【产品】三款N通道增强模式功率场效应晶体管,国际标准封装
全球电路保护领域的领先企业LITTELFUSE的子公司IXYS推出的三款功率场效应晶体管——IXTU1R4N60P、IXTY1R4N60P、IXTP1R4N60P,均为N通道增强模式,按国际标准封装,具有低封装电感快速的内置整流器,并具有低QG、大功率密度和节省空间易于安装的优势,尤其适合应用于直流-直流转换器、开关模式和共振模式电源、交流和直流电机驱动、激光、火花点火器、射频发生器的放电圈、高压脉冲功率应用等领域。
IXTU1R4N60P、IXTY1R4N60P、IXTP1R4N60P三个系列功率场效应晶体管的自重分别为0.40g、0.35g和3.00g。其他参数相同。
三款MOSFET的电压与电流参数:
三款源极-漏极二极管相关参数:
三款场效应晶体管模块外形图、线路图及尺寸图:
图1 三款场效应晶体管模块
图2 三款场效应晶体管模块线路图
图3 IXTU1R4N60P系列场效应晶体管模块尺寸图
图4 IXTY1R4N60P系列场效应晶体管模块尺寸图
图5 IXTP1R4N60P系列场效应晶体管模块尺寸图
三款场效应晶体管模块突出特点与优势
·N通道增强模式
·国际标准封装
·低QG
·低封装电感型
·快速的内置整流器
·大功率密度
·易于安装
·节省空间
三款场效应晶体管模块应用领域
·直流-直流转换器
·开关模式和共振模式电源
·交流和直流电机驱动
·激光、火花点火器、射频发生器的放电圈
·高压脉冲功率应用
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810-18N2,R2620ZC22K,IXBH 10N170,R2620ZC22J,MDMA 140P1200TG,MDA950-18N1W,NANOASMDC016F-2,IXFN 40N110P,IXFX 250N10P,MCD320-30IO2,IXTY 10P15T,IXBOD 2-50R,DPG 30I300PA,IXFN 50N120SK,CPC3902,N2172ZD420,IXTT 16N20D2,MDD 710-26N2,W3841VC300,N4340TJ180MBR,IXTP 12N65X2,N3175HE160,SV6020R2TP,DSEI 60-02A,DPG 60C400QB,CPC3909,W2115MC520,DSEC 60-06B,DSEC 60-06A,MCMA 450UH1600TEH,DSSK 30-018A,IXYP 10N65C3,IXBH 22N300HV,IXTA 62N15P,CNE 60E2200TZ,DSI 2X55-16A,IXFR 180N15P,F1500NC200,LSIC2SD120C10,IXFP 220N06T3,MCD600-22IO1W,IXTA 36P15P,MIXG 360PF1200PSTED,F1500NC250,IXFH 80N65X2-4,MDD 175-28N1,IXBT 32N300HV,DSA 35-12A,IXTX 60N50L2,M0710LC560,R5145FA42V,IXTH 30N50P,R5145FA42W,DHG 100X650NA,IXGT 10N170A,IXFA 10N80P,MMIX 1T132N50P3,FMM 22-06PF,DMA 30P1200HB,DSA 75-16B,W5130MK280,IXTH 2R4N120P,LSIC1MO120T0080,IXTX 80N30L2,IXYN 75N65C3D1,MDD630-36N2,DSEI 2X161-06P,W5838ZD220,DSEI 60-12A,IXYH 40N65C3H1,W5282ZC240,IXTR 210P10T,MDMA 425P1600PTSF,IXXK 300N60C3,P0848YC06B,P0848YC06C,DHG 60C600HB,DPG 30P300PJ,LSIC1MO120E0040,S0700KC14Y,IXFK 220N15P,MCC 26-16IO1B,IXGK 55N120A3H1,DSA 1
上海贝岭Trench MOSFET选型表
上海贝岭提供如下Trench MOSFET产品的技术选型,BV(V)范围:-100~+100;ID(A)范围:-25~+200;RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Typ.范围:+3~+72;RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Max.范围:+4~+90;RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Typ.范围:+7~+110;RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Max.范围:+9~+130;RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Typ.范围:+9~+68;RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Max.范围:+3~+120;VTH (V) Min.范围:-1~+2;VTH (V) Typ.范围:-1.7~+3;VTH (V) Max.范围:-2.4~+4......上海贝岭的沟槽场效应晶体管产品有TO252 、PDFN3.3×3.3、 PDFN5×6 、SOP8、SOT23等多种封装形式可供选择可广泛应用于功率开关应用、不间断电源、直流-直流转换器等。
产品型号
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品类
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BV(V)
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ID(A)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Typ.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Max.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Typ.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Max.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Typ.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Max.
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VTH (V) Min.
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VTH (V) Typ.
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VTH (V) Max.
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Package
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BLM1216Y
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沟槽场效应晶体管
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-12
|
-8
|
-
|
-
|
11.5
|
18
|
14
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22
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-0
|
-1
|
-1
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SOT23
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选型表 - 上海贝岭 立即选型
CSJD380R70N THRU CSJF380R70N 700V 11A 0.38Ω N 沟道增强型超结功率金属氧化物半导体场效应晶体管(CSJD380R70N THRU CSJF380R70N 700V 11A 0.38Ω N-channel Super-Junction Power MOSFET)
型号- CSJD380R70N,CSJF380R70N,CSJI380R70N
【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/D/R/U7N65HG,开关速度快
无锡紫光微电子的5款N沟道MOSFET:TMA7N65HG、TMC7N65HG、TMD7N65HG、TMR7N65HG、TMU7N65HG是VDMOSFET(即垂直双扩散场效应晶体管),具有更小的开关损耗和更快的开关速度,输入阻抗高,驱动功率小,频率特性好,并且具有负的温度系数。
新产品 发布时间 : 2020-08-01
CSJD280R65N THRU CSJF280R65N 650V 15A 0.28Ω N 沟道增强型超结功率金属氧化物半导体场效应晶体管(CSJD280R65N THRU CSJF280R65N 650V 15A 0.28Ω N-channel Super-Junction Power MOSFET)
型号- CSJI280R65N,CSJF280R65N,CSJD280R65N
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服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
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