CC,SJ6012DRP,VUO 105-18NO7,R1280NC22J,MCD 72-18IO1B,VUO 160-18NO7,IX4310T,R1280NC22K,R1280NC22L,R1280NC22M,F0900VC450,MEO 500-06DA,SXB2167FB,IXTQ 60N10T,IXFN 30N120P,VUO 30-08NO3,M0334RJ200,DSA 60C60PB,MDD 255-16N1,IXFH 18N65X2,MCC 225-12IO1,R2620ZC22L,MDA 810-18N2,R2620ZC22K,IXBH 10N170,R2620ZC22J,MDMA 140P1200TG,MDA950-18N1W,NANOASMDC016F-2,IXFN 40N110P,IXFX 250N10P,MCD320-30IO2,IXTY 10P15T,IXBOD 2-50R,DPG 30I300PA,IXFN 50N120SK,CPC3902,N2172ZD420,IXTT 16N20D2,MDD 710-26N2,W3841VC300,N4340TJ180MBR,IXTP 12N65X2,N3175HE160,SV6020R2TP,DSEI 60-02A,DPG 60C400QB,CPC3909,W2115MC520,DSEC 60-06B,DSEC 60-06A,MCMA 450UH1600TEH,DSSK 30-018A,IXYP 10N65C3,IXBH 22N300HV,IXTA 62N15P,CNE 60E2200TZ,DSI 2X55-16A,IXFR 180N15P,F1500NC200,LSIC2SD120C10,IXFP 220N06T3,MCD600-22IO1W,IXTA 36P15P,MIXG 360PF1200PSTED,F1500NC250,IXFH 80N65X2-4,MDD 175-28N1,IXBT 32N300HV,DSA 35-12A,IXTX 60N50L2,M0710LC560,R5145FA42V,IXTH 30N50P,R5145FA42W,DHG 100X650NA,IXGT 10N170A,IXFA 10N80P,MMIX 1T132N50P3,FMM 22-06PF,DMA 30P1200HB,DSA 75-16B,W5130MK280,IXTH 2R4N120P,LSIC1MO120T0080,IXTX 80N30L2,IXYN 75N65C3D1,MDD630-36N2,DSEI 2X161-06P,W5838ZD220,DSEI 60-12A,IXYH 40N65C3H1,W5282ZC240,IXTR 210P10T,MDMA 425P1600PTSF,IXXK 300N60C3,P0848YC06B,P0848YC06C,DHG 60C600HB,DPG 30P300PJ,LSIC1MO120E0040,S0700KC14Y,IXFK 220N15P,MCC 26-16IO1B,IXGK 55N120A3H1,DSA 1

选型指南  -  LITTELFUSE  - 2021/06/01 PDF 英文 下载

数据手册  -  瑶芯微  - Rev.1.1  - 2024/9/6 PDF 英文 下载

上海贝岭Trench MOSFET选型表

上海贝岭提供如下Trench MOSFET产品的技术选型,BV(V)范围:-100~+100;ID(A)范围:-25~+200;RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Typ.范围:+3~+72;RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Max.范围:+4~+90;RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Typ.范围:+7~+110;RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Max.范围:+9~+130;RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Typ.范围:+9~+68;RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Max.范围:+3~+120;VTH (V) Min.范围:-1~+2;VTH (V) Typ.范围:-1.7~+3;VTH (V) Max.范围:-2.4~+4......上海贝岭的沟槽场效应晶体管产品有TO252 、PDFN3.3×3.3、 PDFN5×6 、SOP8、SOT23等多种封装形式可供选择可广泛应用于功率开关应用、不间断电源、直流-直流转换器等。

产品型号
品类
BV(V)
ID(A)
RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Typ.
RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Max.
RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Typ.
RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Max.
RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Typ.
RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Max.
VTH (V) Min.
VTH (V) Typ.
VTH (V) Max.
Package
BLM1216Y
沟槽场效应晶体管
-12
-8
-
-
11.5
18
14
22
-0
-1
-1
SOT23

选型表  -  上海贝岭 立即选型

数据手册  -  SMC  - REV.A  - 2024/7/12 PDF 英文 下载

数据手册  -  瑶芯微  - Rev.1.0  - 2022-12-30 PDF 英文 下载

数据手册  -  南方半导体  - Rev.1.1  - 2023-03-10 PDF 英文 下载

数据手册  -  瑶芯微  - Rev.1.7  - 2023-07-26 PDF 英文 下载 查看更多版本

【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/D/R/U7N65HG,开关速度快

无锡紫光微电子的5款N沟道MOSFET:TMA7N65HG、TMC7N65HG、TMD7N65HG、TMR7N65HG、TMU7N65HG是VDMOSFET(即垂直双扩散场效应晶体管),具有更小的开关损耗和更快的开关速度,输入阻抗高,驱动功率小,频率特性好,并且具有负的温度系数。

新产品    发布时间 : 2020-08-01

数据手册  -  华轩阳电子  - 2023/12/18 PDF 英文 下载

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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址: 西安 提交需求>

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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts

实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>

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