【产品】1200V/42A的SiC MOSFET B1M080120HC，可用于开关电源（SMPS）等应用

时间： 2020-03-13 来源：基本半导体

技术问答

基本半导体推出的SiC MOSFET ——B1M080120HC，漏源电压最大的额定值为1200V，连续漏极电流最大额定值为42A，耗散功率最大的额定值仅295W，可应用于开关电源（SMPS）、功率逆变器和太阳能逆变器、电机驱动器和EV充电站以及DC/DC转换器等领域。

特点：

低导通电阻，高阻断电压

低电容

雪崩耐用性

无卤素，符合Rohs标准

优势：

高频操作

使开关频率更高

功率密度增加

减少散热器需求

应用：

开关电源（SMPS）

功率逆变器和太阳能逆变器

电机驱动器和EV充电站

DC/DC转换器

最大额定值：

热特性：

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